氮化镓场效应晶体管在许多电力电子应用中持续获得关注,但氮化镓威廉希尔官方网站
仍处于其生命周期的早期阶段【1】。虽然基本FET性能品质因数还有很大的提升空间,但GaN功率ic的发展是一条更有前途的道路。 现代
2024-03-05 14:29:42479 氮化镓(GaN)场效应晶体管已经彻底改变了电力电子行业,具有比传统硅MOSFETs更小的尺寸、更快的开关速度、更高的效率和更低的成本等优势。然而,GaN威廉希尔官方网站
的快速发展有时超过了专用GaN专用栅极
2024-03-05 14:28:16401 GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势,为电力电子产业带来了革命性的变化。然而,GaN威廉希尔官方网站
的快速发展有时超出了专门为GaN设计的栅极驱动器和控制器的发展。因此,电路设计师经常转向为硅MOSFETs设计的通用栅极驱动器,这就需要仔细考虑多个因素以实现最佳性能。
2024-02-29 17:54:08188 )。另一方面,功率GaN的威廉希尔官方网站
路线从不同的层面看还有非常丰富的种类。 器件模式 功率GaN FET目前有两种主流方向,包括增强型E-Mode和耗尽型D-Mode。其中增强型GaN FET是单芯片常关器件,而耗尽型GaN FET是双芯片常关器件(共源共栅Cascode结构)。 E-
2024-02-28 00:13:001843 在新一代电力电子威廉希尔官方网站
领域,氮化镓(GaN)威廉希尔官方网站
因其出色的抗辐射能力和卓越的电气性能,已成为太空任务的革命性突破的关键。氮化镓 (GaN) 威廉希尔官方网站
已成为天基系统的游戏规则改变者,与传统硅 MOSFET 相比,它具有卓越的耐辐射能力和无与伦比的电气性能。
2024-02-26 17:23:14219 年出货量占功率GaN市场的9%,仅次于GaN Systems。而在这次收购之后,此前全球出货量排名前六的功率GaN厂商已经有两家被大厂并购。 功率GaN并购逻辑 根据官方说法,英飞凌收购GaN
2024-02-26 06:30:001551 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)充电桩市场随着高压直流快充的推广,在一些400kW以上的充电桩中已经采用了SiC功率器件。同为第三代半导体的GaN,由于在高频应用上的优势,一些厂商也在推动GaN进入到
2024-02-21 09:19:283848 电子发烧友网报道(文/黄山明)随着智能家居的发展,高效高性能的小体积电源越来越被市场青睐。想要将电源体积做得更小,但同时能够保证最好的性能,氮化镓(GaN)的出现,让这一方案得以实现。在智能家居
2024-01-19 00:21:003337 伟诠电在氮化镓(GaN)快充市场迎来了新的机遇,因为日本集成设备制造商(IDM)瑞萨公司近期宣布成功收购美国GaN厂商Transphorm。这对伟诠电来说意味着未来或将迈入瑞萨供应链,进一步加强
2024-01-16 18:43:46506 1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半导体与其签署了一项合作协议,Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道,面向功率半导体应用市场。
2024-01-13 17:17:561042 5.10美元的高价收购Transphorm,总估值达到了3.39亿美元。 据百能云芯电.子元器.件商.城了解,此次收购将赋予瑞萨电子自主GaN威廉希尔官方网站
,进一步拓展其业务领域,将目光瞄准电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电力转换等多个高速增长的
2024-01-12 14:54:25361 由于宇航电源整体及其组件面临的综合挑战,GaN功率器件的全面应用至今尚未达成。但是,随着GaN功率器件辐照强化及驱动方式的创新改良,宇航电源将会得到更大助推。
结合高集成度电源设计,以及优化的宇航
2024-01-05 17:59:04272 随着半导体威廉希尔官方网站
的发展,垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 GaN因其特性,作为高性能功率半导体 材料而备受关注,近年来其开发和市场导入不断加速。
2023-12-19 09:21:39342 报告内容包含:
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 威廉希尔官方网站
面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)是一种迅速崭露头角的高频功率器件,具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337 作为一种新型功率器件,GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。
2023-12-07 09:44:52777 GaN 威廉希尔官方网站
的过去和现在
2023-12-06 18:21:00432 深入了解 GaN 威廉希尔官方网站
2023-12-06 17:28:542553 GaN 如何改变了市场
2023-12-06 17:10:56186 GaN是常用半导体材料中能隙最宽、临界场最大、饱和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15908 GaN是否可靠?
