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英飞凌会去美国建SiC厂吗？
近日，德国碳化硅大厂——英飞凌透露，他们正在考虑去美国建工厂。而此前，另一家德国碳化硅企业——博世也宣布去美国生产碳化硅。
一种具有低反向导通损耗的氧化镓纵向FinFET
由于Fin沟道的夹断作用，可以采用欧姆接触阳极替代肖特基接触，形成无结二极管。因此，在反向续流时，无结的FD实现极低的反向导通电压（Von）。
1700V!这一国产SiC MOS率先上车
前几天，三一集团的SiC重卡打破了吉尼斯纪录（.点这里.），很多人好奇这款车的1700V SiC MOSFET供应商是谁，今天答案正式揭晓！
APEX微威廉希尔官方网站 PA194功率运算放大器产品介绍
PA194较PA94功率运算放大器的实现更精细的性能，能够在2100 V/µs时提供更高的速度，在10 kHz时提供~4 nV/√Hz的极低噪声（典型）。它非常适合高速模拟精度对系统操作至关重要的应用。
一因素或使SiC寿命缩短90%！如何破局？
3月1日，特斯拉特别在”投资者日“活动上强调了SiC封装威廉希尔官方网站 ，大家是否想过为什么？
2023-06-08 标签：封装威廉希尔官方网站 SiCASIC芯片硅芯片 335
SiC与GaN，谁拥有更广阔的星辰大海？
当下，低碳化和数字化齐头并进的发展，带来了万物互联、能源效率、未来出行等多重变革。而在这个突飞猛进的过程中，第三代半导体则发挥着重要作用。
2023-06-04 标签：SiCGaN碳化硅GaN威廉希尔官方网站 227
芯导科技推出的一系列TOLL封装的MOSFET产品
TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（S...
智能电源和智能感知威廉希尔官方网站 的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
重磅！国产SiC衬底激光剥离实现新突破
最近，泰科天润董事长陈彤表示，国内SiC单项目突破100万片的关键在于成本，即“碳化硅器件成本仅为硅器件的2倍”。
意法半导体功率转换芯片节省空间提高消费电子和工业应用的能效
2023年5月20日，中国——意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。
未来的晶体管会是什么样？
在比利时安特卫普举行的ITF World 2023上，英特尔威廉希尔官方网站 开发总经理Ann Kelleher概述了英特尔在几个关键领域的最新进展，最有趣的是英特尔将在未来采用堆叠CFET晶体管。
如何突破功率半导体器件性能天花板?
碳化硅衬底材料能量损失更小。在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间。
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