(PFC)级。该 PFC 级 具有 配备集成式驱动器的 TI LMG341xGaN FET,可在宽负载范围内实现高效率,并且符合80 Plus Titanium 要求。该设计还支持半桥 LLC 隔离式
2020-06-22 18:22:03
600w的半桥设计图
2015-08-05 15:54:22
Mos管代替上图中两个串联的MOS,三电平变换器简化成传统两电平全桥变换器,如下图。 同时,我们将开关频率设定到160KHz,减小了磁性器件和整个变换器的体积。 8KW 碳化硅全桥LLC解决方案
2018-10-17 16:55:50
效率耐高温,允许使用较小的散热器高度集成,允许在芯片上集成GaN HEMT(与硅材料不同)较少BOM材料,简化设计方案,在电机驱动方案中GaN HEMT可以处理各种电流,而不需要IGBT所需的反向二极管
2019-07-16 00:27:49
额定击穿电压器件中的半导体材料方面胜过Si.Si在600V和1200V额定功率的SiC肖特基二极管已经上市,被公认为是提高功率转换器效率的最佳解决方案。 SiC的设计障碍是低水平寄生效应,如果内部和外部
2022-08-12 09:42:07
GaN和MOS与理想开关波形的对比
Class D应用中的关键拓扑是半桥逆变电路,通过半桥GaN器件的互补导通从而可以逆变输出对应的交流信号。为验证三安集成200V 20mΩ GaN EHEMT器件在逆
2023-06-25 15:59:21
环路电感比较高时,栅极应力与器件关断保持能力之间的均衡和取舍很难管理。你必须增加栅极应力,或者允许半桥直通,这会增加交叉传导损耗和电流环路振铃,并且会导致安全工作区 (SOA) 问题。一个集成式GaN
2018-08-30 15:28:30
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
LM5036是一款高度集成化的半桥PWM控制器,集成了辅助偏置电源,为电信,数据通信,工业电源转换器提供高功率密度解决方案。LM5036包含使用电压模式控制实现半桥拓扑功率转换器所需的所有功能。 该
2019-08-23 04:45:06
半桥功率放大电路以图腾柱驱动Vmos功率管。。。Vmos只要漏极加电压30V,立马上管驱动信号大变样,如图所示,黄色是下管驱动信号,蓝色是上管驱动信号,本来应该是互补的,结果上管的驱动信号低电平部分竟然维持不了。。。下图是半桥的输出信号
2014-07-25 09:49:56
半桥和全桥式的开关电源有什么优缺点
2021-03-11 07:39:42
半桥焊机(IGBT /二极管)器件选择指南评估板。各种拓扑结构,包括两个SW正向,半桥和全桥,已用于低压/大电流DC-ARC焊接机,以最大限度地提高系统效率并提高效率。在这些拓扑结构中,半桥最常用于小型,低于230A的焊接机
2020-04-13 09:52:57
) 可跟随半桥中点电压的浮动接地。 4) 足够的驱动强度。 5) 紧凑的解决方案。 6) 合理的价格。栅极驱动变压器最早有一种提供隔离式栅极信号的解决方案使用栅极驱动变压器,比如图3中的系统。在该系
2018-10-16 13:52:11
使用两个半桥驱动芯片组成H桥驱动电路驱动电机开关门,目前发现存在半桥驱动芯片IR2103S损坏的情况,而且损坏是该芯片的5脚无法输出高低电平,但7脚仍能输出PWM波,不知道是什么情况,另外这个自举电容我看之前版本用的10uF钽电容,需要用这么大容量的电容吗?会不会电容放电损坏了芯片呢?
2018-12-18 14:36:20
半桥驱动电路通过 SPWM 已经能生成正弦波了,请问一下各位大神,能不能修改程序生成半波啊
2023-05-09 13:21:57
可以理解成半桥就是在拓扑上,把全桥拓扑取其一半吗?如果全桥是2个桥臂4个开关管,那么半桥就是1个桥臂2个开关管?推挽电路和半桥电路是等价的吗?还有桥式电路也分桥式整流和桥式逆变吧?谢谢!
