【 2023 年 5 月 12 日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361028 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2威廉希尔官方网站
,据官方介绍,这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET威廉希尔官方网站
,相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181539 能源转型和碳中和的目标迈出了一大步。英飞凌科技股份公司的 CoolSiC™产品被总部位于台湾的全球领先的电源管理及散热解决方案提供商台达电子选用,使得台达电子 向着 利用绿色电力实现能源转型和碳中和
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一种先进的高压威廉希尔官方网站
功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
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功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET,根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低,使其特别适用于需要更多高效,更紧凑,LED照明,高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
`1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2. IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以
2018-08-27 20:50:45
。因此,对于硬开关MOSFET应用而言,体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说,IGBT组合封装二极管的选择要与其应用匹配,具有较低正向传导损耗的较慢型超快二极管与较慢的低VCE(sat
2021-06-16 09:21:55
1、由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。 2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到
2020-06-28 15:16:35
MOSFET是开关电源中的重要元器件,也是比较难掌握的元器件之一,尤其在LLC,LCC软开关的设计中,对于MOSFET元器件本身的理解尤其重要,理解透彻了,也就应用自如了。本文会从理论上
2018-07-12 11:34:11
和微电子电路相当。新一代功率器件的制造威廉希尔官方网站
已进入亚微米时代。 作为功率MOSFET 来说,有两项参数是最重要的。一个是RDS(ON),即通态时的漏源电阻。另一个是QG,即栅极电荷,实际即栅极电容。栅极电容
2019-06-14 00:37:57
mosfet里的jte结终端拓展是什么意思?
2017-12-05 10:03:10
1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到
2019-03-06 06:30:00
开关MOSFET中的噪声(STGF20NB60S)以上来自于谷歌翻译以下为原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
硬开关开断和接通时,开关上同时存在电压和电流,有损耗是什么原因?是开断是损耗大,还是接通时损耗大?
2015-04-16 14:55:12
导读:日前,TDK公司宣布推出新一代PCB基板式开关电源--CUT75系列产品。CUT75系列新品是伴随着市场对更轻薄、更高效率,更高性价比的三路输出开关电源的需求而问世,为客户系统的小型化
2018-09-27 15:24:27
新一代HQV视频处理器能否改善低质量视频?
2021-06-08 06:29:55
新一代PON以及云数据中心的未来
2021-06-07 06:30:00
由于集成的功能不断增多以及外形尺寸的日益缩小,最新一代功能丰富的更小型便携式设备将使电源管理设计发挥关键作用。
2019-11-06 07:26:01
新一代军用通信系统挑战
2021-03-02 06:21:46
MOSFET的方式内嵌固有体二极管的最新一代阳极短路IGBT.与最佳竞争产品和前代产品相比,该器件具有Eoff较小的特性。总之,新器件使得FS IGBT更适用于不需要高性能反向并联二极管的软开关应用。
2018-09-30 16:10:52
新一代纳秒级高带宽仿真工具平台——HAC Express
2021-01-11 06:47:24
新一代网络分析仪是指什么?它具备哪些特性?安捷伦新型PNA-X网络分析仪怎么样?有哪些功能?
2021-04-15 06:39:43
新一代视频编码器怎么样?
2021-06-02 06:39:01
新一代视频编码标准H,264/AVC有哪几种关键威廉希尔官方网站
?
2021-06-03 06:33:58
本文介绍了欧胜微电子公司最新一代音频数字-模拟转换器(DAC)的架构,专注于设计用于消费电子应用中提供高电压线驱动器输出的新器件系列。
2019-07-22 06:45:00
,英飞凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的开发工作。 与OptiMOS™3威廉希尔官方网站
直接比较,结果表明,新一代MOSFET不仅可极大地降低通态电阻RDS(on),还可大幅改进开关特性。 阻断电压为
2018-12-06 09:46:29
并且开关速度快的IGBT,英飞凌公司开发的第四代IGBT—T4能很好地满足这一要求,本文主要介绍T4芯片及其在软开关逆变焊机中的应用。关键词:IGBT, T4, 软开关,逆变焊机 中图分类号
2018-12-03 13:47:57
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET威廉希尔官方网站
白皮书资料来自网络
2019-06-26 20:37:17
ADR421超精密,低噪声,2.048 Vout XFET电压基准的典型应用,有利于开尔文连接。 ADR42x是一系列超精密,第二代额外注入结FET(XFET)基准电压源,具有低噪声,高精度和SOIC和MSOP封装的出色长期稳定性
2020-05-22 11:59:17
ARK推出新一代250V MOS器件 近日,成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.,简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品,包括N型
