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东芝计划减产NAND闪存芯片30%
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减产有成效，Q4三星NAND Flash要涨价10%，加速存储市场反弹
对NAND闪存以及DRAM减产。 在今年第一季度财报中，半导体业务暴亏4.58万亿韩元（约合249亿元人民币）后，三星改变了此前“不减产”的承诺，表示将调整存储芯片产量。经过半年多的减产等调控措施，从近期包括三星在内的多家存储大厂的动作来看，存
2023-10-08 09:01:37
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2444NAND存储种类和优势
非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:1513
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三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216
216铠侠提升NAND闪存产能利用率
据最新报道，全球领先的NAND闪存制造商铠侠已决定重新审视其先前的减产策略，并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期。
2024-03-07 10:48:35263
263铠侠终止减产或致NAND芯片市场再动荡
据统计，铠侠是全球第二大NAND芯片制造商，市场份额约为15%-20%，紧随其后的是韩国的三星。面对之前NAND报价持续下跌的困境，铠侠率先采取了减产策略，幅度达到了三成。
2024-03-05 09:23:51143
143什么是NAND 型 Flash 存储器？
的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了 NAND Flash 结构,后者的单元电路尺寸几乎只是 NOR 器件的一半,可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 1.NAND
2024-03-01 17:08:45158
158
铠侠NAND产能预计恢复90%，减产策略或面临调整
2022年10月起，铠侠已经减少了在日本四日市和北上市两家工厂的NAND晶圆投片量达30%。截至目前，铠侠NAND生产已恢复至原厂产能的两成左右。
2024-03-01 13:53:55159
159铠侠重启减产评估，计划增产电子设备闪存
至此之前，铠侠曾于2022年10月宣布，因智能手机及电脑需求下滑，已对北上工厂（岩手县北上市）以及四日市工厂（三重县四日市市）的产出进行了削减，降幅达到了大约30%。
2024-03-01 09:10:54130
130Tech Talk：解读闪存原理与颗粒类型
NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器，存在于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。而随着电脑终端、企业存储、数据中心、甚至汽车配件等应用场景要求的多样化
2024-02-05 18:01:17418
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江波龙首颗自研NAND闪存问世
江波龙首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日问世。该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上。
2024-02-01 15:08:48361
361CS 创世SD NAND FLASH 存储芯片，比TF卡更小巧轻便易用的大容量存储，TF卡替代方案
闪存威廉希尔官方网站
，通常用于存储数据，并且具有一些额外的安全特性。这种威廉希尔官方网站
结合了 NAND 闪存的高密度存储能力和安全性能。它通常用于存储数据，如图像、视频、音频、文档等，同时具备保护数据免受未经授权访问或篡改
2024-01-24 18:30:00
CS 创世SD NAND FLASH 存储芯片，比TF卡更小巧轻便易用的大容量存储，TF卡替代方案
文章目录介绍创世SD卡引脚与NORFlash存储比较介绍SDNANDFLASH（SecureDigitalNANDFlash）是一种安全数字NAND闪存威廉希尔官方网站
，通常用于存储数据，并且具有一些额外的安全
2024-01-24 18:29:55373
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NAND芯片报价逐季上涨，盛景回归
近半年来，NAND芯片的报价一路上涨，市场价格节节攀升，据市场传闻，这一涨势预计将在年底前持续，累计涨幅甚至有望高达六成，这对于存储芯片厂商来说，将是一场喜人的利润盛宴。 经历了2022年下
2024-01-24 15:24:53152
152正点原子emmc和nand的区别
）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一种嵌入式多媒体控制器，它为移动设备（如智能手机和平板电脑）提供了一种高性能的存储解决方案。它包括一个闪存控制器、一个NAND闪存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597
597什么是SD NAND存储芯片? SD NAND与TF卡的区别
什么是SD NAND？它俗称贴片式T卡，贴片式TF卡，贴片式SD卡，贴片式内存卡，贴片式闪存卡，贴片式卡...等等。虽然SD NAND 和TF卡称呼上有些类似，但是SD NAND和TF卡有着本质上的区别。
2024-01-06 14:35:57861
861
什么是SD NAND存储芯片?
