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电子发烧友网>今日头条>随着GaN威廉希尔官方网站 的成熟,GaN市场发展将迎来黄金期

随着GaN威廉希尔官方网站 的成熟,GaN市场发展将迎来黄金期

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利用GaN的带宽和功率密度优势对抗RCIED

氮化镓(GaN)是用于在干扰器中构建RF功率放大器(PA)的主要威廉希尔官方网站 GaN 具有独特的电气特性 – 3.4 eV 的带隙使 GaN 的击穿场比其他射频半导体威廉希尔官方网站 高 20 倍。这不仅是GaN的高温可靠性的原因,也是功率密度能力的原因。因此,GaN使干扰设备能够满足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057

GaN HEMT大信号模型

GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 威廉希尔官方网站 的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011374

高功率GaN RF放大器的热考虑因素

,达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率,这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比,GaN RF 高电子迁移率晶体管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和军用雷达范畴,在所有 RF 细分市场中获得应用。
2023-05-19 11:50:49626

什么是氮化镓半导体?GaN如何改造5G网络?

GaN 通过实现更快的数据传输速度和更高的效率,在 5G 威廉希尔官方网站 发展中发挥着至关重要的作用。GaN 更宽的带隙使其能够处理高频信号,使其成为 5G 基站和其他通信基础设施的理想选择。
2023-05-15 16:39:09353

65W高性能磁耦通讯GaN快充方案

随着GaN功率器件的可靠性提升及成本逐渐接近常规MOS,相关中大功率快充方案备受市场青睐。为了满足市场新需求,晶丰明源通过不断创新,推出了集成GaN磁耦通讯快充BP87618+BP818+BP62610组合方案。
2023-05-08 14:49:32691

绝缘栅GaN基平面功率开关器件威廉希尔官方网站

GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率,得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG)。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793

绝缘栅Si基GaN平面器件关键工艺

传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系,其中X金属可为Ni,Mo,PT,Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺(>800℃),第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735

什么是GaN氮化镓?Si、GaN、SiC应用对比

由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,GaN 充电器的运行速度,比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率,GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212330

GaN:RX65T300的原理、特点及优势

GaN是第三代半导体材料,具有许多传统硅半导体所不具备的优良特性,因此被视为新一代半导体威廉希尔官方网站 ,具有非常广阔的应用前景。随着 GaN功率器件威廉希尔官方网站 成熟GaN功率器件已广泛应用于数据中心、通讯基站
2023-04-21 14:05:42831

求助,是否有关于GaN放大器长期记忆的任何详细信息

是否有关于 NXP GaN 放大器长期记忆的任何详细信息。数据表说“专为低复杂性线性系统设计”。长期记忆是否不再是当前几代 GaN 器件的关注点?这是整个产品堆栈吗?
2023-04-17 06:12:19

如何设置、设计及正确地驱动GaN功率级

您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中,我将描述如何使用Hercules微控制器驱动它。图 1 显示了用于驱动 LMG5200 的 Hercules 模块。
2023-04-14 10:07:41962

BM02B-ACHLKS-GAN-ETF

BM02B-ACHLKS-GAN-ETF
2023-03-28 14:51:28

GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
2023-03-27 14:36:14

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