2011-04-19 15:01:29
,新一代基站设施成为二者竞争的焦点,同时Femtocell的发展潜力也吸引了FPGA和DSP厂商。 飞思卡尔是第一个向市场推出商用四核心DSP的厂商。飞思卡尔现在在市场上主推的产品是第二代四核DSP
2019-07-19 06:10:44
的状态,导致LLC的MOSFET硬开关,典型波形如下,可以看到上管(HVG)打第二个PWM时对应的谐振腔的电流相位是不对的。 再来看过载/短路时,LLC工作在容性模式的情况,先看一张DC gain对应的容
2016-12-12 15:26:49
LXI新一代测试自动化平台
2019-10-12 15:01:42
MIMO:新一代移动通信核心威廉希尔官方网站
2020-07-17 16:38:06
新一代高级限幅ML8000高级限制器是下一代限制器威廉希尔官方网站
,采用两个完全独立的处理阶段,显著改善峰值水平调整。ML8000 8波段的处理很容易从响应图、下面的大增益衰减器和方便的阈值标记对准每个波段
2020-01-04 16:43:33
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间,包含直流-直流转换器的high side 及low side开关,以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此威廉希尔官方网站
也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。
2019-08-02 08:07:22
PLC新一代超小型控制器(LOGO!)的编程方法与操作
2020-04-07 09:00:02
。此外,为了进一步提高电机的效率并减小尺寸,对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下,ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又开发出在Nch
2021-07-14 15:17:34
KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是
2017-04-15 15:48:51
基于超级结威廉希尔官方网站
的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更少的栅极和和输出电荷,这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前
2017-08-09 17:45:55
如何进行超快I-V测量?下一代超快I-V测试系统关键的威廉希尔官方网站
挑战有哪些?
2021-04-15 06:33:03
` 智能时代的到来,推动了更多的智能产品的诞生。云温控器是中央空调温控器的新一代产品,这种产品带领中央空调走进了新高度,打开了智能家居智能智能温控面板的大门,春泉云温控器拥有先进的云威廉希尔官方网站
,采用云端
2016-02-18 10:46:03
由米勒电容引起的寄生导通效应,常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应,在硬开关变流器的栅极驱动设计中,通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET
2023-02-27 13:53:56
快充及电源适配器通常采用传统的反激变换器结构,随着快充及PD适配器的体积进一步减小、功率密度进一步提高以及对于高效率的要求,传统的硬开关反激变换器威廉希尔官方网站
受到很多限制。采用软开关威廉希尔官方网站
工作在更高的频率
2018-06-12 09:44:41
分立电阻器与电容器(以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管(BJT)/第二个场效应晶体管)围绕的功率MOSFET)。但在多数情况下,使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一
2018-09-03 15:17:57
分享一款不错的基于数字信号处理器的新一代车载娱乐系统解决方案
2021-05-17 06:07:53
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2021-05-15 15:24:55
国内第一颗量产超结MOS(可替代英飞凌coolmos)大家好!我司是国内专业设计大功率MOS器件的公司。现我司已经实现了SJ-MOS的量产,可替代英飞凌的coolmos。这是我公司的网址
2011-01-05 09:49:53
两款模块分别采用下面两项开关威廉希尔官方网站
:3 A PowerMESH IGBT (STGIPQ3H60x)和 3 A 超结MOSFET(STIPQ3M60x)。 2电机驱动应用和硬开关换流 电机控制的主要
2018-11-20 10:52:44
1、引言随着科学威廉希尔官方网站
的发展和社会的进步,移动通信威廉希尔官方网站
正在经历着日新月异的变化。当人们还在研究和部署第三代移动通信系统的同时,为了适应将来通信的要求,国际通信界已经开始着手研究新一代的移动通信系统
2019-07-17 06:47:32
【导读】传统电源领域几乎全是模拟威廉希尔官方网站
的地盘,然而,随着数字威廉希尔官方网站
的进展,数字电源的诸多好处获得实现,因此厂商纷纷投入。数字电源取代模拟电源是必然的市场趋势,TI基于UCD3138 的高整合度新一代
2018-09-29 17:18:54
本文重点介绍为电源用高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法。现在有一种为高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法,以帮助解决电源电路问题。MOSFET 在压摆率、阈值电压、导通电
2023-02-27 10:02:15
像蜡烛一样,功率MOSFET(功率场效应晶体管)是切换负载最常见的方式,其四周围绕着众多分立电阻器与电容器(以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管(BJT)/第二个场效应晶体管)围绕的功率
2022-11-17 08:05:25
新一代数据中心有哪些实践操作范例?如何去推进新一代数据中心的发展?
2021-05-25 06:16:40
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温,如 MOSFET 或 IGBT 的结温,是一个不可或缺的过程,功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法:
2021-03-11 07:53:26
自动化测试系统的设计挑战有哪些?如何去设计新一代自动化测试系统?
2021-05-11 06:52:57
如何确保新一代车载网络的性能和一致性?