和NAND闪存芯片，支持 ECC (Error Correcting Code) 算法和坏块管理，能有效地降低数据丢失的风险。
高速读写：SD NAND的读写速度比硬盘慢，但通常比SD卡和SPI
2024-01-05 17:54:39
东芝暂时关闭NAND闪存工厂！
1月4日消息，据外媒报道，日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门，受影响的公司包括东芝、环球晶圆（GlobalWafers）、Murata等。
2024-01-05 09:51:57189
189
提高3D NAND闪存存储密度的四项基本威廉希尔官方网站
增加3D（三维）NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度威廉希尔官方网站
的基本威廉希尔官方网站
预计将在不久的将来达到其极限。2025 年至 2030 年间，新的基础威廉希尔官方网站
的引入和转化很可能会变得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243
243
【MCU】SD NAND芯片之国产新选择
：
大家好，请问有没有SD卡芯片，可以直接焊接到PCB板上的。
项目需要保存900M以上字节，nand flash 比较贵。或者有什么便宜的存储芯片提供。谢谢！
传统做法无非如下几种：
用eMMC芯片
2023-11-23 17:25:18
简单认识闪速存储器
器 （NAND Flash)。闪存器于1980 年由在东芝工作的日本工程师 Fujio Masuoka 发明并获得 1997 年 IEEE 的奖励。1988 年 Intel 发布了最早的或非闪存器产品
2023-11-23 09:36:17909
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NAND Flash终于涨价了，2021年来首次
尽管需求复苏仍然缓慢，但减产推动了价格上涨。由于无法承受亏本销售，供应商已将减产幅度扩大到低于成本的水平。事实上，据报道三星电子将在明年上半年将 NAND 产量削减幅度扩大到 40% 至 50%。
2023-11-22 17:25:45825
825CS创世SD NAND的存储芯片应用方案
前言:
很感谢深圳雷龙发展有限公司为博主提供的两片SD NAND的存储芯片，在这里博主记录一下自己的使用过程以及部分设计。
深入了解该产品：
拿到这个产品之后，我大致了解了下两款芯片的性能
2023-11-15 18:07:57
NAND出货减少，拖累铠侠Q3营收大减38%
铠侠公司为应对存储芯片价格的持续下跌，从2022年10月开始采取了将晶片减产30%的措施。2023年q3的nand闪存价格将比q2上涨5%至9%，出货量将比前一个月减少10至14%。以美元为准，nand闪存价格将比前一个月上涨0至4%。
2023-11-15 10:17:03335
335存储芯片价格上涨已从DRAM扩大到NAND闪存 明年上半年预计上涨超过10%
但是，存储芯片大企业的价格已经出现上涨迹象。还有外电报道说，已经从dram开始的存储器价格上升趋势正在扩大到nand闪存。
2023-11-13 14:53:28487
487东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET适用于电池组保护
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459
459东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护
中国上海， 2023 年 11 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备
2023-11-09 15:19:57663
663
三星闪存每个季度都要涨价20％
在此之前，三星、sk海力士、美光、皮协因需求严重疲软而采取了大规模减产措施，三星也在今年4月公布了闪存第一次减产计划后延长了减产计划。
2023-11-03 12:14:35538
538三星西安厂计划将NAND工艺升级为236层 明年初更换设备
据业界2日透露，三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造，将目前正在生产的128段（v6） nand闪存生产线扩大到236段（v8）。三星决定从明年初开始更换设备，并向业界通报了到2025年分阶段完成的目标。
2023-11-03 11:48:031140
1140三星喊NAND季季涨价20% 幅度超预期有利群联、威刚等运营
据多名半导体业界消息人士称，三星继本季度将nand闪存价格上调10至20%后，决定明年第一季度和第二季度也分别上调20%。三星电子正在努力稳定nand闪存价格，试图在明年上半年逆转市场。
2023-11-02 10:35:01523
523第四季度DRAM和NAND全面涨价，成本上涨约30%
从2024年第四季度开始，DRAM和NAND闪存的价格将全面上涨，这已经导致国内存储器下游企业的闪存采购成本上涨了近20%，而内存采购成本上涨了约30%。
2023-10-17 17:13:49793
793中芯国际“NAND闪存器件及其形成方法”专利获授权
中芯国际方面表示：“nand闪存凭借较高的单元密度和存储器密度、快速使用和删除速度等优点，已成为广泛使用在闪存上的结构。”目前主要用于数码相机等的闪存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265
265三星西安工厂将引进236层NAND芯片生产设备
三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一，在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下，在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气低迷和半导体景气低迷的影响，三星nand的销量增加，从而使亏损扩大。
2023-10-16 14:36:00832
832韩国NAND闪存芯片出口额恢复增长
据韩国贸易部16日公布的资料显示，韩国9月份的nand闪存出口额比去年同期增加了5.6%，但8月份减少了8.9%。存储器半导体业界的另一个支柱——3.3354万dram的出口在同期减少了24.6%。这比上个月的35.2%有所减少。
2023-10-16 14:17:21244
