我有个应用设计，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外扩了一片铁电存储器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作电压下都能正常工作，但铁电存储器FRAM的工作电压
2024-03-13 08:04:03
嵌入式铁电存储器可实现超低功耗微控制器的设计。将铁电存储器添加到微控制器中可以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理，是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性的理想选择，例如传感器与计量仪表到
2024-03-06 09:57:22
嗨，我想开发一个 CAN 连接到赛普拉斯CYW20730芯片的Android应用程序。
实际上，一些主动快门 3D 眼镜使用了这个芯片，我想建立蓝牙连接来打开和关闭眼镜镜片。
我下载了您的 2 安卓
2024-03-01 11:58:58
SI522 是应用于13.56MHz 非接触式通信中高集成度读写卡系列芯片中的一员。是NXP 公司针对\"三表\"应用推出的一款低 电压、低成本、体积小的非接触式读写卡芯片
2024-02-29 15:56:58
; eviceCount () \" 给了我 0。
当我查看 Windows 设备管理器时。 在编程之前，该设备被识别为“赛普拉斯FX3 USB引导加载程序设备”。 编程后，该设备被识别为“赛普拉斯FX3
2024-02-26 07:55:15
再次使用 USB 为我的 3014 供电时，CAN无法运行，并且该设备仍被枚举为“赛普拉斯 FX3 USB 引导加载程序设备”。
我只想通过 SPI 将我的程序固化为 3104，使其开机并自动启动。 我该怎么办？
2024-02-26 07:31:42
我只是想知道是否有可能访问我正在编写的代码中的构建变量。 到目前为止我还没找到出路。
起初，这些变量仅用于自动创建我想要的格式的图像文件。 现在，我想通过发送给赛普拉斯的控制权转移来访问它们。
如果这不可能，你知道其他方法可以做到这一点并满足我的两个需求吗？
2024-02-26 06:36:36
Windows 10计算机中编程时，它将显示成功编程，但是当重新启动电源时，它仍然会显示为“赛普拉斯SD3 USB启动设备”并且xyz.img文件未编程。
有没有驱动程序更新或补丁可以解决这个问题？
2024-02-26 06:24:05
拉普拉斯新能源科技股份有限公司，简称“拉普拉斯”，近期成功通过IPO审核，准备在科创板上市。该公司计划募资18亿元，主要用于光伏高端装备研发生产总部基地项目、半导体及光伏高端设备研发制造基地项目，以及补充流动资金。
2024-02-23 14:16:32
218 目前，我的开发板使用赛普拉斯3014芯片并使用UVC输出。 但是，程序运行后，可以在 Windows 系统上识别设备，但在 Linux 系统上无法识别。 我使用 Ubuntu 作为我的 Linux 系统。 可能是什么问题？ 我需要修改 cyfxdscr 吗。 c 文件？有人能提供一些建议吗？
2024-02-23 06:11:56
赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。
2024-02-19 10:52:40191 
傅里叶变换和拉普拉斯变换是两种重要的数学工具，常用于信号分析和系统理论领域。虽然它们在数学定义和应用上有所差异，但它们之间存在紧密的联系和相互依存的关系。 首先，我们先介绍一下傅里叶变换和拉普拉斯
2024-02-18 15:45:38343 赛普拉斯的芯片，怎么烧录后缀名为 .ELF 文件？要用什么烧录器？用什么样的烧录软件？芯片型号：CY8C5268AXI-LP047
2024-02-01 08:25:01
1) 允许一个物理内存（即 XRAM) 可同时作为程序存储器和数据存储器进行访问
如何使用 SCR XRAM 作为程序存储器和数据存储器。
1) 用于存储 scr 程序的程序存储器
2) 用于在 tricore 和 scr 之间交换数据的数据存储器。
2024-01-30 08:18:12
我正在尝试在 CY8CKIT-046 上运行赛普拉斯/英飞凌的 \" USBFS UART 代码示例 \"。 将 USB 连接到装有 Windows 10 的电脑后，我收到了一
2024-01-22 08:27:13
ADuCM360/1是否支持存储器到存储器DMA传输？
2024-01-15 07:43:09
赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。
2024-01-09 10:54:28171 
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS威廉希尔官方网站
制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
（Dubhe-90）的高性能RISC-V众核子系统IP平台。
StarLink-700是赛昉科技自研的支持缓存一致性的Interconnect Fabric IP，是国内首款Mesh架构互联总线IP
2023-11-29 13:37:35
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺威廉希尔官方网站
形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-11-27 16:41:47
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺威廉希尔官方网站
形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据
2023-11-27 16:37:59
易失性存储和精确的实时时钟，本文推荐使用国产PB85RS2MC铁电存储器用于该存储系统中。铁电存储器PB85RS2MC在系统主要是实现数据的非易失性存储和的实时时
2023-11-27 10:17:05