2020-07-20 08:10:11
FSFR1800电源开关(FPS)在半桥谐振变换器中的典型应用。 FSFR系列包括专为高效半桥谐振转换器设计的高度集成的功率开关
2020-06-15 16:18:50
■ 产品概述LN4318 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的 250V高压三相栅极驱动器,具有三路独立的高低边输出,可以用来驱动半桥电路中的高压大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4318
2021-06-30 10:07:13
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达200伏。特性:·完全运行至+200 V·栅极驱动电源范围为10 V至20 V·欠压锁定
2021-05-11 19:41:22
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计,具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
解决方案中,从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识,TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试,并且建立了一个能够实现基于GaN电源设计的生态系统。 GaN将在电源密集
2018-09-11 14:04:25
GaN威廉希尔官方网站
融入到电源解决方案中,从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识,TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试,并且建立了一个能够实现基于GaN电源
2018-09-10 15:02:53
推荐课程:史上最全张飞半桥LLC电源教程,60小时深度讲解半桥串联谐振软开关电源设计http://t.elecfans.com/topic/65.html?elecfans_trackid=whm 一直觉得ST 的AN2450写的挺好,读了两遍,把它翻译成中文和大家分享一下注资料来自网络资源
2019-05-24 22:53:35
置于与光耦合器相同的封装中,因而一般需要两个独立的光耦合器栅极驱动器IC来构成完整的隔离式半桥,结果使解决方案的物理尺寸变大。另需注意的是,两个光耦合器即使封装在一起,也是是独立制造的,从而限制了匹配
2018-07-03 16:33:25
张兴柱-不对称半桥变换器中的高频变压器设计公式
2023-09-19 07:57:12
在PWM和电子镇流器当中,半桥电路发挥着重要的作用。半桥电路由两个功率开关器件组成,它们以图腾柱的形式连接在一起,并进行输出,提供方波信号。本篇文章将为大家介绍半桥电路的工作原理,以及半桥电路当中应该注意的一些问题,希望能够帮助电源新手们更快的...
2021-11-16 06:35:30
案例中,这样的平台需要进行一定的调整以满足汽车制造商的需求。而使用FPGA可以快速实现低成本桥接解决方案,使得现有平台能够完美应用于汽车领域。
2019-07-23 07:57:39
LMG1020。在此处查看演示:如下图和上图中所示,该GaN驱动器具有1ns 100W光输出的能力。这是演示中的脉冲激光开发板:这是带有最少外部组件的简单应用图:LMG1210半桥GaN FET驱动器TI
2019-11-11 15:48:09
单相半桥逆变器仿真技巧,1. 拓扑与控制 单相半桥逆变器拓扑如下: 电压环和电流环控制图如下: 调制方式如下:2. 仿真步骤 单相半桥逆变器的仿真应该遵循以下步骤:(1)选择合适的滤波电感
2021-07-09 06:21:06
单相桥式半控整流电路
2009-04-15 08:44:43
单相桥式半控整流电路图2-10 单相桥式半控整流电路,有续流二极管,阻感负载时的电路及波形单相全控桥中,每个导电回路中有2个晶闸管,为了对每个导电回路进行控制,只需1个晶闸管就可以了,另1个晶闸管
2009-06-24 22:49:53
和功率管理方面的核心专有威廉希尔官方网站
,提供用于LED照明应用的多种拓扑,包括: 初级端调节(PSR)反激式;单级功率因数校正(PFC)反激式;PFC+准谐振(QR)反激式和LLC半桥解决方案。 PSR反激式解决方案瞄准功率
2011-07-15 21:47:14
GaN单级解决方案——采用TPS53632G 无驱动器脉宽调制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半桥功率级(驱动器和GaN FET在同一集成电路上)——功率密度高,负载瞬态响应速度
2019-07-29 04:45:02
使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 控制交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正功率级的方法,LMG3410 是一种单通道 GaN 功率级一个 70-m
2022-04-12 14:11:49
诸多应用难点,极高的开关速度容易引发振荡,过电流和过电压导致器件在高电压场合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的开通门限电压和极限栅源电压均明显低于 MOS鄄FET,在桥式拓扑的应用中容易发生误
2023-09-18 07:27:50
今天观看了电子研习社的直播课程,由TI工程师王蕊讲解了TI的基于GaN的CrM模式的图腾柱无桥PFC参考方案的设计(TIDA00961)。下面是对该方案的介绍:高频临界导电模式 (CrM) 图腾柱
2022-01-20 07:36:11
LM5036是一款高度集成化的半桥PWM控制器,集成了辅助偏置电源,为电信,数据通信,工业电源转换器提供高功率密度解决方案。LM5036包含使用电压模式控制实现半桥拓扑功率转换器所需的所有功能。 该
2022-11-10 06:28:59
LM5036是一款高度集成化的半桥PWM控制器,集成了辅助偏置电源,为电信,数据通信,工业电源转换器提供高功率密度解决方案。LM5036包含使用电压模式控制实现半桥拓扑功率转换器所需的所有功能。 该
2022-11-10 07:46:30
LM5036是一款高度集成化的半桥PWM控制器,集成了辅助偏置电源,为电信,数据通信,工业电源转换器提供高功率密度解决方案。LM5036包含使用电压模式控制实现半桥拓扑功率转换器所需的所有功能。 该
2022-11-10 06:36:47
常用的不对称半桥驱动电路有哪几种?如何实现不对称半桥隔离驱动电路设计?