244有媒体报道称，内存和闪存价格将分别上涨30%、20%
日前有媒体报道称，受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响，内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。
2023-10-16 11:13:05452
452兆易创新“一种NAND闪存芯片的测试样本”专利获授权
根据专利摘要，本发明实际公开了nand闪存芯片的测试样本，测试样本由多个相同的样本区域组成，每个样本区域包含多个相邻的数据块。相邻的几个数据块会测试不同的擦除次数。在多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间的间隔预先设定相邻数据块的数量。
2023-10-13 09:47:33313
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NAND Flash四季度涨幅预计10%以上
三星内部认为当前NAND Flash供应价格过低，计划从今年四季度开始调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅预计在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818
818三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资
平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道，三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片，但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762
762NAND FLASH与NOR FLASH的威廉希尔官方网站 对比
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存威廉希尔官方网站
，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468
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传NAND Flash厂铠侠拟裁员 鼓励提前退休
避难是在智能手机、电脑、数据中心等使用储存装置“nand闪存”的企业，由于存储器市场的需求减少，企业纷纷减产，因此预计到2024年以后需求才会恢复。
2023-09-22 10:13:24683
683DRAM芯片价格有望随NAND温和上涨
据消息人士透露，nand闪存价格从第三季度初的最低点开始逐渐反弹，到目前为止已经上涨了10%以上。他表示：“nand价格上涨将为dram价格上涨营造有利的市场氛围。存储器模块制造企业正在密切关注dram价格反弹的时间。
2023-09-20 10:19:50503
503三星再次减产，刺激DDR4价格上涨
主要专注于DDR4市场的公司，如南亚科（2408）和华邦电（2344），有望从中受益。 在上半年，由于存储市场不景气，三星已经采取了减产措施，涵盖了NAND Flash和DRAM领域。下半年，三星计划继续减产DRAM，特别是DDR4，以期在今年年底之前将DDR4存货水平调
2023-09-15 17:42:08996
996NAND Flash第四季价格有望止跌回升，最高上涨5%
业内人士说：“nand闪存价格将比dram快反弹”，“nand闪存供应商们的赤字继续扩大，因此销售价格正在接近生产成本，供应商们为了维持运营，扩大减产，价格停止下跌，反弹率领的”。
2023-09-11 14:56:17508
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NOR Flash价格持续走低，三星NAND减产有望利好
业界认为，三星电子的减产可能会带来3d nand价格上涨的效果，从而可能会改变nor、slc nand的购买战略。美国外国人认为，slc nand和nore产品第四季度不会上调价格。
2023-09-11 11:35:04953
953浅析NAND闪存工艺
闪存芯片是非挥发存储芯片，广泛用于电子产品，特别是如数码相机、MP3播放器、手机、全球定位系统(GPS)、高端笔记本电脑和平板电脑等移动电子产品的存储应用。
2023-09-11 09:32:31833
833
存储芯片减产，AI芯片暴增！
来源：电子工程专辑 编辑：感知芯视界 过去近两年来，受消费电子市场需求疲软等因素影响，存储芯片产业游进入库存过剩、订单减少、价格暴跌的“寒冬”。三星、美光、SK海力士、铠侠等存储芯片大厂纷纷减产
2023-09-08 10:36:16442
442三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281
281三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片
最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack威廉希尔官方网站
。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程威廉希尔官方网站
。
2023-08-18 11:09:05997
997中国大陆存储器模组厂暂停报价，NAND或调涨8~10%
消息人士补充说：“尽管nand闪存价格上涨，但中国存储器模块企业最近停止了价格供应和订单。预计不久就会上调价格，因此模块企业计划将价格上调8至10%。”
2023-08-18 09:47:25285
285三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产
三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中，由于市场持续低迷，三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:58422
422NAND存储芯片厂商掀起减产浪潮
由于长期nand型需求没有得到恢复，铠侠将在日本岩手县其他场建设的生产工厂的启动时间从当初的2023年推迟到了2024年以后。另外，成套设备的交货也在推迟。
2023-08-14 10:06:52283
283SD NAND FLASH : 什么是pSLC?
