英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
,无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比,全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36130 电子发烧友网站提供《具有过压保护和阻断场效应晶体管(FET) 控制的5V/12V 电子熔丝(eFuse) 数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-14 11:19:420 电子发烧友网站提供《具有电平位移&可调转换率控制的1.2V-8V,3A 聚合物薄膜场效应晶体管(PFET) 高侧负载开关数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-14 09:38:190 电子发烧友网站提供《汽车应用中用于高频CPU内核功率的同步降压场效应晶体管 (FET) 驱动器TPS51604-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:08:470 在全球电力电子领域,英飞凌科技以其卓越的威廉希尔官方网站
创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日,该公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
,标志着功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:5297 在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅威廉希尔官方网站
——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新威廉希尔官方网站
的推出,标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑,为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29125 据麦姆斯咨询报道,德国弗劳恩霍夫光子微系统研究所(Fraunhofer IPMS)开发出一种用于芯片式pH值测量的传感层,并成功将其集成到离子敏感场效应晶体管(ISFET)中。
2024-03-11 09:34:31153 碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19282 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35332 场效应晶体管是一种常用的半导体器件,用于控制电流的流动。
2024-02-22 18:16:54832 IGBT,即绝缘栅双极晶体管,是一种高效能的半导体器件,它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的特性。
2024-02-22 14:42:40395 ,高耐压,高可靠性。可以实现节能降耗,小体积,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 一. 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的场效应晶体管。它的工
2024-02-21 18:24:15410 场效应管,即场效应晶体管(简称FET),是一种电压控制型半导体器件。
2024-02-20 15:31:17517 继电器通过通断线圈产生磁场来控制机械开关,实现对电路的控制。而场效应晶体管(MOS管)是一种基于半导体材料工作的场效应晶体管,通过栅极施加正负偏压来控制漏极与源极之间的通断状态。
2024-02-18 10:16:41546 是设计成功的关键。 为了满足这些要求,开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件,因为硅器件正在迅速接近其理论极限。 因此设计者需要考虑基于宽带隙 (WBG) 材料的器件,如
2024-02-13 17:34:00657 Qorvo最近发布了一款新的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品,这款产品专为电动汽车(EV)而设计,符合车规标准。
2024-02-01 10:22:29167 Qorvo,全球领先的综合连接和电源解决方案供应商,近日发布了其全新车规级碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品。这款产品拥有紧凑的 D2PAK-7L 封装,实现了业界领先的9mΩ导通电阻RDS
2024-02-01 10:18:06202 是,最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联,因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理,在此基础上为什么要加电阻?
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
电子发烧友网站提供《P沟道增强型场效应晶体管 CJ2301数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-19 13:39:580 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
越大,而另一方面,漏源之间电压越大,沟道电阻也越大,两者相互作用,电流不随有很大的变化达到平衡。此时场效应管的功率随漏源之间电压降增大而增大,因为此时电流基本不变。
以上是我对晶体管和场效应管的理解,如有问题请指正。
2024-01-18 16:34:45
举例而言,一个结型场效应管,采用自偏置结构,即栅极和源极短接在一起源极也有一个电阻,在电源和漏极接一个负载,此时场效应管可以看做是一个互导放大器,压控电流源,请问此时这种电路的输入输出电阻应该怎么求
2024-01-15 18:06:15
与作为电流控制器件的双极晶体管不同,场效应晶体管是电压控制的。这使得FET电路的设计方式与双极晶体管电路的设计方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40373 碳化硅二极管和碳化硅晶体管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在电动汽车、可再生能源系统、智能电网、轨道交通等领域具有广泛的应用前景。
2024-01-09 09:26:49379 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括SBD(肖特基二极管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极性晶体管)等,主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
2023-12-27 10:08:56305 电子发烧友网站提供《SDA09T N沟道增强模式场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2023-12-26 10:19:430 电子发烧友网站提供《N沟道增强模式场效应晶体管SDA09T英文手册.pdf》资料免费下载
2023-12-26 10:14:520 电子发烧友网站提供《N沟道增强模式场效应晶体管SDA09T规格书.pdf》资料免费下载
2023-12-22 11:32:470 【科普小贴士】什么是结型场效应晶体管(JFET)
2023-12-13 14:36:44354 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
2023-12-13 14:22:41262 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456 MOS管在直流充电桩上的应用,推荐瑞森半导650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650V超结MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 碳化硅和igbt的区别 碳化硅(SiC)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用,但在结构、材料、性能和应用方面存在一些显著差异。本文将详细介绍碳化硅
2023-12-08 11:35:531785 场效应晶体管栅极电流是多大 场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)是一种基于电场控制的电子器件,常用于放大、开关和调制等电子电路中。在FET中,栅极电流是其关键特性
2023-12-08 10:27:08655 选择场效应晶体管的六大诀窍
2023-12-05 15:51:38165 单晶生长,以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体;2)衬底环节,碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片,也即半导体衬底材料;
2023-12-05 15:26:53555 碳化硅(SiC)威廉希尔官方网站
比传统硅(Si)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和其他威廉希尔官方网站
更具优势,包括更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压容量以及更低的损耗,从而提高功率密度、可靠性和效率。本文将介绍碳化硅的发展趋势及其在储能系统(ESS)中的应用,以及Wolfspeed推出的碳化硅电源解决方案。
2023-11-17 10:10:29389 MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02269 根据专利摘要,该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位于氧化物半导体通道的两端。
2023-10-11 14:23:08417 场效应管(MOSFET)也叫场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件
2023-10-08 17:23:34561 场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。场效应晶体管的工作原理是基于电场效应,即在栅极和源极之间施加一个控制电压,使得沟道区域的载流子发生漂移,从而改变电流的导通状态。
2023-09-28 17:10:46799 在半导体器件的讲解中,场效应晶体管应该说最值得拿来详细介绍一番的。
2023-09-28 09:31:04947 碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管,与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。
2023-09-27 14:49:05812 Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管,共将分为(上)(下)两期,包含其工艺、性能优势、产品及封装等内容。本期将先介绍 Nexperia(安世半导体)氮化镓产品的成熟的工艺。