2023-12-05 10:18:41169 利用封装、IC和GaN威廉希尔官方网站
提升电机驱动性能
2023-11-23 16:21:17236 GaN氮化镓晶圆硬度强、镀层硬、材质脆材质特点,与硅晶圆相比在封装过程中对温度、封装应力更为敏感,芯片裂纹、界面分层是封装过程最易出现的问题。同时,GaN产品的高压特性,也在封装设计过程对爬电距离的设计要求也与硅基IC有明显的差异。
2023-11-21 15:22:36333 GaN市场规模还高出数倍。 这一笔大规模交易的背后,是对功率GaN市场发展潜力的看好。相比于SiC的功率应用产业化较早,GaN材料最初在LED、射频等领域经历了漫长的发展,功率GaN的市场严格来说是从19年才真正上规模。 因此功率GaN市场发展潜力被广泛看好,集邦咨询的预测
2023-11-10 00:24:001758 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。上次带大家了解了它的基础特性:氮化镓(GAN)具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学
2023-11-09 11:43:53434 GaN的驱动电路有哪些挑战?怎么在威廉希尔官方网站
上各个突破?GaN驱动电路有哪些设计技巧? GaN(氮化镓)是一种新型的半导体材料,相比传统的硅材料,具有更高的电子迁移率和能力,因此在功率电子领域有着广泛
2023-11-07 10:21:44513 环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 与台湾群光电能科技有限公司(TWSE:6412)和英国剑桥大学威廉希尔官方网站
服务部 (CUTS) 签署了三方协议,共同设计和开发使用 GaN 的先进、高效、高功率密度适配器和数据中心电源产品。群光电能科技是一家成熟
2023-11-06 17:32:31234 GaN近期为何这么火?如果再有人这么问你,你可以这样回答:因为我们离不开电源。
2023-11-02 10:32:041265 电子发烧友网站提供《GaN基蓝光半导体激光器的发展.pdf》资料免费下载
2023-10-31 11:13:510 随着世界希望电气化有助于有效利用能源并转向可再生能源,氮化镓(GaN)等宽带隙半导体威廉希尔官方网站
的时机已经成熟。传统硅MOSFET和IGBT的性能现在接近材料的理论极限,进一步发展只是以缓慢和高成本实现微小
2023-10-25 16:24:43641 交割日,GaN Systems现已成为英飞凌的一部分。 英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示:“氮化镓威廉希尔官方网站
为支持脱碳的更节能、更节能的二氧化碳解决方案铺平了道路。收购GaN Systems显著加快了我们的GaN路线图,并通过掌握所有相关功率半导体威廉希尔官方网站
,进一步加强了英飞凌在电源系统
2023-10-25 14:51:13477 随着各大手机和笔记本电脑品牌纷纷进入氮化镓快充市场,氮化镓功率器件的性能得到进一步验证,同时也加速了氮化镓威廉希尔官方网站
在快充市场的普及。目前,快充源市场上氮化镓主要以三种形式使用,即GaN单管功率器件、内置驱动器的GaN功率芯片以及内置控制器、驱动器和GaN功率器件的封装芯片。其中,GaN单管功率器件发展最快
2023-10-23 16:38:59292 的GaN赛道的“扫地僧”——在氮化镓行业长期耕耘、专注专精、做深做细、低调沉潜的形象,恰如金庸笔下武功深不可测而又难掩锋芒的无名僧人。 随着下游市场需求爆发,第三代半导体逐渐驶进黄金赛道,誉鸿锦半导体入场GaN赛道便带着一份令人惊叹的成绩单
2023-10-17 14:31:401332 了GaN继续拓展消费类电源外的市场领域。 GaN 进军汽车应用亟待突破 GaN上车其实在几年前就成为了行业内头部企业的主要目标之一。2021年纳微半导体预测,一辆电动车中,潜在能够应用到GaN的部件的市场机会超过250美元,到了2025年,电动汽车中,GaN功率芯片市
2023-10-14 00:07:001549 硅衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro LED微显威廉希尔官方网站
和低功率PA正在进行工程化开发。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架构尚处于早期研究阶段。
2023-10-13 16:02:31317 宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构,这是GaN HEMT威廉希尔官方网站
的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:11291 利用GAN威廉希尔官方网站
扶持5G5G:确定成功表
2023-09-27 14:37:46236 机构Yole数据显示,2022年GaN功率器件在总功率半导体(功率芯片、功率分立器件和模块)市场中的占比仅为0.3%。尽管GaN功率率器件的复合年增长率很高(59%),Yole预计到2027
2023-09-21 17:39:211626 目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限, 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑,效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT(gallium
2023-09-18 07:27:50
GaN因其特性,作为高性能功率半导体材料而备受关注,近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型:水平型(在硅晶圆上生长GaN晶体)和垂直型(原样使用GaN衬底)。
