电子发烧友App
罗姆试制出漏电流减少95%的SiC制MOSFET
- MOSFET(209657)
- SiC(61349)
- 罗姆(65965)
- 电源公司(7480)
相关推荐
英飞凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的产品特点
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联威廉希尔官方网站
，CoolSiC威廉希尔官方网站
的输出电流能力强，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35
15
15水下航行器电机的SiC MOSFET逆变器设计
利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:4667
67
多款产品通过车规认证，国产SiC MOSFET加速上车
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年，国产SiC功率器件产品迎来了全面爆发，众多厂商宣布入局或是推出车规级SiC MOSFET产品，寻求打进汽车供应链。而今年春节后的新一轮新能源汽车降价
2024-03-13 01:17:002631
2631
SiC MOSFET模块串扰应用对策
SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ，展示了新威廉希尔官方网站
的优良特性。
2024-02-19 16:29:22206
206
如何解决贴片电容漏电流的问题呢？
如何解决贴片电容漏电流的问题呢？ 贴片电容漏电流是电容器在正常工作条件下发生的一种特殊现象，会导致电路工作不稳定甚至损坏。要解决贴片电容漏电流问题，需要找出漏电流的原因，并采取相应的措施进行修复
2024-02-03 14:37:45248
248漏电保护开关的漏电动作电流为多少
漏电保护开关的漏电动作电流为多少 漏电保护开关是一种用于监测和保护电气设备和人身安全的重要电器设备。当电气系统发生漏电故障时，漏电保护开关能够及时检测到漏电电流，并迅速切断电路，以避免漏电电流
2024-02-03 09:13:15773
773TC397漏电流如何选取？
1. 我选用了 TC397 的14引脚脚做了一个电压采样，需要计算机漏电流对采样精度的影子
2.vieds我不知道选取哪个漏电流，是从Table 3-15 Class d中150na的还是 Table 3-16 ADC 参考板中的7ua？
2024-01-29 07:46:57
剩余电流测量在排查路灯漏电隐患中的应用
。快速发现漏电安全隐患，通过一段时间的现场检验，确定了该方法的可操作性。但是我们还无法整定出安全数值，使得检测的过程还存在瑕疵。未来，我们还将对回路长度与电缆对地分布电容造成的泄漏电流之间的关系进行研究
2024-01-11 16:36:02
耐压测试中漏电流的计算方法
耐压测试是一种常用的电气测试方法。在进行耐压测试时，需要对漏电流进行计算，以确保测试过程中的安全。本文将详细介绍耐压测试中漏电流的计算方法。 一、漏电流的概念 漏电流是指在绝缘材料表面或内部
2024-01-11 14:38:491324
1324
3300V SiC MOSFET栅氧可靠性研究
摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表现出巨大的应用前景，其中金属-氧化物-场效应晶体管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET 可应用于轨道交通和智能电网
2024-01-04 09:41:54593
593
1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表
电子发烧友网站提供《1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:28:29
0
0一文带你认识柔性电流探头(罗氏线圈)
电流探头(罗氏线圈)典型的应用包括：
50/60Hz工频电流测量
测量电流中的谐波成份
MOSFET，IGBT芯片等管脚电流测试
测量电力电子中的负载电流及高次谐波电流
柔性电流
2023-12-28 10:57:06
新型沟槽SiC基MOSFET器件研究
SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势，SiC沟槽MOSFET（UMOSFET）具有高温工作能力、低开关损耗、低导通损耗、快速开关速度等特点
2023-12-27 09:34:56466
466
同是功率器件，为什么SiC主要是MOSFET，GaN却是HEMT
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219
1219瑶芯微荣获“国际先进”好评的高可靠SiC MOSFET产品
瑶芯微此次参评的专注于“车规级低比导通电阻SiC MOSFET”，专家们一致赞赏该产品具有卓越的研究成果，堪称行业翘楚。凭借诸多优点，经过严谨评鉴，评委会授予瑶芯微的SiC MOSFET威廉希尔官方网站
极高评价，同时认定其拥有自主创新产权，展现了强劲的威廉希尔官方网站
实力。
2023-12-25 10:56:54456
456SIC MOSFET在电路中的作用是什么？
SIC MOSFET在电路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686
686怎么提高SIC MOSFET的动态响应？
怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272
272SIC MOSFET对驱动电路的基本要求
SIC MOSFET对驱动电路的基本要求 SIC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新兴的功率半导体器件，具有良好的电气特性和高温性能，因此被广泛应用于各种驱动电路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416
416SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析（下）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45940
940
NSF040L3A0：1200伏，40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南
电子发烧友网站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:37:520
0NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET一般说明
电子发烧友网站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET一般说明.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:36:290
0
IGBT漏电流增加有哪些原因
IGBT（绝缘栅双极晶体管）漏电流增加的原因有多种，以下是对这些原因的分析： 正向电压的增加 ：当IGBT的控制极压加上一定的电压时，例如正向电压，漏结区就会被压缩。这时候漏极和源极之间就会产生
2023-12-13 16:01:59844
844浅谈SiC MOSFET芯片的短路能力
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承诺短路能力，有少数在数据手册上标明短路能力的几家，也通常把短路耐受时间（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us内。
2023-12-13 11:40:56890
890
如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？
有效的热管理对于防止SiC MOSFET失效有很大的关系，环境过热会降低设备的电气特性并导致过早失效，充分散热、正确放置导热垫以及确保充足的气流对于 MOSFET 散热至关重要。
2023-12-05 17:14:30332
332
充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案可用隔离驱动BTD25350
BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42:59
瞻芯电子推出1700V SiC MOSFET助力高效辅助电源
11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，
2023-11-30 09:39:18756
756
如何避免ADG1419的漏电流对被测电流信号的影响？
ADA4530-1的参考电路CN0407能够检测fA级电流，但电路中使用的开关ADG1419的漏电流为nA级，需要什么样的处理来避免ADG1419的漏电流对被测电流信号的影响？谢谢。
2023-11-17 08:23:41
SiC MOSFET的封装、系统性能和应用
点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和 IGBT相比具有显著优势。SiCMOSFET很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应
2023-11-09 10:10:02333
333
电源模块漏电流怎么测试？万用表如何测泄漏电流？
漏电流测试是电源模块安规测试项目之一，目的是为了检测漏电流是否超过了额定标准，防止漏电流过大造成设备损毁，甚至引发电击安全事故。漏电流测试方法多样，纳米软件将带你了解如何用万用表测量电源模块的漏电流。
2023-11-06 15:44:521067
1067
PD放大电路布板时的漏电流处理
PD放大电路布板时的漏电流处理 当PD放大电路处理pA级电流信号，布板时比较随意、没有考虑漏电流的影响，会发生什么呢？ 当PD放大电路处理pA级电流信号时，在布板过程中没有考虑漏电流的影响，可能会
2023-11-06 11:14:17228
228如何优化SiC栅级驱动电路？
点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压
2023-11-02 19:10:01361
361
变频器漏电流滤波器的原理与优势
漏电流是指在电气设备中，电流从电源到设备外壳之间的泄漏电流。变频器漏电流滤波器是一种用于减少变频器漏电流的装置。变频器漏电流滤波器的作用是通过滤波和屏蔽的方式，将漏电流降低到安全范围内，以保证设备的正常运行和人身安全。接下来跟着萨顿斯一起来了解一下变频器漏电流滤波器的原理及优势。
2023-11-02 13:18:50278
278
漏电流是怎么产生的？如何控制漏电流的危害呢？
漏电流是怎么产生的？如何控制漏电流的危害呢？ 漏电流是电器电路中的一种异常电流，指的是在电路中的部分电流从电源发出后，没有按照预定的路径通过相应的负载或元件，而是决定性地流向了地线或其他非目标路线
2023-10-29 11:45:513654
3654车规级功率模块封装的现状，SiC MOSFET对器件封装的威廉希尔官方网站 需求
1、SiC MOSFET对器件封装的威廉希尔官方网站
需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419
419
MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？
MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367
1367硅IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点
Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说，MOSFET更适合高频开关应用，而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401025