使用寿命。该芯片几乎达到了协议的最高理论速度（25MB/s），连续读取最高速度可以到达20.6MB/s,连续写入最高速度可以达到19.4MB/s。
pSLC SD Nand在文件传输时无论是大文件还是
2023-08-11 10:48:34
SK海力士发布全球首款321层NAND！
SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47704
704140亿美元！东芝收购案新进展
据悉，此次要约收购将持续30天，直至9月20日，在此期间，JIP牵头的财团计划收购东芝4.32亿股股票中的至少三分之二。收购要约价格为32.54美元，总价高达140亿美元。
2023-08-08 15:30:331087
1087传感器企业罗姆将出资 3000 亿日元联合收购东芝
人民币），东芝董事会已批准要约并向股东提交退市计划。 据日经报道，日本芯片制造商罗姆公司在周二的董事会上宣布，将向 JIP 牵头的财团提供总计 3000 亿日元的资金，用于拟议收购东芝。 据称，如果收购成功，该公司将向 JIP 领导的投资基金投资 1000 亿日元，还将购买为收购而设立的关联公司发行的 200
2023-08-03 18:35:10342
342pSLC闪存介绍：高性能和耐久性的闪存解决方案
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三星或提高512Gb NAND闪存晶圆报价 涨幅为15%
据《电子时报》报道，三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元，比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示，由于上下nand闪存的库存缓慢，很难说服上调价格。
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2023-08-02 08:15:35790
790
pSLC闪存的原理、优势及应用
在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND 闪存威廉希尔官方网站
作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟 SLC（pSLC）闪存威廉希尔官方网站
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【贴片SD Card介绍】贴片式tf卡/SD NAND/SD2.0协议
官方网站：深圳市雷龙发展有限公司
目前雷龙发展代理的 SD NAND 已可在立创商城搜索到，其详情页也附有手册。
芯片简介
芯片外观及封装
实拍图：
根据官方文档介绍，此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18
芯科普 | 一文了解 NAND 闪存威廉希尔官方网站 的发展演变
对 NAND 存储器的需求也大幅增加。从移动或便携式固态硬盘到数据中心，从企业固态硬盘再到汽车配件， NAND 闪存的应用领域和使用场景愈发多样化，各种要求也随之出现，常见的譬如更高的读写速度、最大化的存储容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424
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SSD价格还要继续大跌：再降13％
据集邦咨询最新研究报告，随着原厂减产幅度持续扩大，实际需求依然不明朗，NAND闪存市场在第三季度仍将处于供过于求的状态，SSD价格也将继续走低。
2023-07-24 11:12:25916
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基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25%
基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
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864苹果闪存和固态硬盘的区别 固态硬盘为什么不建议分区
苹果闪存和SSD都基于闪存威廉希尔官方网站
，但存在一些细微差别。苹果闪存是专为苹果产品而开发的，使用NAND（非易失性闪存）芯片威廉希尔官方网站
，而SSD可以是通用的，采用不同类型的闪存芯片，如NAND、MLC（多级单元）或TLC（三级单元）。
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NAND闪存，所有主要闪存制造商都在积极采用各种方法来降低闪存的每位成本，同时创造出适用于各种应用的产品。闪存制造商还在积极展开研究，期望能够扩展3D NAND闪存的垂直层数。虽然15nm似乎是NAND闪存目前能够达到的最小节点，但开发者
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各家3D NAND威廉希尔官方网站 大比拼 被垄断的NAND闪存威廉希尔官方网站
随着密度和成本的飞速进步，数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此，与半导体行业的其他产品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
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三星：2030年3D NAND将进入1000层以上
三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
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美光称，2023 年的行业需求预测目前较低，但整个行业供应量的大幅减少已开始稳定市场。去年 11 月份，美光宣布将存储芯片减产 2 成。财报内容显示，美光专注于库存管理和控制供应，近期将 DRAM 和 NAND 晶圆开工率进一步减少至近 30%，预计减产将持续到 2024 年。
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美光公司表示，虽然2023年业界需求预测还处于较低水平，但业界整体供应量大幅减少正在稳定市场。去年11月，美光公司宣布将存储器半导体减产20%。据业绩内容，美光公司致力于库存管理和供应调节，最近将dram和nand晶片的开工率减少了近30%，并预测减产将持续到2024年。
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NAND闪存特点及决定因素
内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001982
1982今日看点丨三星酝酿 NAND 存储晶圆涨价；台积电先进封测六厂正式启用