存储中，铁电存储器在数据存储方面的出色性能，可以应用在大量的现代仪器仪表中，如水表、煤气表、门禁系统、医疗设备、自动取款机、汽车记录仪、工业仪器等等。国产铁电存储器
2023-11-21 09:59:20
近日，国家知识产权局公布了2023年度国家知识产权优势企业的名单，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称“拉普拉斯”）荣获“国家知识产权优势企业”称号。 “国家知识产权优势企业”是指属于国家重点
2023-11-16 14:27:28193 近期，深圳市科学威廉希尔官方网站
奖励委员会办公室发布了关于2023年度深圳市科学威廉希尔官方网站
奖拟奖名单的公示。其中，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称“拉普拉斯”）依托“气态BCl₃特高温硼扩散系列设备关键威廉希尔官方网站
2023-11-10 10:37:24183 筹备工作正紧张有序推进中，届时海内外重要领导、重磅嘉宾、行业大咖及全球光伏行业龙头企业将联袂出席大会。 作为光伏行业领先企业之一，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称“拉普拉斯”）受邀参展，展位号：4号馆-B20。 据拉普拉斯IPO招股
2023-11-10 10:30:00221 
单片机的存储器从物理上可划分为4个存储空间，其存储器的空间范围是多少？
2023-11-01 06:20:34
赛普拉斯USB-PD控制器最多能支持多少种电力传输对象（PDO）？支持的电源配置文件有哪些？ 赛普拉斯USB-PD控制器是一种用于电源传输的器件，它可以实现多种电力传输对象（PDO）的支持。在本篇
2023-10-27 14:40:20337 赛普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充之间有何不同？ 赛普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充是两种快速充电威廉希尔官方网站
，它们有着不同的特点和优点。 赛普拉斯USB-PD2.0是一种基于USB
2023-10-27 14:40:18434 描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS威廉希尔官方网站
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2023-10-26 10:45:10
大家有谁知道AT89C52怎么选择外部存储器，我之前用的是P89V51，选择外部存储器是定义AUXR=0x02;，但是现在想用AT89C52单片了，程序该怎么改了啊？？AT89C52手册上找不到怎么选择外部存储器说明，各位高手有谁知道啊 ？
2023-10-26 06:11:25
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
近年来，光伏行业蓬勃发展，为业内企业发展提供了良好的动力。以拉普拉斯为例，在稳定的业绩基础上，叠加行业明朗的发展前景，拉普拉斯提交IPO招股书，拟申请上交所科创板上市，踏出了跨越性的一步
2023-10-19 11:34:04241 随着工业4.0的出现，工厂的智能化和互联性正在日益提高。智能工厂中的机械设备就能够采用所连接的无线传感器节点的实时数据，提前预测可能发生的故障，并通知控制系统采取纠正措施，以避免意外的系统停机。累积
2023-10-19 11:27:37
近期，光伏电池片制造设备供应商——拉普拉斯积极闯关科创板IPO，计划募资18亿元用于光伏高端装备研发生产总部基地项目、半导体及光伏高端设备研发制造基地项目和补充流动资金。 从拉普拉斯IPO招股书披露
2023-10-19 11:20:23296 的非易失性存储器，既可以进行非易失性数据存储，又可以像RAM一样操作。
本文将借助飞凌嵌入式OK3568-C开发板来为大家介绍一种采用FRAM的方案——使用SPI0挂载PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/赛普拉斯，USB Type-C端口控制器CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/赛普拉斯，USB Type-C端口控制器
2023-10-17 16:16:10
存储器测试问题怎么才能稳定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存储器。因此铁电存储器（FRAM）是便携式医疗设备的理想解决方案。1、高写入耐久度PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺威廉希尔官方网站
形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
电子发烧友网报道（文/刘静）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称：拉普拉斯）拟冲刺科创板IPO。不过近日，拉普拉斯IPO因财务资料过期问题而被迫暂时中止。 此次冲刺科创板IPO，拉普拉斯拟募集
2023-10-12 17:10:012043 
电子发烧友网报道（文/刘静）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称：拉普拉斯）拟冲刺科创板IPO。不过近日，拉普拉斯IPO因财务资料过期问题而被迫暂时中止。 此次冲刺科创板IPO，拉普拉斯拟募集
2023-10-12 01:12:002959 
太阳能光伏设备制造行业作为威廉希尔官方网站
密集型行业，一直以来对威廉希尔官方网站
的先进性依赖程度比较高。深耕行业多年，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下简称“拉普拉斯”或“公司”）始终以威廉希尔官方网站
引领，驱动企业前行，成功获得了
2023-10-10 17:04:00233 众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