2023-09-25 08:19:00395 MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件,图1是N沟导MOS管芯结构原理图,即在P型硅基片上有两个 N+扩散区,其中一个称源,用S表示,另一个称漏,用D表示,在D和S间的硅片上覆盖了较薄的8iO。绝缘层和金属层,并引出一电极,称栅,用G表示。应用中 D接正,8接地,G用正电源控制。
2023-09-19 11:06:05644 与传统的硅(Si)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和其他威廉希尔官方网站
相比,碳化硅(SiC)威廉希尔官方网站
具有更多优势
2023-09-12 09:45:57259 绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ,是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体,使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291491 目前市场上出现的碳化硅半导体包括的类型相对较多,常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的碳化硅器件,单元结构和漂移区参杂以及厚度之间存在较为明显的差异。那么下文主要针对不同类型的碳化硅功率器件的相关内容进行分析。
2023-08-31 14:14:22285 栅双极晶体管)和碳化硅器件所使用的半导体材料不同。IGBT主要使用的是硅材料,而碳化硅使用的则是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半导体材料,具有一定的电性能和可靠性,但是它的热稳定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的热稳定性非常好,具有更高的耐温性能,能够承受更高的工作温度和电压。
2023-08-25 14:50:049040 根据专利摘要,本申请提供集成电路威廉希尔官方网站
领域,场效应晶体管,可以简化集成电路的制造过程,降低生产费用。集成电路由设置在基板和基板上的finfet组成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一个声道层。
2023-08-23 10:05:13794 场效应晶体管简称场效应管,它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2023-08-18 16:01:28591 Qorvo (UnitedSiC) 近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET,扩大了公司的性能地位,并扩大了其突破性的第 4 代 SiC FET 产品组合
2023-08-07 14:47:17368 、开关等。这是一种电压控制器件,不使用任何偏置电流。一旦在栅极和源极端子之间施加电压,它就会控制 JFET 晶体管的源极和漏极之间的电流。
结型场效应晶体管(JUGFET 或 JFET)没有 PN 结,但
2023-08-02 12:26:53
Transistors to Microfluidic Devices”的综述文章,回顾了集成传感器的主要研究进展,并重点介绍了场效应晶体管在化学和生化分析器件开发中的潜在应用。
2023-07-28 10:23:32227 逆变器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未来十年的复合年增长率为27%。
2023-07-17 11:33:24278 MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的简称,有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。
2023-07-11 10:56:241285 NP160N055TUKMOS场效应晶体管
2023-07-07 18:41:520 功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类:直流参数、交流参数和极限参数。
2023-07-05 14:57:19336 ,这一块也是金航标产品的研发方向。萨科微slkoric(www.slkoric.com)半导体研发的igbt、碳化硅场效应管、ldo电源管理芯片,也广泛应用于逆变器、电池管理等场合,和金航标的信号连接器一起使用!
2023-06-25 11:24:21
供应后羿hy1908 80V/90A mos管,提供hy1908场效应晶体管参数 ,更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-08 14:05:12
碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应,即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒,使得半导体中的载流子向金属一侧偏移,形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34801 功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚,分别为栅极(Gate
2023-06-05 15:12:10671 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 MOSFET是金属-氧化物-半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)
2023-05-26 17:23:471114 智能电源和智能感知威廉希尔官方网站
的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
2023-05-25 10:39:07281 IGBT(绝缘栅双极晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)用于许多不同类型的电源应用,包括可再生能源、航空航天、汽车和运输、测试和测量以及电信。在设计阶段,这些广泛使用的功率晶体管
2023-05-24 11:25:281214 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种场效应晶体管,这意味着它通过使用电场来控制电流。MOSFET 通常有三个端子:栅极、漏极和源极。漏极和源极之间传导的电流通过施加到栅极的电压进行控制
2023-05-24 11:19:06720 栅型场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-05-20 15:19:12583 场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比,场效应晶体管的控制电流非常小,因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
2023-05-17 15:15:374166 场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
2023-05-16 15:24:34848 场效应晶体管是电压控制元件,因此和普通双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点,这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041371 场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应),使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
2023-05-16 15:14:081512 场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件,并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电,所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是Field Effect Transistor,缩写为FET。
2023-05-16 15:02:23697 碳化硅衬底 产业链核心材料,制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:483426 Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
共源双N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 18:19:58
P-通道
增强模式
场效应晶体管
2023-03-28 18:19:26
场效应晶体管 2个N沟道 20V 6A
2023-03-28 17:23:57
P沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 15:17:35
N沟道MOS场效应晶体管
2023-03-28 14:33:20
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 14:32:55
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 14:32:55
双N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:54:37
n通道增强模场效应晶体管
2023-03-28 12:54:03
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:52:42
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:52:41
P沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:52:41
P沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:52:22
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-28 12:45:09
N沟道增强型场效应晶体管
2023-03-24 15:07:16
P沟道增强型场效应晶体管
2023-03-24 13:56:30
场效应晶体管硅N通道结型
2023-03-24 10:04:49
场效应晶体管硅N沟道结型
2023-03-24 10:04:48
一、物料概述ESN4485是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽威廉希尔官方网站
和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。该装置适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4485不含
2023-03-23 18:08:46
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