1025
什么是SiC MOSFET？
碳化硅，或SiC，作为一种半导体材料，正在逐渐崭露头角，广泛应用于电源电子领域。相较于其他可用威廉希尔官方网站
，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。
2023-09-15 14:22:291250
1250
晶闸管漏电流是什么意思
晶闸管漏电流是什么意思 晶闸管漏电流是电子元件中的一种现象，是指晶闸管在正常工作时，由于制造过程的缺陷以及外部环境的影响等因素，在关闭状态下产生的未被正常导通的电流。这种电流会不断流动，直到晶闸管
2023-09-13 16:39:48779
779如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？
在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55:31347
347
SiC-MOSFET与IGBT的区别是什么
相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566
566
“漏电流”与“泄露电流”的区别
“漏电流”与“泄露电流”两个专业名词十分相似，导致很多工程师对着两个量经常混淆，傻傻分不清楚。 实际上他们之间的实质截然不同，一个是用电器在输入正常电压下的测试，另一个是用电器不同电下，用另外的几千
2023-09-10 10:50:301967
1967
面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔离式单通道栅极驱动
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC威廉希尔官方网站
广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
影响高速SiC MOSFET开关特性的因素有哪些？
碳化硅（SiC）MOSFET支持功率电子电路以超快的开关速度和远超100V/ns和10A/ns的电压和电流摆率下工作。
2023-08-28 14:46:53318
318
y电容与漏电流的计算
y电容与漏电流的计算 电容是电学中的一种重要的元件，它可以在电路中储存电荷，并在需要时将其释放。在许多应用中，电容被用来滤波、稳压，以及作为时序电路的元件。然而，电容也会引起漏电流的问题，影响电路
2023-08-27 16:43:332956
2956车规级！碳化硅(SiC)MOSFET，正式开启量产交付
据介绍，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。
2023-08-23 15:38:01703
703瞻芯电子正式开发第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品
瞻芯电子依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285
1285
为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺威廉希尔官方网站
结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。 合并 PIN 肖特基（MPS）结构可减小漏电流 金属-半导体接面的缺陷是导致 SiC 肖特基二极管漏电流的主要原因。尽管采用更厚的漂移层可减小漏电流，
2023-08-14 16:06:29540
540
SiC MOSFET器件威廉希尔官方网站 现状分析
对于SiC功率MOSFET威廉希尔官方网站
，报告指出，650-1700V SiC MOSFET威廉希尔官方网站
快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高威廉希尔官方网站
成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428
428
SiC MOSFET栅极驱动电路的优化方案
;1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC
2023-08-03 11:09:57740
740
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET
2023-07-18 19:05:01462
462
空调漏电能否用钳表测量漏电流呢？
在空调安装维修时，经常使用钳表测电流，使用方便快捷。在用钳表测电流时，只需要将档位打到适当量程，然后钳住被测电流的线路即可，如下图就是测火线电流的示例。那么，能否用钳表测量漏电流？
2023-06-29 09:29:32643
643
用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器使用指南
点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377
377
SiC MOSFET器件的结构及特性
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间
2023-06-19 16:39:467
7安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 动态特性分析
点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389
389
安森美M1 1200 V SiC MOSFET动态特性分析
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT
2023-06-16 14:39:39538
538
GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管可实现更快的开关瞬变
