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电子发烧友网>业界新闻>行业新闻>手机DRAM需求强劲 利基型DRAM比重持续攀升

手机DRAM需求强劲 利基型DRAM比重持续攀升

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三星今年或将大力推进先进DRAM生产

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DRAM涨价启动!Q1涨幅高达20%

有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价,但预计NAND价格将继续上涨。2023年12月DRAM价格上涨2%-3%,大幅提升DRAM价格,但低于当月3D TLC NAND约10%的涨幅。
2024-01-08 16:43:54466

DRAM合约价一季度涨幅预计13~18%,移动设备DRAM引领市场

DRAM产品分类显示,PC DRAM方面,DDR5订单需求未得到充分满足,买方预期DDR4价格将进一步上涨,这激发了备货需求。尽管新一代设备向DDR5转型,但对于DDR4采购量增幅不定。预计PC DRAM季度合约价变化幅度将在10~15%之间,其中DDR5占据更大比例。
2024-01-08 14:27:26195

传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM威廉希尔官方网站 转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22387

DRAM价格飙升,三星和美光计划Q1涨幅高达20%

根据最新的存储器模组行业消息,随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升,三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格,涨幅预计将达到15%-20%。 业内分析师指出
2024-01-03 18:14:16872

存储市场动态:DRAM价格大幅上涨在即

随着上游原厂酝酿提价,多家存储器模块业者已经开始备货,以应对潜在的市场变化。预计供应给OEM厂商的合约价将在二季度起全面反映DRAM的涨价趋势。
2024-01-03 15:34:13733

传三星与美光第一季DRAM价格涨幅15%~20%

近期,全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能,这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在,最新消息表明,DRAM价格有望在2024年第一季度迎来新一轮的上涨,涨幅预计达到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20414

DRAM价格上涨因存储巨头减产,供需紧张料持续至年底

据报道,近期三星宣布自明年第一季度起,DRAM价格将上涨至少15%;尽管NAND闪存涨价迹象尚不明显,但预测同样存在跟进上涨的可能。据IT之家引用集邦观点预计,DRAM价格涨势将持续至2024年末。
2024-01-03 14:31:03471

三星与美光拟提DRAM价格,以求盈利回暖

部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:21549

存储产品涨势确定DRAM、NAND价格持续上涨

行业芯事行业资讯
电子发烧友网官方发布于 2023-12-26 11:24:06

SK集团会长:DRAM需求正在改善,NAND几乎处于休眠状态

他在记者会上称,虽然期望2023年上半年能够全面恢复,但还需耐心等待。部分领域的需求推动着市场前行,然而市场并未全面复苏。他特别指出,现阶段DRAM产业表现良好,但NAND却仍然停滞不前。
2023-12-19 13:54:26190

dram和nand的区别

dram和nand的区别  DRAM和NAND是两种不同类型的存储器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种随机存取存储器,而NAND(Not AND)是一种逻辑
2023-12-08 10:32:003894

DRAM产业Q3营收达134.8亿美元,合约价还将上涨

三星dram的营业利润在第三季度约增加15.9%,达到52.5亿美元,市场占有率为38.9%,占据首位。三星对ai高用量产品的需求不断增加,1alpha nm ddr5的批量生产也呈现良好势头。
2023-12-05 17:07:08461

DRAM库存高 Q4出货增长或有限

trendforce表示,第三季度三家企业的营业利润均有所增加,由于ai话题的扩散,对高用量产品的需求保持稳定,而且在批量生产1 alpha nm ddr5以后价格也有所上升,从而使三星第三季度dram销售额增长15.9%,约52.5亿美元。
2023-12-05 10:19:53297

三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的威廉希尔官方网站 时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324

DRAM的范式转变历程

DRAM制造威廉希尔官方网站 进入10nm世代(不到20nm世代)已经过去五年了。过去五年,DRAM威廉希尔官方网站 和产品格局发生了巨大变化。因此,本文总结和更新了DRAM的产品、发展和威廉希尔官方网站 趋势。
2023-11-25 14:30:15536

世界上首次商用D1Beta一代DRAM的诞生

Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁垒,对提升电子设备性能至关重要,包括移动电话和其他边缘设备。
2023-11-24 11:11:45167

浅析DRAM测试和检查设计方案

 DRAM测试发生在晶圆探针和封装测试。最终组装的封装、终端系统要求和成本考虑推动了测试流程,包括ATE要求和相关测试内容。
2023-11-22 16:52:11904

DRAM选择为何突然变得更加复杂?

芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情况下,DRAM——尤其是高带宽存储器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有着良好的记录,也有成熟的工艺,而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476

芯片设计中DRAM类型如何选择

DRAM有多种类型可供选择。有些速度非常快,如HBM,但也很昂贵。其他类型速度较慢,但价格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,变化的是,在异构架构中,两者都可以发挥重要作用,以及多种其他DRAM类型和更狭义的存储器,如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243

SK海力士全面推进全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化

据sk海力士透露,LPDDR5T是迄今为止最能大幅提高智能手机性能的存储产品中速度最快的产品。公司方面强调说,将继续扩大产品适用范围,引领移动dram领域的升级。
2023-11-13 10:32:31779

关于DRAM市场趋势的“虚假谎言

在半导体逻辑的研发中,“小型化的极限”一直被人们谈论。正如上次提到的,尖端逻辑MOS FET的加工尺寸已不再与威廉希尔官方网站 节点值相匹配,可以说晶体管的小型化已经达到了极限。那么DRAM的小型化又如何呢?
2023-11-08 11:38:29151

三星与SK海力士DRAM继续涨价

笔电DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存储器模组合约价,10 月也较9 月上涨11.5%,到每单位33 美元。智能手机DRAM合约价也开始涨价。TrendForce 预计第四季行动DRAM
2023-11-03 17:23:09958

DRAM的威廉希尔官方网站 研发趋势

在2023年2月在国际学会ISSCC上,三星电子正是披露了公司研发的存储容量为24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下图左)和硅芯片(下图右)。
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DRAM先进制程进展如何?

美光1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展,能支持数据中心和客户端平台上的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。
2023-10-26 14:19:24136

SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM与高通完成性能验证

完成与高通最新移动处理器的兼容性验证,正式开始向客户提供产品 "将通过加强与高通的合作,实现智能手机发展为AI时代的核心应用。" 韩国首尔2023年10月25日 /美通社/ -- SK海力士25
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动态随机存取存储器(DRAM)的相关知识

本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器(DRAM)的相关知识,包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34815

单芯片超过 100Gb,三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片

三星电子在此次会议上表示:“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram,目前正在开发的11纳米级dram将提供业界最高密度。”另外,三星正在准备10纳米dram的新的3d构架,并计划为一个芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485

季涨约3~8%,DRAM合约价大幅回升!

据TrendForce的研究显示,第4季DRAM与NAND Flash均价将开始全面上涨。特别是DRAM,预计第4季的合约价将季涨幅约在3%到8%之间。然而,这波上涨是否能持续,取决于供应商是否坚守减产策略以及实际需求的回升程度,尤其值得关注的领域是通用型服务器。
2023-10-16 09:17:18376

DRAM ,终于迎来了春天

在芯片供应过剩、需求低迷的情况下,DRAM芯片现货价格自2022年2月以来一直处于下跌状态。三星和SK海力士自去年底开始大幅削减芯片产量,导致芯片库存资产触底反弹,芯片价格持续走低。价格依次回升。
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电子发烧友网报道(文/周凯扬)在近期的闪存峰会上,一家由英国兰卡斯特大学孵化的初创公司Quinas Technology获得了创新大奖。他们展示了ULTRARAM,一个结合了DRAM高性能和闪存
2023-10-09 00:10:001310

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
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三星计划提高DRAM和NAND芯片价格

日前有消息称,存储芯片领域正在迎来一轮明显的复苏,特别是移动DRAM芯片销售行业。
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DRAM的变数

2022年第四季度DRAM行业营收环比下降超过三成,跌幅超过2022年第三季度。2022年第四季度DDR4内存价格环比下降23-28%,DDR5内存价格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
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堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构分析