2021-04-20 06:01:52
Semiconductor 为四种常见的视频桥接解决方案提供预先设计好的软 IP 模块。 第一种解决方案展示的是如何桥接多个 CSI-2 图像传感器到单个 CSI-2 输出(图 4)。 这种解决方案适用的应用包括设计中
2017-04-06 13:48:17
的问题。栅极驱动器电路往往置于与光耦合器相同的封装中,因而一般需要两个独立的光耦合器栅极驱动器IC来构成完整的隔离式半桥,结果使解决方案的物理尺寸变大。另需注意的是,两个光耦合器即使封装在一起,也是
2018-10-23 11:49:22
误。在隔离式半桥驱动器应用中,这种情况可能在交叉传导过程中同时打开两个开关,因而可能损坏开关。隔离栅上的任何寄生电容都可能成为共模瞬变的耦合路径。光耦合器需要以敏感度极高的接收器来检测隔离栅上传
2018-10-16 16:00:23
的问题。栅极驱动器电路往往置于与光耦合器相同的封装中,因而一般需要两个独立的光耦合器栅极驱动器IC来构成完整的隔离式半桥,结果使解决方案的物理尺寸变大。另需注意的是,两个光耦合器即使封装在一起,也是是独立
2018-09-26 09:57:10
,随着FET硅单位面积的电阻(RSP)继续下降(大致相当于过去每代产品的一半),电动工具、园艺工具和家用电器行业的QFN解决方案增长迅速也不足为奇了。这些较小的FET现在通常能够自驱动高达30A或更高
2017-08-21 14:21:03
怎么实现MOSFET的半桥驱动电路的设计?
2021-10-11 07:18:56
,怎么导通下管呢?另外就是推挽和半桥的区别,说是推挽的三极管工作在线性区,半桥在开关状态那么如何控制三极管工作的状态呢?是通过模拟量直接还是怎么样?
2017-12-22 11:17:40
对MOS管的驱动电路形式,常用推挽式电路,增强驱动能力而功率放大的电路形式,常使用全桥或者半桥的电路形式,放大功率同样是要接外接供电电源,为什么驱动用推挽,功放用全桥半桥?如果交换电路形式呢?谢谢
2020-07-15 01:34:51
对MOS管的驱动电路形式,常用推挽式电路,增强驱动能力而功率放大的电路形式,常使用全桥或者半桥的电路形式,放大功率同样是要接外接供电电源,为什么驱动用推挽,功放用全桥半桥?如果交换电路形式呢?谢谢
2017-02-16 14:02:13
率,或改选为成本较高的有源的优化设计方案。 下面介绍一种TDK-Lambda新型的改善交叉调制率的多路输出解决方案,此方案可以使得用无源方法进一步提高交叉调整率。 如图1所示,对于匝数相等的两个
2018-09-29 17:17:16
。其在120V / ns转换速率下,从0V升到480V,并具有小于50V的过冲。 图1:TI 600V半桥功率级——开关波形(a);设备封装(b);半桥板图(c)。 GaN FET具有低端子电容,因而
2019-08-26 04:45:13
目前使用的无线充电方案是半桥+谐振电路,搭半桥的MOS芯片通过板子散热最终可以达到50℃,天线可以到45℃,发射理论功率1W,有没有什么可以降低发热的办法==
2023-06-14 10:20:43
+LDO,可有效改善无线充电普遍存在的发热高、效率低、外围电路复杂等问题。这种方案除了少数电阻电容以外,只有两个主要元器件:主控和高集成度的全桥/半桥芯片,其中SN-D06集成了全桥驱动芯片、功率
2018-12-07 15:30:46
的改善也同样显著。图 1:100KHz 和 500KHz 时的半桥 LLC 谐振转换器本文讨论了商用GaN功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器中的优势。对晶体管
2023-02-27 09:37:29
最近需要学习用单片机控制一个H桥驱动电路,想用proteus来验证一下,可是在proteus上面找不到半桥驱动芯片。我也没有在在百度上面找到解决方案,不知道诸位同学有没有解决办法或别的经验可以教一教小弟呢?叩谢!!!
