罗姆阿波罗工厂新建 SiC 功率器件生产设施

日本筑后罗门阿波罗工厂增建了一座新厂房，旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生产能力。这个新工厂包括工厂自动化和可再生节能威廉希尔官方网站 ，以实现更绿色的制造过程。

在接受 EE Times 采访时，罗姆半导体美国公司总裁 Jay Barrus 和威廉希尔官方网站 营销经理 Ming Su 强调了 SiC 威廉希尔官方网站 如何在 电动汽车 (EV) 和工业设备中发展，以及罗姆如何继续投资于这一领域区域。Barrus 和 Su 表示，罗姆正在努力通过增加晶圆尺寸直径来提高制造效率

“从一般的角度来看，要成为可靠的供应商，需要考虑三个因素：威廉希尔官方网站 、成本和供应可用性，”巴鲁斯说。“后者在今天不是什么大问题，但可能会在未来几个月发挥作用。我们最近宣布阿波罗工厂已经启动并运行，我们期待未来的生产会有好的进展。”

“价格不仅是我们认为在市场上真实存在的东西；我们认为它是某些应用程序的关键元素，”他补充道。“我们正在为我们的客户提供碳化硅的威廉希尔官方网站 优势和成本结构，以转向碳化硅。”

除了这座新大楼，制造 SiC 晶片的罗门集团公司 SiCrystal GmbH 将开始使用 100% 可再生能源进行生产，从而 将工厂购买能源所产生的 CO 2排放量减少到零。“所有主要的 SiC 晶圆生产工艺都将使用可再生能源，”Barrus 说。

杰伊·巴鲁斯

碳化硅设施

罗姆的阿波罗工厂采用尖端威廉希尔官方网站 生产碳化硅解决方案。自动化的重要性涉及 SiC 制造流程中的工业 4.0 方法，其中高效的基板制造决定了所有最终设备的成功。“我们的新设施有两个主要特点，”巴鲁斯说。“首先，在我们所在的地区，我们必须注意地震。日本作为一个整体，一直对此非常敏感，在这种情况下，这家工厂的设计不仅是为了生产效率，更重要的是为了人们的安全。另一个有趣的事情是通过可再生资源为建筑物供电，这表明我们是一家对环境负责的公司，并且我们以极低碳足迹的方式管理设施。”

“在应用方面，我们正在大力推进汽车和工业市场，”他补充道。“在汽车方面，我们正在利用牵引逆变器和车载充电器等常见设备解决车辆电气化的关键应用。”

在传统的车载充电系统中，有一个桥式整流器将输入的交流电压转换为直流，但在整流过程中，存在高导通、功率转换阶段的开关损耗和发热问题。

对于 SiC 模块，Rohm 指出，材料选择是提供最佳热性能的重要因素。“传统上，电源模块使用基于氧化铝陶瓷的 PVC，”苏明说。他补充说：“但现在，人们想要使用更昂贵的具有更高导热性的陶瓷材料，例如氮化硅，因此我们可以确保适当尺寸的芯片能够处理最大可能的电流，而不会影响寄生元件和各种限制开关速度的电感。”

苏明

目标是提供下一代 SiC MOSFET 以优化性能。由于相对于IGBT的体积和竞争力，苏指出仍然需要成本优化。苏明表示：“我们计划在今年年底前推出新一代量产车型，以支持电动汽车的生产。”

“该公司的第四代 SiC MOSFET 在更薄的 SiC 芯片上使用双沟槽 MOSFET 结构，将 R DS(ON) 降低了 40%，”Barrus 说。“对于高功率系统，MOSFET 芯片级增加的电流密度将与 SiC 芯片两侧的焊接和银烧结兼容性相结合，以通过灵活的模块封装实现更高的功率循环可靠性和更好的热性能。”

IGBT牵引逆变器还是有市场的，尤其是对于更传统的混合动力汽车。SiC 将比 IGBT 更昂贵，但与 IGBT 的进步相比，它肯定可以提高整体效率。“我们正在使用 6 英寸晶圆优化 SiC 的生产效率，”苏说。“而且在未来，我们肯定已经做好了进一步准备和升级到 8 英寸晶圆的准备工作，这将提高生产力并降低每个芯片的成本。”

功率 MOSFET 中的 SiC 与其硅版本对应物相比具有一系列优势，例如更高的导电性、更快的开关速度和更低的功率损耗。它还可以在更高的温度和电压下运行。凭借这些优势，它提高了功率 MOSFET 的效率和功率密度。

碳化硅肖特基二极管提供比硅版本更高的开关性能、更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。这些二极管提供最小的反向恢复、低正向压降、浪涌电流能力、高额定电压和正温度系数。

新型二极管面向各种应用的电源转换器设计人员，包括光伏太阳能逆变器、电动汽车充电器、电源和汽车应用。与硅相比，它具有更低的漏电流和更高的掺杂。

另一方面，碳化硅二极管面临的挑战是在性能方面差异化并提供非常优惠的价格。Rohm 提供 1,200-V 和 650-V 解决方案。最新的肖特基势垒二极管产品包括 JBS 结构，它在芯片内部嵌入 pn 结，使我们能够抑制断态漏电流并提高浪涌电流处理能力。“该产品目前提供 650 V 作为我们的第 3 代碳化硅二极管，很快，我们还将推出 1,200 V，”苏明说。

“我们的 SiC 产品线从 650 V 开始，最高可达 1,700 V；对于 GaN 器件，业界关注的是 600 或 650 V，”Su 说。“我们优先考虑 150 V 的 GaN 开发，这将应用于一些基站应用和其他支持 40 至 48 V 总线架构的电源转换器。”

在宽带隙半导体领域，金刚石是另一种具有多种最高级特性的材料，包括无与伦比的导热性、高电荷载流子迁移率和高电场击穿强度。金刚石的物理特性为高功率电子威廉希尔官方网站 在交通和能源领域的应用提供了巨大的潜力。目前，这方面的研究正在进行中。

审核编辑 黄昊宇