在下面的图中显示了堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构图。下图(a)显示了堆叠式DRAM存储节点接触(SNC)结构。
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有传闻称,三星缓存DRAM将使用与hbm不同的成套方式。hbm目前水平连接到gpu,但缓存d内存垂直连接到gpu。据悉,hbm可以将多个dram垂直连接起来,提高数据处理速度,因此,现金dram仅用一个芯片就可以储存与整个hbm相同数量的数据。
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2Q23 NAND Flash/DRAM市场营收排名出炉

长5%至91.28亿美元,DRAM市场规模环比增长11.9%至106.75亿美元。 整体来看, 二季度全球存储市场规模198.03亿美元,环比增长9%,但不足去年同期的一半,同比下跌54%。 尤其在
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3D DRAM时代即将到来,泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构

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DRAM价格触底反弹,专家曝真实原因

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dram存储器断电后信息会丢失吗 dram的存取速度比sram快吗

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元器件原理<DRAM> 由1个晶体管、1个电容器构成 数据的写入方法 <“1” 时> Word线电位为 high Bit线电位为 high Word线电位为 low 元器件原理<SRAM> 存储单元
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SK海力士将为苹果Vision Pro MR设备提供专用DRAM

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三星DRAM月产量降至两年来新低 行业频现库存改善信号

但这并不是全部,报道称三星内部计划将减产持续至明年,在半导体市场重回供需平衡之前,公司将避免扩产存储芯片。Omdia预计,明年下半年三星的DRAM月产量将保持在60万片,较目前水平进一步减少。
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第三季度整体PC DRAM均价将环比下跌0~5%

Mobile DRAM方面,由于上半年智能手机需求疲弱,尽管传统旺季有望带动Mobile DRAM需求,加上原厂同时进行减产,但对于快速降低原厂库存的助益仍相当有限。
2023-07-06 11:39:44170

汽车和工业的强劲需求使MCU交货时间延长

模拟芯片的库存方面,报告预测将在2023年第二季度强劲优化。由于需求旺盛,分立芯片的短缺将持续;MCU库存指数在2023年第一季度进入正常区间。
2023-07-04 14:50:19117

西安紫光国芯在VLSI 2023发表嵌入式多层阵列DRAM论文

Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch Hybrid Bonding and Mini-TSV)。该论文的发表,是西安紫光国芯在SeDRAM方向上持续创新的最新突破。
2023-07-03 15:25:20559

DRAM合约拟涨价7%-8%!

据悉,DRAM批发价格为存储厂商和客户间每个月或每季敲定一次。业内人士称,目前价格还在季末的拉锯战中,个别厂商面对的情况不一样,若下游企业本身的库存水位高,会不会接受价格调整还需再观察。
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存储三巨头欲拉动DRAM价格上涨 目标涨幅7-8%

存储芯片行业目前正面临长时间亏损衰退的情况,DRAM价格已经跌至不可再降的水平,但巨头厂商似乎计划推动价格上涨。
2023-06-29 14:57:32617

消息称存储芯片三大原厂拟调涨DRAM合约价7%-8%

据悉,dram的批发价格是存储器事业者和顾客公司之间每个月或每个季度决定的。业界人士表示:“目前价格还处于季节的最后阶段,因此个别制造企业面临的状况有所不同。”并称:“如果下级企业的库存水位上升,是否会受到价格调整,还需要进一步观察。”
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厂商减产、库存减少 DRAM价格结束12个月连跌

该报道称,在智能手机和电脑中储存数据的dram价格暂时停止下跌,这可能是因为大型存储器企业减产导致市场库存减少。2023年5月的指标产品ddr4 8gb的批发价格(大量交易价格)为每个1.48美元左右,与前一个月(2023年4月)相同,已经结束了连续12个月下滑的局面。
2023-06-27 09:45:56347

SSD第一季库存不降反升 DRAM产出可能为持平或负成长

DRAM景气去年初时就反转,但当时原厂并未踩煞车,反而认为是市场短期修正或中国封城造成的短暂影响。
2023-06-16 14:47:12119

2023年SiC衬底市场将持续强劲增长

研究机构TECHCET日前预测,尽管全球经济普遍放缓,但2023年SiC衬底市场将持续强劲增长。
2023-06-08 10:12:34436

存储芯片拐点何时到来?DRAM价格已连续12个月下跌

市场上,DRAM价格已连续12个月下跌,4月份DDR4 8Gb批发价为每个1.48美元左右,环比下跌1%。
2023-06-01 17:59:111713

比特错误模式对DRAM故障预测有何影响?