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si威廉希尔官方网站
中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
LEM替代 | 国产电流传感器如何检测漏电流？
电流传感器能够检测电流，并利用传感器测量出过电流和欠电流的状况。那么对于漏电流，电流传感器是怎么检测到的呢？具体是怎么实现的？ 电流传感器如何检测漏电流 漏电流传感器是一种依据互感器电磁隔离、磁调制
2023-06-13 08:20:11624
624
安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析
点击蓝字 关注我们 SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281
281
SiC MOSFET学习笔记：各家SiC厂商的MOSFET结构
当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32:074304
4304
耐压和漏电流测试区别
在安规测试中，有耐压测试和漏电流测试两项，发现两者的测试连接方式几乎一致，一端接零火线，一端接外壳，而且耐压合不合格看的就是电流有没有小于要求值，两者原理看似一致，为何要分耐压测试和漏电流测试？
2023-06-05 09:09:081912
1912漏电电流和零序电流的区别和联系
漏电电流是指由于电器设备绝缘的破损、老化、安装不良等原因，在电气设备的工作过程中，引起的电流泄露到地线上的电流。漏电电流是指在电气设备的工作过程中，出现了电路的电源线与地线之间的电流泄露现象，通常是由于设备绝缘失效或者绝缘破损所引起。
2023-06-03 09:54:443379
3379如何实现SiC MOSFET的短路检测及保护？
过程中SiC MOSFET的高短路电流会产生极高的热量，因此SiC MOSFET需要快速的短路检测与保护。同时，电流关断速率也需要控制在一定范围内，防止关断时产生过高的电压尖峰。
2023-06-01 10:12:07998
998
SiC MOSFET学习笔记2：短路保护—软关断
想象一个场景：一辆高端新能源车行驶在高速公路上，作为把电池中的直流电转化为交流电送到电机的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你关我开，你开我关
2023-05-30 11:35:071905
1905
优化SiC MOSFET的栅极驱动的方法
在高压开关电源应用中,相较传统的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明 显的优势。
2023-05-26 09:52:33462
462
栅极驱动器以及SiC MOSFET栅极驱动
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。
2023-05-22 17:36:411063
1063
泄漏电流的测试方案分享
泄漏电流是一种普遍存在于电器电子设备中的现象。当设备中的绝缘被破坏或未经充分绝缘而形成的电流，被称为泄漏电流。泄漏电流对电器电子设备正常运行产生了很大的影响。为了保证设备的正常工作，我们需要及时检测泄漏电流。电流探头就是在这个过程中起着重要的作用。
2023-05-18 09:45:211151
1151
如何降低驱动系统漏电流
驱动系统总漏电流由驱动器本身漏电流、电机电缆线漏电流、电机漏电流组成。驱动系统漏电流大小取决于驱动器逆变IGBT的开关频率，逆变IGBT的开关的速度，直流母线电压的幅值，电机的绕组对机壳的分布电容（i=C*dU/dt），因此，IGBT的开关频率由10kHz降低到5kHz时，漏电流明显降低
2023-05-17 10:19:53730
730
测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项：一般测量方法
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14642
642
MOS晶体管漏电流的6个原因
漏电流会导致功耗，尤其是在较低阈值电压下。了解MOS晶体管中可以找到的六种泄漏电流。 在讨论MOS晶体管时，短通道器件中基本上有六种类型的漏电流元件： 反向偏置PN结漏电流 亚阈值漏电流
2023-05-03 16:27:007772
7772
了解短通道MOS晶体管中的漏电流元件
本文介绍了MOS晶体管的基础知识，以期更好地了解此类晶体管中可能发生的漏电流。 MOS晶体管正在缩小，以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致了氧化物厚度的减少，从而降低了MOS器件
2023-05-03 11:33:001279
1279R课堂 | SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法－总结
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02813
813碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管
，单极性反向导通电流是条形花纹排列SBD实现电流的两倍。2.7mΩ・cm2条件下，RonA降低约20%。SiC MOSFET用于电机驱动应用逆变器时，这种经过验证的改进效果是至关重要的。目前正在继续进行
2023-04-11 15:29:18
测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项：一般测量方法
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731
731SiC MOSFET的短沟道效应
在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529
529
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
工商网监
评论