FM8301 是上海复旦微电子集团在原有 FM8201SD 桌面非接触 IC 卡读写机的基础上，结合 USB 端口以及接触卡读卡机要求升级的一款产品。该产品是非接触读卡机和接触卡读卡机结合的一款产品
2023-09-14 06:47:32
傅里叶变换与拉普拉斯变换的联系解读 傅里叶变换和拉普拉斯变换都是数学中非常重要的分析工具。它们都在不同的领域中发挥着重要作用。 傅里叶变换是一种将时间域信号转换成频率域信号的威廉希尔官方网站
。它是通过将信号
2023-09-07 17:04:191331 如何用拉普拉斯变换分析电路 拉普拉斯变换是通过一种特定的方法将时域中的一个信号转化为复频域中的一个函数，从而使得复杂的微分方程等可以变得更加简单、易于求解。因此，它在电路分析中的应用非常广泛，有助于
2023-09-07 16:39:041278 傅里叶变换拉普拉斯变换和z变换的区别联系 傅里叶变换、拉普拉斯变换和z变换是信号处理中重要的数学工具。傅里叶变换用于将一个连续时间信号转换为频域表示；拉普拉斯变换则用于将一个连续时间信号转换为复平面
2023-09-07 16:38:581406 拉普拉斯变换公式 拉普拉斯变换公式是数学中极其重要的一种变换方式，它的应用领域非常广泛，包括在信号处理、控制论、微分方程、电路分析和量子力学等领域中都有着广泛的应用。本文将详细介绍拉普拉斯变换公式
2023-09-07 16:38:534099 拉普拉斯变换的意义 拉普拉斯变换是微积分中的一种重要方法，用于将时间域函数转换为复平面的频域函数。它是工程和科学中常用的一种数学工具，尤其是电路理论、信号处理和控制理论中。 拉普拉斯变换的意义可以
2023-09-07 16:35:083590 傅里叶变换和拉普拉斯变换的区别联系 傅里叶变换和拉普拉斯变换是数学中两种具有重要意义的变换方式。它们都在信号处理、传输和控制领域被广泛应用，能够将时域信号转换为频域信号或复平面上的信号。 傅里叶变换
2023-09-07 16:29:452123 拉普拉斯变换的频移特性 拉普拉斯变换是一种重要的数学工具，在信号处理、控制理论、电路分析等领域广泛应用。在这些应用中，频移是一个常见的操作，即将信号在频域上移动某个频率。 拉普拉斯变换是一种复数变换
2023-09-07 16:29:43671 新能源汽车的核心威廉希尔官方网站
是大家熟知的动力电池、电池管理系统和整车控制单元。车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高性能非易失性存储威廉希尔官方网站
的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析
2023-09-01 10:04:52
随着高速数据通信的进步，数据更频繁地发送意味着对非易失性存储器的需求增加，因为非易失性存储器可以承受这种频繁的数据操作。铁电存储器是具有物联网新时代所要求的高读写耐久性和快速写入速度的理想存储设备
2023-08-24 10:05:59
PB85RS128可替换MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（赛普拉斯）
2023-08-22 16:38:15
2 PB85RS2MC可替换MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（赛普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 TTM Technologies 的 X3C25P1-05S 是一款定向耦合器，频率为 2.3 至 2.7 GHz，耦合 5 dB，耦合变化 ±0.2 至 0.3 dB，方向性 20 至 23 dB
2023-08-16 15:00:20
TTM Technologies 的 X4C25J1-05G 是一款定向耦合器，频率为 2.2 至 2.8 GHz，耦合 5 dB，耦合变化 ±0.5 dB，方向性 25 dB，平均功率 5 W
2023-08-16 14:42:58
铁电存储器被用于医疗病人治疗是生命监护仪，记录或监控病人的生命体征—心率、脉搏、血压、体温等。这些监护仪存储着病人预先记录的基准信息，可以和最近测量的数据进行对照，如果发生异常情况，监护仪就会
2023-08-16 10:30:26
PrimeCell静态存储器控制器（SMC）是一款符合高级微控制器总线架构（AMBA）的片上系统（SoC）外围设备，由ARM有限公司开发、测试和许可。
SMC是一个AMBA从模块，连接到高级高性能
2023-08-02 12:21:46
动态存储运行时数据在神经网络的推理过程中。
•AXI接口M1用于允许更低带宽和更高带宽的内存事务
延迟因此，AXI M1接口可以连接到较慢或较少突发的存储器例如闪存或DRAM。内存用于运行时的非易失性
2023-08-02 06:37:01
就需要一块非易失性存储芯片来储存这些数据。非易失性存储器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它们在系统掉电的情况下仍可保留所存数据，但因其威廉希尔官方网站
都源于R
2023-07-25 10:31:33
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护
2023-07-21 15:01:52
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺威廉希尔官方网站
形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:13:33
该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺威廉希尔官方网站
形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩
2023-07-14 17:15:06
ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元威廉希尔官方网站
。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 17:01:58