DRAM错误数据主要通过Linux检错纠错驱动程序采集。同时获取每个CE的微观地址信息,即channel、rank、bank、row和column。
2023-06-01 14:34:21183

反超SK海力士,美光跃居第二大DRAM供应商

在芯片行业持续衰退的情况下,美国芯片制造商美光科技公司九年来首次超越韩国 SK 海力士公司成为全球动态随机存取存储器 (DRAM) 市场的第二大厂商。 根据台湾市场研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550

如何看待3D DRAM威廉希尔官方网站 ?

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法现在已广为人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工艺的 DRAM 应该能够快速量产。
2023-05-31 11:41:58358

DRAM连接32位SDRAM时,sdram支持多大的容量?

DRAM 连接32位SDRAM时,最大支持64Mx32bit?
2023-05-26 07:27:07

三星电子研发首款DRAM 扩大CXL生态系统

基于先进CXL 2.0的128GB CXL DRAM将于今年量产,加速下一代存储器解决方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179

8倍密度,像做3D NAND一样做DRAM

电子发烧友网报道(文/周凯扬)在存储行业有些萎靡不振的当下,大部分厂商都在绞尽脑汁地去库存,也有的厂商考虑从新的威廉希尔官方网站 方向给存储行业注入生机,比如最近发布了3D X-DRAM威廉希尔官方网站 的NEO
2023-05-08 07:09:001982

3D DRAM,Chiplet芯片微缩化的“续命良药”

CUBE是Customized/Compact Ultra Bandwidth Elements,即“半定制化紧凑型超高带宽DRAM”的简称。华邦电子次世代内存产品营销企划经理曾一峻在向《电子工程专辑》说明CUBE核心价值时表示,新能源汽车、5G、可穿戴设备等领域的不断发展
2023-05-05 11:07:44866

使用调试器将程序加载到DRAM中,为什么配置工具会出现此错误?

我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上开发应用程序。 应用程序代码和数据在 DRAM 中。我使用secure provisioning tool生成了一个可以刷入的bin
2023-04-28 07:02:14

如何使用低延迟 DRAM 用户手册(M19202EJ1V0UM00)

如何使用低延迟 DRAM 用户手册 (M19202EJ1V0UM00)
2023-04-26 20:28:110

AI训练不可或缺的存储,HBM3 DRAM再升级

电子发烧友网报道(文/黄晶晶) SK海力士近日发布全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品。
2023-04-23 00:01:002616

2030年DRAM模块和组件市场将达到1111亿美元

2022年DRAM模组及组件市场规模为994亿美元,预计2022—2030年复合年增长率为1.40%,到2030年将达到1111亿美元。
2023-04-19 09:30:161003

DRAM市场恢复元气,还想在GPT市场干票大的?

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)在交出一份相当不理想的Q1财报之后,三星电子终于决定,将削减存储芯片的产量,减产有望缓解供应过剩,提振陷入寒冬的半导体行业。 对于DRAM行业而言,这真的是巨大的利好
2023-04-15 03:00:002762

如何更改i.MX28中的DDR2时钟EMI_CLK频率?

大家好我们在我们的一款产品中使用 i.MX28,它使用以下寄存器设置在 180MHz EMI_CLK 上工作——volatile unsigned int * DRAM
2023-04-04 08:49:41

如何在SDK1.9中更改U-Boot for P2020中的2G DRAM大小?

大家好,请问大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小吗?我尝试更改p1_p2_rdb_pc.h,但是uboot 无法运行,见日志如下。还有一个
2023-04-03 06:40:26

LGE-CTO使用OPTE的4G DRAM启动失败的原因?

= 0x0000000000000000 boot_params = 0x0000000000000000 DRAM bank = 0x0000000000000000 -> start
2023-03-29 07:51:32

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