TPS8802 模拟前端（AFE） 接口 评估板
2024-03-14 23:22:14
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块，其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266 对于CCG2 （CYPD2122）+8802 做成的power bank,PD无论是空载还是满载，IPWM和VPWM占空比都是100%，可否改为93%？如果可以话，能否告知在代码哪个地方修改吗？
2024-02-29 07:33:09
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53343 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36294 
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2024-01-15 14:47:23
0 自2021年起，芯联集成与比亚迪在多个领域展开深度合作，涵盖晶圆电力MOSFET、IGBT、Si基MOSFET等功率器件及车载主驱功率模块、模拟IC等多个板块。
2024-01-08 09:36:26194 功率等级的功率转换、更快的开关速度、传热效率上也优于硅材料。 本篇博客探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域，从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。 硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET、氮化镓（GaN）HEMT或
2023-12-21 10:55:02182 据悉，国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的1200V SiC MOSFET产品，部分型号产品已开始供应市场。另一方面，针对比亚迪在内的多方潜在客户，该公司的电动汽车主驱用大功率MOSFET产品正在进行进一步洽谈。
2023-12-12 10:41:48229 碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物，属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。
2023-12-11 11:29:35196 
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258 
功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？
2023-12-03 09:30:40408 
图1显示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品。作为业界最高电压阻断能力（高达4700V）器件的制造商
2023-12-01 11:04:49337 
Si对比SiC MOSFET 改变威廉希尔官方网站
—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 
高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用
2023-11-24 14:57:39195 
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38407 
电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290 一、友商的nRF24L01+不要求芯片底部的金属焊盘接地，Si24R1规格书上也没要求接地，这是因为发射功率较低只有0dbm的情况，当芯片发射功率大于0dbm以后，芯片底部的金属焊盘会有很多白噪声
2023-11-06 10:27:02
MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件，通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过
2023-11-01 08:24:31345 
功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论威廉希尔官方网站
文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
能。❖功率半导体芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，传统Si基和新兴的第三代半导体SiC等，它们的特性受制于其本身的设计，同时也需要看于其搭配的封装材料和
2023-10-24 09:45:033032 
英飞凌科技、现代汽车公司和起亚公司达成了一项为期多年的SiC和Si功率半导体供应协议。英飞凌将建设并储备制造能力，为现代/起亚提供SiC和Si功率模块和芯片，直至2030年。现代/起亚将提供资金支持
2023-10-23 15:40:35436 汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别，MOSFET可以与功率器件上的感测元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说，MOSFET更适合高频开关应用，而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401025 
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
在碳化硅电力电子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC功率器件由于具有耐压高、损耗低、效率高等特点，一直被视为理想器件而备受期待。不过，与以往
2023-09-27 15:37:191392 
电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一种先进的高压威廉希尔官方网站
功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压威廉希尔官方网站
功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55:31347 
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
功率半导体自20世纪50年代开始发展起来，至今形成以二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等为代表的多世代产品体系。新威廉希尔官方网站
、新产品的诞生拓宽了原有产品和威廉希尔官方网站
的应用范围，适应更多终端产品的需求，MOSFET同样衍生出GaN，SiC新型材料的产品去覆盖更高功率密度、更高电压、以及高开关速度的应用场景。
2023-08-31 14:14:071044 
雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压，但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy]，流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
为了划分所涉及的功率并创建可以承受更多功率的器件，开关、电阻器和 MOSFET 并联连接。
2023-08-29 11:47:48302 
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 
2023 年8 月18 日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 供应多款Vishay针对汽车应用设计的产品
2023-08-18 14:56:07372 
用途 PW-8802-2K手动辗压滚轮适用于胶粘带剥离力，持粘性等试验用试件的准备，利用滚轮本身之重量，使试片能完全密合贴于试验板上，以做为粘着保持力与剥离力之用。
2023-08-04 14:56:54