1. 消息称三星酝酿 NAND 存储晶圆涨价，报价渐趋强硬 据报道，三星计划提高 NAND 晶圆价格。此外，如果消费电子市场需求在下半年改善，NAND 晶圆合约报价或将回升。报道称，韩国
2023-06-09 12:01:041114
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QLC闪存 D5-P5430的基本规格、性能表现
SK海力士收购Intel NAND闪存业务重组而来的Solidigm，就发布了一款QLC闪存的企业级产品P5-D5430，可以说是QLC SSD的一个代表作。
2023-06-09 10:41:43489
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SK海力士量产世界最高238层4D NAND闪存
sk海力士表示：“以238段nand闪存为基础，开发了智能手机和pc用客户端ssd （client ssd）解决方案产品，并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品，在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:531564
1564请问ESP8285芯片(Soc) 是否带有内置闪存？
ESP8285 芯片（Soc）是否带有内置闪存？如果是，我们可以使用带有内置闪存的 ESP8285 芯片（Soc）通过 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作为 WiFi 连接
2023-06-05 08:31:11
三种不同的存储芯片性能比较
为了进行性能比较，使用了三种不同的存储芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR闪存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND闪存。
2023-05-31 17:14:24788
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如何将引导加载程序预刷到外部闪存芯片？
时下载最新的固件。
然后，OTA 引导加载程序将由分销商闪存到芯片上（digikey 对此报价为每个芯片约 0.15 美元......但可能会继续寻找更便宜的......）所以我们将通过卷轴收到
2023-05-29 08:21:45
NAND闪存 – 多芯片系统验证的关键元件
NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元（SLC）闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元（MLC），闪存可以为每个单元存储两个或更多位，因此位密度会增加
2023-05-25 15:36:031193
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如何在带有spi的iMX RT 1052上使用NAND闪存？
我想知道是否有人在 RT1052 或类似的东西上使用过 NAND FLASH。
因为我试图将它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我没有看到任何关于它的示例。
2023-05-18 06:53:45
GD25Qxx芯片解读
NORFlash是一种非易失闪存威廉希尔官方网站
，是Intel在1988年创建。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存威廉希尔官方网站
。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些，而NAND
2023-05-15 09:18:591240
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MCU Boot Utility是否支持此串行NAND？
我试图让 RT1052 从外部 QSPI NAND 闪存 W25N01GVZEIG 启动。我们选择了RT1050参考手册中提到的这个NAND flash。我还附上了数据表。
我还使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
8倍密度，像做3D NAND一样做DRAM
Semiconductor。 X-NAND 相信去年的闪存峰会上，除了铠侠、SK海力士、长江存储、三星等大厂所做的威廉希尔官方网站
分享外，大家也都注意到了这家名为NEO Semiconductor的初创企业。这是一家专为NAND闪存和DRAM内存开发创新架构的厂商，其去年推出的X-NAND第二代威廉希尔官方网站
，允许3D NAND闪存
2023-05-08 07:09:001982
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imx28无法从NAND启动并进入USB恢复模式怎么解决？
- 我的任务是找出根本原因并解决基于 imx28 的定制设计板中的问题。
- imx28 无法从 NAND 启动并进入 USB 恢复模式。
- 将 NAND 闪存更改为不同的 NAND 闪存后
2023-04-27 06:50:47
如何启动IMX6ULL NAND闪存？
我正在尝试启动 IMX6ULL NAND 闪存。供您参考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功启动了 IMX6ULL NAND 闪存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND Flash的最大尺寸是多少？
大家好， 我们计划在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我们可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少？ 根据手册，它表示支持每个区域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
什么是3D NAND闪存？
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147
2147XIP是否通过QSPI支持NAND闪存？
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我对内存使用有一些疑问： XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存？如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动，则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
工商网监
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