2023-09-13 15:05:25657 氮化镓(GaN)是一种由氮和镓组成的半导体材料,因其禁带宽度大于2.2eV,故又称为宽禁带半导体材料。是微波功率晶体管的优良材料,也是在蓝色发光器件中具有重要应用价值的半导体。。GaN材料的研究和应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是发展微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。
2023-09-07 17:07:551783 在消费类应用领域,由于快速充电器的快速增长,GaN 威廉希尔官方网站
在 2020-2021 跨越了鸿沟,目前其他交直流应用场景中也采用了GaN• 带有嵌入式驱动程序 / 控制器(MasterGaN、VIPerGaN)的系统封装 (SiP) 由于集成简单,将有助于更广泛的使用
2023-09-07 07:20:19
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计,具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
英诺赛科(Innoscience)一直致力于推动GaN威廉希尔官方网站
的发展,从而推动新一代电力电子设备的快速普及。2023年8月,英诺赛科推出了一款100V的GaN新品,采用FCQFN封装,再次彰显了其在GaN领域的领导地位。
2023-08-14 15:07:06973 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的 E-mode(增强型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量:而在硅的情况下,该能量为1.1eV,SiC(碳化硅)为3.3eV,GaN(氮化镓)为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 解决方案带来了极高的附加值。采用GaN威廉希尔官方网站
有助于实现上述目标,随着该项威廉希尔官方网站
商用步伐的加快,在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比,GaN功率晶体管有什么优点呢?GaN在品质因数(
2023-08-03 14:43:28225 鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投资这项威廉希尔官方网站
之前,您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27410 氮化镓在服务器电源领域愈发扮演着重要角色,今天,“行家说”将为大家带来3条该领域的内容服务,并为大家分析GaN备受数据中心青睐的原因。
2023-07-06 18:24:35814 GaN开始为人所知是在光电LED市场,广为人知则是在功率半导体的消费电子快充市场。但实际上,GaN最初在功率半导体领域的目标据说是新能源汽车市场,而非消费电子市场。
2023-06-29 11:43:49398 作为电力电子领域的核心威廉希尔官方网站
之一,基于GaN的电能转换威廉希尔官方网站
在消费电子、数据中心等领域有广泛应用,这对提高电能的高效利用及实现节能减排起着关键作用。
2023-06-29 10:17:12481 应用的良好结合,将推动GaN器件在Class D功放中的快速发展,迎来GaN Class D威廉希尔官方网站
的创新时代。
2023-06-25 15:59:21
GaN在单片功率集成电路中的工业应用日趋成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体集成驱动性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率集成电路威廉希尔官方网站
:过去,现在和未来
2023-06-21 07:19:58
通过集成和应用相关压力测试的GaN可靠性
2023-06-21 06:02:18
低规格GaN快速充电器的脉冲ACF
2023-06-19 12:09:55
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
采用GaN电源集成电路的300W多模图腾柱PFC
2023-06-19 08:56:48
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成电路可靠性的系统方法
2023-06-19 06:52:09
GaN威廉希尔官方网站
实现快速充电系统
2023-06-19 06:20:57
GaN高密度300W交直流变换器
2023-06-19 06:03:23
6月16日,蜂巢能源称,他们首次发布了户储领域的核心创新产品——超薄户储逆变器。值得一提的是,该产品搭载了GaN威廉希尔官方网站
。
2023-06-18 16:41:55550 标准1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通过利用卓越的性能在GaN HEMT集成电路中,我们已经能够将开关频率推到600 kHz以上,同时保持97.5%的效率。当结合行业领先的图腾柱PFC,峰值整个系统的效率达到80Plus制定的Titanium标准。
2023-06-16 11:01:43
设计。基于双向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一体化“二合一”设计,本文提出了一种高效散热方案采用Navitas集成驱动GaN-Power-IC器件的威廉希尔官方网站
。CCMPFC的开关频率设置为
2023-06-16 08:59:35
基于平面矩阵的高频高效LLC模块基于GaN功率集成电路的CPRS变压器
2023-06-16 06:48:18
OBC和低压DC/DC的集成设计可以减小系统的体积;提高功率密度,降低成本。宽带隙半导体器件GaN带来了进一步发展的机遇提高电动汽车电源单元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