2016-07-11 10:57:13
特点:1、上下桥臂不共地,即原边电路的开关管不共地。2、隔离驱动。 本篇文章几乎将半桥电路的大部分基础知识都进行了总结和归纳。难得的是,还对半桥电路当中出现的问题进行了详尽的分析,并给出了相应的解决方案。希望大家能够全面掌握这些知识,从而为自己的设计生涯打好坚实的基础。
2016-06-08 17:03:26
硬半桥是否可以加同步整流?
2023-07-31 11:20:44
索尼Sub-LVDS到MIPI CSI-2传感器桥参考设计。索尼图像传感器的桥接解决方案 - 它创建了一个参考设计,将串行Sub-LVDS接口与MIPI CSI-2连接起来,从而使设计人员能够将
2020-04-30 06:13:19
电源设计方案的首选,为了快速有效选择最佳的LLC设计方案,本次直播特意讲解NXP LLC电源设计方案的发展历程和具体应用。直播内容:1.NXP半桥LLC电源设计方案发展的“前世今生”。 2.如何正确地
2019-01-04 11:41:20
逆变电路几种拓扑结构,半桥不是推挽的一种吗?半桥和推挽的原理,谁来普及下!
2022-12-15 18:59:30
和 46A 半桥峰值电流。采用支持中高电流的集成式解决方案,无需使用栅极驱动器和外部 FET,可节省布板空间并降低成本。电流能力取决于印刷电路板设计和环境热条件,因此,请务必查看我们的瞬态热计算器,了解您
2022-11-03 08:17:24
集成式半桥为车载电机驱动提供了一种紧凑小巧的解决方案。与采用继电器和分立式半导体的解决方案相比,集成式半桥具有PWM(脉宽调制)功能、电流感应功能及附加保护功能。目前的电机驱动方案现代汽车对高效电机
2018-12-07 10:11:19
TFB0527是一个半桥式栅极驱动器,内部集成了自举二极管,能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺,使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-28 17:08:12
2016年3月29日 – 贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Panasonic氮化镓(GaN)解决方案。为满足现代电源的效率和功率密度设计需要,设计工程师一直在寻找GaN威廉希尔官方网站
等可替代传统MOS威廉希尔官方网站
的方案,以节省能源、降低各种工业和消费电力交换系统的尺寸。
2016-03-29 14:12:09969 生成对抗网络GAN很强大,但也有很多造成GAN难以使用的缺陷。本文介绍了可以克服GAN训练缺点的一些解决方案,有助于提高GAN性能。
2019-02-13 09:33:544926 。 在第十一届亚洲电源威廉希尔官方网站
发展论坛暨21DIANYUAN深圳高性能电源威廉希尔官方网站
分享与实战威廉希尔官方网站
研讨会(以下简称:研讨会)上,PI中国区应用总监郭勇辉和大家分享了来自PI的《面向消费电子应用的GaN解决方案》。 历经 10 年锤炼,21Dianyuan 锻造出业内口碑极佳的
2021-01-11 11:45:212090 旭日东交叉带分拣机系统具有极佳的效率、准确性、灵活性和场地利用率等方面的优点,是一种实现最大经济效果与极高可靠性的分拣解决方案。
2021-07-20 09:40:32770 随着第三代半导体GaN应用威廉希尔官方网站
的发展,市面上适配器应用方案开始逐渐采用GaN功率器件,GaN适配器高频开关器件使得适配器的功率密度大大提高,产品尺寸更小,充电功率更高,得到市场的一致好评。而开关器件
2022-06-21 16:30:187192 这种测量交叉传导的简单且经济高效的方法利用了GaN 晶体管的独特特性。
2022-08-04 11:19:45398 Nexperia在 TO-247 和专有 CCPAK 表面贴装封装中采用下一代高压 GaN HEMT H2 威廉希尔官方网站
的新系列GaN FET 解决方案将主要面向汽车、5G 和数据中心应用。Nexperia
2022-08-08 08:09:49897 基于氮化镓威廉希尔官方网站
(GaN) 的功率开关器件现已量产,并在实际功率应用中提供高效率和功率密度。本文将探讨如何使用 GaN 威廉希尔官方网站
实施高功率解决方案,并提供应用示例,展示 GaN 器件如何在超过 600 伏的电压下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:131637 AMC7932单芯片解决方案实现GaN功放的检测与控制
2022-10-31 08:23:410 使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195
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