霍尔传感器的制造工艺材料

　　AHS 产品的多功能性来自其人员在薄膜复合威廉希尔官方网站 和器件设计和加工的不同方面积累的大量专业知识，尤其是分子束外延 (MBE) 方面的独特专业知识，最复杂的微电子行业必须使用的薄膜工具。

　　AHS 正在将“二维电子气 ( 2-DEG )”薄膜、由 III-V 族化合物制成的结构推向市场，其性能优于硅、GaAs、InAs 或 InSb 霍尔效应器件和磁电阻器。这些适应性强的磁性传感器由 AHS 专门定制，以满足一系列定制和工业要求，提供多种特性选择（参见产品数据表）。

　　AHS 在 MBE 生长的2-DEG 结构方面的独特专业知识 使其在市场上占有一席之地，难怪我们是全球唯一一家提供这种新威廉希尔官方网站 并挑战更成熟威廉希尔官方网站 的公司。

　　AHS 新一代霍尔效应元件基于两种独特的威廉希尔官方网站 ：砷化镓 ( GaAs )* 和变质 InGaAs ( mGaAs ) 威廉希尔官方网站 。

　　大多数 AHS 传感器的操作依赖于“带隙工程”的概念，而不是依赖于半导体“体”特性的传统半导体霍尔效应传感器。换句话说，传感器的物理特性经过精心设计，可以实现使用自然体积特性根本不可行的所需任务。

　　半导体材料的电子行为首先受“爆炸间隙”控制，这是通常禁止携带电荷的粒子（如电子）的能量状态。通过带隙工程，分子束外延 (MBE) 的原子层精度用于沉积极薄的化合物半导体，厚度为 10-20 nm（即 10-20 毫米的百万分之一）。在成品结构的深处，通过生长特定的材料组合形成势阱，这些材料将携带电荷的电子限制在固定的量子能态中，因此被称为“量子阱”。

　　AHS 在带隙工程和量子阱结构方面的专业知识随后被转化为传统“体”或“薄膜”半导体所不具备的物理特性。

　　例如，量子阱 (QW) 是通过在两个稍厚、带隙较大的半导体（例如 AlGaAs 或 InAlAs）之间插入非常薄的 GaAs 或 InGaAs 薄膜来构建的，从而产生了量子阱概念（见图 1）。这个 QW 然后能够“捕获”电子，然后被称为二维电子气体 (2DEG)，之所以这么叫是因为它们被捕获在 QW 平面内，实际上将它们限制在二维，而不是自由地“漫游” 3D 中的半导体晶体与传统霍尔效应传感器的情况一样。

AHS制造的QW霍尔效应传感器的通用结构如下图所示：

　　霍尔传感器的每个组件都经过优化，以在非常大的温度和磁场范围内运行。对材料系统和 QW 厚度及其相关 2DEG 的控制允许控制磁灵敏度，范围为 180 - 1000 V/AT（现有商用 GaAs、InAs 或 InSb 霍尔传感器的 2 到 5 倍，具有非常低热漂移 (< -0.05% oC) 和磁性非线性 (<1%)。

　　新型 2-DEG 霍尔效应元件具有出色的性能，并且在材料层面具有异常可控的参数，具有：

　　a. 灵敏度

　　可变且达到比传统 GaAs 更高的灵敏度。它是材料层面（晶圆生长）的可控参数，远优于磁场B大于0.2T时InSb霍尔元件的灵敏度

　　b. 出色的温度稳定性——极低的漂移

　　可控且可预测的温度系数。

　　（放大与磁场）。

　　c. 无压电效应

　　商用霍尔效应元件通过修改输出电压与磁通密度曲线来响应应力。因此，来自热源、冷源或机械源的环境压力会影响商用霍尔效应元件的输出。AHS 元件不会受到这种影响，因此不需要任何特殊处理。

　　d. 高达数 MHz 的极高带宽操作。

　　e. 偏移电压

　　由于 2DEG 结构的高迁移率，因此偏移非常低。

　　AHS霍尔传感器源网页：Blank page | Advanced Hall Sensors Ltd

         ymf