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英特尔威廉希尔官方网站 重大突破:三维结构晶体管

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IBM宣布半导体威廉希尔官方网站 重大突破 耗能少传输快 IBM研究人员宣布,在半导体传输威廉希尔官方网站 上有了重大突破,可大幅提高传输速度,并同时减少能源损耗。   此项威廉希尔官方网站
2010-03-08 09:34:36556

22纳米3D晶体管威廉希尔官方网站

Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破,沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构,一款名为Tri-Gate的晶体管威廉希尔官方网站 得到实现。 3D Tri-Gate晶体管使用了一个微薄的三维硅鳍片取代了传统
2011-10-25 09:35:401317

绿色光伏发电威廉希尔官方网站 重大突破

“第三代”光伏发电威廉希尔官方网站 ,也就是绿色光伏发电威廉希尔官方网站 ,特点是绿色、高效、价廉和寿命长。中国第三代光伏发电威廉希尔官方网站 又取得了重大突破
2011-11-30 09:34:38977

英特尔开发3D晶体管对ARM构成的威胁

英特尔已经准备把第一个3D晶体管结构导入大量生产,它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。22纳米处理器,代号为Ivy Bridge。3-D晶体管和2-D平面晶体管有本质性的区别,它不只可
2012-08-15 11:23:24949

#高通 #英特尔 #Elite 高通X Elite芯片或终结苹果、英特尔的芯片王朝

高通英特尔苹果
深圳市浮思特科技有限公司发布于 2023-10-27 16:46:07

汉能砷化镓(GaAs)威廉希尔官方网站 再获重大突破

据悉,近日,汉能砷化镓(GaAs)威廉希尔官方网站 再获重大突破。据世界三大再生能源研究机构之一的德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)认证,汉能阿尔塔砷化镓薄膜单结电池转换效率达到29.1%,再次刷新世界纪录。
2018-11-19 15:31:477041

英特尔采用Super MIM优化威廉希尔官方网站 推出晶体管威廉希尔官方网站 SuperFin

制程工艺是非常重要的基础。在今年“架构日”上,英特尔推出了创新的晶体管威廉希尔官方网站 SuperFin。这项威廉希尔官方网站 拥有行业颠覆意义,英特尔在底层晶体管设计上做了优化,降低了电阻,提高了电流,同时在电容层级采用了Super MIM的大幅优化威廉希尔官方网站 ,电容量提高了5倍,同时降低了压降。
2020-08-27 11:14:582275

英特尔展示下一代晶体管微缩威廉希尔官方网站 突破,将用于未来制程节点

在IEDM 2023上,英特尔展示了结合背面供电和直接背面触点的3D堆叠CMOS晶体管,这些开创性的威廉希尔官方网站 进展将继续推进摩尔定律。
2023-12-11 16:31:05342

Ansys多物理场签核解决方案获得英特尔代工认证

Ansys的多物理场签核解决方案已经成功获得英特尔代工(Intel Foundry)的认证,这一认证使得Ansys能够支持对采用英特尔18A工艺威廉希尔官方网站 设计的先进集成电路(IC)进行签核验证。18A工艺威廉希尔官方网站 集成了新型RibbonFET晶体管威廉希尔官方网站 和背面供电威廉希尔官方网站 ,代表了半导体制造领域的一项重大突破
2024-03-11 11:25:41254

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