极限。而上限更高的氮化镓,可以将充电效率、开关速度、产品尺寸和耐热性的优势有机统一,自然更受青睐。
随着全球能量需求的不断增加,采用氮化镓威廉希尔官方网站
除了能满足能量需求,还可以有效降低碳排放。事实上,氮化镓
2023-06-15 15:47:44
由于GaN在高温生长时N的离解压很高,很难得到大尺寸的GaN单晶材料,因此,为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人员经过几十年的不断研究,并不断尝试利用不同的外延生长方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 近几年碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体异常火热,国内外很多半导体企业都涌入其中。据Yole Développement统计,2021全球GaN功率器件市场规模为1.26亿美元,预计
2023-06-08 09:40:301692 赛米卡尔科技有限公司威廉希尔官方网站
团队基于先进的TCAD仿真设计平台开发出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型数据库,并系统地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR结构对GaN基垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)电学和热学特性的影响。
2023-06-07 13:49:03271 氮化镓(GaN)作为第三代半导体器件,凭借其优异的性能,在PD快充领域被广泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 氮化镓(GaN)是用于在干扰器中构建RF功率放大器(PA)的主要威廉希尔官方网站
。GaN 具有独特的电气特性 – 3.4 eV 的带隙使 GaN 的击穿场比其他射频半导体威廉希尔官方网站
高 20 倍。这不仅是GaN的高温可靠性的原因,也是功率密度能力的原因。因此,GaN使干扰设备能够满足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057 GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 威廉希尔官方网站
的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011374 ,达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率,这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比,GaN RF 高电子迁移率晶体管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和军用雷达范畴,在所有 RF 细分市场中获得应用。
2023-05-19 11:50:49626 GaN 通过实现更快的数据传输速度和更高的效率,在 5G 威廉希尔官方网站
的发展中发挥着至关重要的作用。GaN 更宽的带隙使其能够处理高频信号,使其成为 5G 基站和其他通信基础设施的理想选择。
2023-05-15 16:39:09353 随着GaN功率器件的可靠性提升及成本逐渐接近常规MOS,相关中大功率快充方案备受市场青睐。为了满足市场新需求,晶丰明源通过不断创新,推出了集成GaN磁耦通讯快充BP87618+BP818+BP62610组合方案。
2023-05-08 14:49:32691 GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率,得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG)。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系,其中X金属可为Ni,Mo,PT,Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺(>800℃),第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735 由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,GaN 充电器的运行速度,比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率,GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212330 GaN是第三代半导体材料,具有许多传统硅半导体所不具备的优良特性,因此被视为新一代半导体威廉希尔官方网站
,具有非常广阔的应用前景。随着 GaN功率器件威廉希尔官方网站
的成熟, GaN功率器件已广泛应用于数据中心、通讯基站
2023-04-21 14:05:42831 是否有关于 NXP GaN 放大器长期记忆的任何详细信息。数据表说“专为低复杂性线性系统设计”。长期记忆是否不再是当前几代 GaN 器件的关注点?这是整个产品堆栈吗?
2023-04-17 06:12:19
您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中,我将描述如何使用Hercules微控制器驱动它。图 1 显示了用于驱动 LMG5200 的 Hercules 模块。
2023-04-14 10:07:41962 BM02B-ACHLKS-GAN-ETF
2023-03-28 14:51:28
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
2023-03-27 14:36:14
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