这是600W MOSFET功率放大器的电路图。该电路将为阻抗为 4 欧姆的扬声器提供超过 600 瓦的音频输出。该高功率放大器电路仅在输出级使用6个N沟道MOSFET IRFP450，即可为您提
2023-07-28 17:04:191357 
ZL8802 数据表
2023-07-11 20:10:500 在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 
根据Wolfspeed的最新消息，随着其在纽约州莫霍克谷工厂的投产，Wolfspeed已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET，首批供应的产品型号为C3M0040120K。莫霍克谷器件
2023-07-06 10:35:14373 研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
一般说明SI4606采用先进的沟槽威廉希尔官方网站
，以提供优良的活性氧（导通），低栅极电荷栅极电压低至4.5V的操作。该装置适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。 深圳市奥科迪科技有限公司
2023-07-05 17:37:140 MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37974 
PS8802-1,-2 数据表
2023-07-03 19:51:050 ，需要更多的制造测试能力。除了成熟的半导体ATE供应商之外，许多公司正在开发产品以满足功率MOSFET测试需求。
2023-06-30 11:26:16878 
功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
供应DP4021反激副边同步整流芯片内置60V功率MOSFET，提供DP4021规格书关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-15 17:08:092 UTC 10N65-ML是一款高压功率MOSFET，它结合了先进的沟槽MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通状态电阻和高崎岖雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
2023-06-14 16:45:450 Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光电压输出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通过 AEC-Q102 认证 开关速度和开路输出电压（8.5V）达到业内先进水平 Vishay 推出一款业内先进的新型汽车级光伏 MOSFET 驱动器
2023-06-08 19:55:02374 
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
我们将讨论设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数，还分析了双极结型晶体管（BJT）和MOSFET特性之间的差异，并了解了为什么MOSFET更适合功率放大器应用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737 
Vishay MCB ISOA 器件通过 AEC-Q200 认证 采用 SOT-227 小型封装 可直接安装在散热器上 具有高脉冲处理能力 功率耗散达 120 W Vishay 推出一款通过
2023-06-03 08:25:02533 
Vertical MOSFET（垂直MOSFET） 5. Power MOSFET（功率MOSFET） 6. Junction Field Effect Transistor (JFET)（结型场效应晶体管
2023-06-02 14:15:36937 以对 MOSFET 使用单个控制输入。这种拓扑结构中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A时表现出小于0.1V的压降，并且两个MOSFET都采用SO-8封装。
2023-05-31 17:49:243200 
1.基本参数对比 以上图片是成都亿佰特科技有限公司基于SI4463、SI4438和SI4432三款芯片设计的相关产品，上述列表是基于三款产品的测试据。 2.功能简述 SI4432 ： SI
2023-05-31 15:54:430 在这篇文章中，我们将讨论设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数。我们还分析了双极结型晶体管（BJT）和MOSFET特性之间的差异，并了解了为什么MOSFET更适合功率放大器应用并使其更有效。
2023-05-24 17:25:422111 
。与其他类型的晶体管相比，MOSFET具有更高的功率密度，这是一个明显的优势。此外，与BJT（双极结型晶体管）相比，MOSFET需要最少的输入电流来控制负载电流。
2023-05-24 11:19:06720 分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
基于Siliconix应用以及串联插入运算放大器驱动器电压供应商的2个电阻的电压变化。MosFET晶体管必须安装在至少1K/W的散热器上。
2023-05-23 16:50:331164 
同步整流威廉希尔官方网站
就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流威廉希尔官方网站
,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
ZL8802 数据表
2023-05-15 19:00:100 功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义，失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的数据手册中会有一个看似复杂的SOA（Safe Operation Area）图片，这个安全工作区域图告诉我们只有MOSFET工作在曲线内才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA图。
2023-05-15 16:16:311174 
数据手册就是电子元件的使用说明书，在电路设计之前，十分有必要通读数据手册，并了解产品的重要性能参数。在MOSFET的数据手册中极限值表格中的总功率损耗Ptot就是一个十分有趣的参数。说它有趣是因为
2023-05-15 16:10:25626 
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
R1LV0816ABG-5SI 7SI 数据表
2023-04-20 18:42:210 碳化硅（SiC）器件是一种新兴的威廉希尔官方网站
，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161468 DRV8802 1.6A DUAL BRUSHED DC MOT
2023-04-06 10:22:12
EVAL BOARD FOR AP8802
2023-03-30 11:57:30
EVAL BOARD FOR AP8802
2023-03-30 11:57:30
EVAL BOARD FOR AP8802
2023-03-30 11:57:30
EVAL BOARD FOR AP8802H
2023-03-30 11:57:30
EVAL MODULE FOR DRV8802
2023-03-30 11:41:24
88732-8802
2023-03-29 21:35:39
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
2023-03-28 22:20:30
SC8802QDER
2023-03-28 18:10:07
PS8802-1-F3-AX
2023-03-28 13:22:31
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