2021-06-17 11:17:17
合肥发布新一代新能源客车管理系统——e控系统,搭载e控系统的安凯第五代纯电动客车同时亮相。其中超酷超炫的安凯12寸液晶中控屏更是吸引了足够眼球,其拟物化的人机界面,所见即所得的操作交互,彻底颠覆了传统
2014-09-30 17:01:46
。 特别是,封装源极寄生电感是是器件控制的关键因素。在本文中,英飞凌提出了一种用于快速开关超结MOSFET的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径;一个用于
2018-10-08 15:19:33
将音频编解码器整合进新一代SoC面临哪些威廉希尔官方网站
挑战?如何去实现呢?
2021-06-03 06:41:10
德州仪器(TI)推出新一代KeyStone II架构
2021-05-19 06:23:29
` 你的HTPC体积是不是臃肿硕大、外观平庸?是不是低端入门平台、性能低下?是不是功耗几百瓦耗电巨大?通宵下载时散热不良、噪音烦人?… 全新一代家用娱乐HTPC神器:超迷你电脑立人Mr.NUC,帮你
2015-06-25 09:47:32
斯巴鲁近日宣布将从明年起运用其新一代EyeSight安全系统,并在10月2日首先透露了新一代产品的细节。
2020-08-26 07:28:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑
发光二极管(LightEmittinDiode,LED)作为新一代固态光源,具有寿命长、高效节能、绿色环保等众多优点,被广泛地
2012-11-15 14:14:36
软件无线电的基本结构是什么?新一代SOPC的特点是什么?基于新一代SOPC的软件无线电资源共享自适应结构
2021-05-07 06:17:33
、PiN二极管和超结二极管;功率开关管主要包括金属氧化物半导体场效应开关管(MOSFET)、结型场效应开关管(JFET)、双极型开关管(BJT)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、门极可关断晶闸管(GTO
2023-02-20 15:15:50
有哪位专家来解答一下电路板新一代清洗威廉希尔官方网站
主要有哪几种?它们分别有什么特点?
2021-04-20 07:14:41
性和低噪声特征,超级结MOSFET有一些变化。从下篇开始,将介绍每种变化的特征。关键要点:・Si-MOSFET的产品定位是“以低~中功率高速工作”。・超级结结构可保持耐压的同时,降低导通电阻RDS
2018-11-28 14:28:53
等级,同时,在器件导通时,形成一个高掺杂N+区,作为功率MOSFET导通时的电流通路,也就是将反向阻断电压与导通电阻功能分开,分别设计在不同的区域,就可以实现上述的要求。基于超结
2018-10-17 16:43:26
负载供电。 值得一提的是, CoolMOS™ E6——作为英飞凌推出的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET,可以视作英飞凌不断创新的工匠精神和数年沉淀的行业经验的集大成之作。作为业内领先的超结
2017-04-12 18:43:19
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET,损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET,损耗更低组成全SiC功率模块的SiC-MOSFET在不断更新换代,现已推出新一代产品的定位–采用沟槽结构的第3代产品
2018-12-04 10:11:50
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2威廉希尔官方网站
为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位,以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET(以下简称“SJ-MOSFET”)的概要
2018-12-03 14:27:05
骊微电子供应超结功率mos SVSP14N65FJHE2,可广泛应用于适用于硬/软开关拓扑,是士兰 微mos代理商,提供产品详细参数及样品申请。>>
2022-05-18 15:26:23
SVS11N60FJD2 士兰微国产超结mos,可广泛应用于适用于硬/软开关拓扑,骊微电子是士兰微mos代理商,提供产品详细参数及样品申请。>>
2022-08-30 15:57:55
供应无锡士兰微mos管SVS11N65FJD2 11A,650V高压超结mos管,适用于硬/软开关拓扑,照明,适配器等领域,更多产品手册、应用料资请 向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:06:39
NexFETTM:新一代功率 MOSFET
对于理想开关的需求
功率 MOSFET 可作为高频率脉冲宽度调变 (PWM) 应用中的电气开关,例如稳压器及/或控制电源应用之中负载电流的开关
2010-02-06 09:16:011437 近日英飞凌拟收购ST半导体的消息受到广泛关注,作为全球功率器件老大,英飞凌日前发布的财报显示强劲的增长,在全球MOSFET供应吃紧,价格飙涨的形势下,英飞凌称部分MOSFET产品交货时间超过26周,最长达52周。
2018-08-06 11:25:414299 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS™ 源极底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073 英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET威廉希尔官方网站
树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:39:161651 IM69D128S基于PDM(脉冲密度调制)输出的数字麦克风ASIC,树立了520 μA电流消耗的新基准。这相当于市场上具有类似性能的可用型号的一半电流消耗量。
2023-02-14 11:25:35307 英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 威廉希尔官方网站
的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项威廉希尔官方网站
经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新威廉希尔官方网站
的推出,标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑,为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29126 在全球电力电子领域,英飞凌科技以其卓越的威廉希尔官方网站
创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日,该公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
,标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
,无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比,全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134
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