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元威廉希尔官方网站
。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护
2023-07-13 11:31:16
DS4510是CPU监控电路，具有内部集成的64字节EEPROM存储器和四个可编程的非易失性(NV) I/O引脚。它配备了工业标准I²C接口，使用 快速模式(400kbps)或
2023-07-04 16:58:41
铁电存储器(FRAM)的核心威廉希尔官方网站
是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
赛普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS异步快速快速SRAM，由256K字16位组成。通过断言芯片使能（CE）和写入使能（WE）输入LOW来执行数据写入，同时在I/O0到I/O15上提供数据，在A0到A17引脚上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388 我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
和耐久性设计，这些要求使国产铁电存储器PB85RS2MC成为最佳的存储选择。 PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工
2023-05-26 10:14:23
不懂单片机，最近公司一个外单要转到国内生产，发了一个后缀名是.elf的烧录文件，请问这个怎么烧录？要用什么软件打开？又要用什么样的烧录器？
芯片是赛普拉斯的CY8C5268AXI-LP047
2023-05-23 08:53:56
，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
SRAM：
SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
3.产品应用
2023-05-19 15:59:37
一种便携式存储设备，当插入计算机时，被解析为内置硬盘设备。这也是一种非易失性闪存。与MMC和SD卡一样，USB闪存驱动器是一种更受欢迎的可移动存储形式。
5、RAM
RAM是一个易失性内存选项。一旦设备
2023-05-18 14:13:37
单片机的程序存储器和数据存储器共处同一地址空间为什么不会发生总线冲突呢？
2023-05-10 15:17:56
下一阶段，复旦微电全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存储器全系列产品将覆盖64Kbit~2Mbit容量，FM25N将补全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
了解如何使用拉普拉斯变换、Python 和 SymPy 以串联 RLC 电路为例简化电路分析的数学运算。 研究电路可能是一个非常滑坡。 在不知不觉中，你已经深入微分方程了。 对于那些对微积分感到不
2023-05-03 18:04:001300 
关于DMA，具有三种数据传输方式：存储器到存储器、存储器到外设、外设到存储器。前面已讲解过关于存储器到存储器数据传输方式，本章将讲解存储器到外设的传输方式以及在下一章将会讲解外设到存储器的传输方式
2023-04-20 16:35:13
PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺威廉希尔官方网站
形成非易失性存储单元，对标富士通和赛普拉斯从原料上能做到不含铅，无污染。
2023-04-20 11:29:57224 本章教程讲解DMA存储器到存储器模式。存储器到存储器模式可以实现数据在两个内存的快速拷贝。程序中，首先定义一个静态的源数据，存放在内部 FLASH，然后使用DMA传输把源数据拷贝到目标地址上（内部SRAM），最后对比源数据和目标地址的数据，判断传输是否准确。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行闪速存储器，可直接从双/四SPI接口执行代码，存储语音、文本和数据，提供的灵活性和性能远超普通串行闪速存储器，非常适合于
2023-04-14 10:42:553817 
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
中，车载电子系统设计的复杂度显著提升，对于存储产品而言，大容量、实时响应、高可靠性和安全性必不可少，兆易创新车规级GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有丰富
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
和用于读取，写入和擦除数据的操作略有不同。而EEPROM指的是电可擦可编程只读存储器是一种存储器，可以在字节级别读取，写入和擦除数据。另一方面Flash是EEPROM的一种，在结构上以块的形式排列，在块中
2023-04-07 16:42:42
样具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的威廉希尔官方网站
规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
我们正在尝试将内部 ROM 闪存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的辅助存储器（而不是 EEPROM）。是否可以将 FLASH 用作辅助存储器，如果可能，我们如何使用。请指导我们实现这一目标
2023-04-04 08:16:50
FRAM存储器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15
FRAM存储器 SOIC8_150MIL 40MHz 512KB
2023-03-27 13:45:05
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