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如何将碳化硅成本将下降30%

国内企业率先在半绝缘衬底方面取得了非常快的进展。而在导电型衬底方面，2021-2022年国内各个衬底厂商的外部的应用需求迅速增长，同时在各项指标上已经得到了下游端客户的验证。

2023-12-07 标签：MOSFET SiC 碳化硅 337

安世半导体推出首款SiC MOSFET，聚焦电动汽车充电桩等...

，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。

2023-12-05 标签：电动汽车充电桩 SiC MOSFET 安世半导体 454

国产碳化硅生产企业排行榜

凭借其卓越性能而被不断应用于光伏发电、电动汽车、轨道交通和风力发电等领域，引领着电力电子领域的一次威廉希尔官方网站革命。全球碳化硅功率器件市场规模预计将从2021年10.9亿美元增长至2027年62.97亿美元，年均复合增长率达34%。

2023-12-05 标签：电动汽车光伏发电功率器件半导体材料碳化硅 7388

汽车半导体供需发生改变，碳化硅是否随着更改？

汽车一直是碳化硅（SiC）的主要应用市场。在整个汽车半导体供需发生改变的情况下，碳化硅是否还会延续此前供不应求的市场行情？

2023-12-05 标签：MOSFET IGBT SiC 碳化硅汽车半导体 277

下一代的CMOS逻辑将迈入1nm时代？

下一代 CMOS 逻辑晶体管的另一个有希望的候选者是通道是过渡金属二硫属化物 (TMD) 化合物的二维材料（单层和极薄材料）的晶体管。

2023-11-24 标签：CMOS 逻辑电路图像传感器晶体管半导体器件 391

国产氮化镓实现新突破，1200V的氮化镓器件有何优势？

众所周知，GaN 功率晶体管的关键问题之一是它们在开关操作期间的动态导通电阻 (RDS(ON)) 增加，这会影响 GaN 功率晶体管和整个系统的可靠性。

2023-11-22 标签：导通电阻氮化镓开关器件栅极驱动器 1565

2030年，中国仍将是最大的碳化硅市场

在电动汽车领域，纯电动汽车BEV、混合动力HEV、插电式混合动力电动汽车PHEV、400伏/800伏的系统将直接影响碳化硅（SiC）相对采用率，800伏的纯电动汽车动力系统最有可能采用SiC器件。

2023-11-21 标签：电动汽车晶圆碳化硅动力汽车 483

中国电动汽车崛起对功率半导体行业意味着什么？

中国电动汽车的崛起。在拆解比亚迪最新一代平价电动汽车海豹后，瑞银汽车团队认为到2030年，中国电动汽车厂商的全球市场份额将从2022年的17%增至33%，这将对全球供应商格局生重大影响。

2023-11-21 标签：电动汽车 IGBT SiC 功率半导体碳化硅 364

功率器件各项参数及其应用领域对比

功率半导体行业具有广泛的应用前景和稳定的市场需求，同时也是一个威廉希尔官方网站壁垒较高的领域。随着新威廉希尔官方网站的发展和市场需求的多样化，功率半导体行业将继续保持增长态势，并且将不断推动威廉希尔官方网站创新和产业升级。

2023-11-21 标签：IGBT 晶体管 MOS 功率器件碳化硅 896

国内碳化硅功率器件的发展现状及未来趋势

主驱采用碳化硅，综合损耗比硅器件降低70%，行程里程提升约5%。在OBC上采用碳化硅，器件数量减半，意味着被动器件直接减半，且配套的驱动电路也减少了，体积下降的同时成本也在下沉。这也是为什么OBC应用碳化硅比驱动应用早的原因。

2023-11-20 标签：新能源汽车驱动电路功率器件半导体器件碳化硅 1380

功率半导体威廉希尔官方网站挑战和解决方案

功率半导体，又称电力电子器件或功率电子器件，是电子产业链中最核心的一类器件之一。能够实现电能转换和电路控制，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。

2023-11-20 标签：MOSFET IGBT 分立器件功率半导体碳化硅 1206

碳化硅和igbt器件未来应用前景分析

功率器件分为泛材类器件与IGBT器件两类，IGBT器件是开关器件，优势在于体积小、寿命长、可靠性高，现在市场上使用程度最大的是第4代器件，全球龙头企业为英飞凌，其现在的IGBT器件为商业化的第七代，主要应用于乘用车、光伏和风电能源领域。

2023-11-08 标签：英飞凌芯片 IGBT 开关器件碳化硅 772

砷化镓器件在微波领域的应用

GaAs器件在微波领域的应用非常广泛，器件分类齐全，包括徽波分立器件、微波混合集成电路、微波模拟和数字单芯片集成电路等。

2023-11-08 标签：集成电路功率器件砷化镓 gaas器件 580

各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局分析

本文将详细介绍各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局，以及现在的产能应用情况等，探讨车企大规模进入功率半导体行业背后的原因，助力车规级功率半导体产业的健康持续发展。

2023-11-02 标签：电动汽车新能源汽车 IGBT SiC 功率模块 738

揭秘宽禁带器件检测要点？

虽然氮化镓的HEMT器件相对碳化硅来说起步晚了点，但是现在氮化镓的HEMT器件的势头非常迅猛，所以对于氮化镓器件的生产厂家来说，评测氮化镓器件的紧迫性也是非常强烈的。

2023-11-02 标签：芯片设计功率器件氮化镓晶圆制造第三代半导体 199

MOSFET功率器件行业发展现状

Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内；SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内；SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V。

2023-10-31 标签：模拟电路 MOSFET 放大电路场效晶体管 type-c 789

国内碳化硅衬底生产企业盘点

在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链威廉希尔官方网站壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。

2023-10-27 标签：SiC 衬底碳化硅宽禁带半导体 2054

马斯克的搅局碳化硅陷入“失宠”的舆论漩涡

从去年至今，我国氧化镓半导体制备威廉希尔官方网站已经屡获突破。从去年的2英寸衬底到6英寸衬底，再到最新的8英寸外延片，我国氧化镓半导体制备威廉希尔官方网站越来越成熟。

2023-10-25 标签：晶圆氮化镓碳化硅宽禁带半导体 247

碳化硅芯片国际发展的现状与总体趋势

现有车用控制器普遍采用硅芯片，经过20多年的威廉希尔官方网站开发已经十分成熟，在许多方面已逼近甚至达到了其材料的本征极限。以碳化硅为代表的第三代半导体材料因具有高热导率、高硬度、耐化学腐蚀、耐高温、对光波透明等优良性质，吸引各国学者的注意力，目前已成为电力电子器件的新宠。

2023-10-24 标签：新能源汽车电机控制器 SiC 充电桩 528

Nexperia扩展超低电容ESD保护二极管产品

静电放电（ESD）二极管通过耗散静电放电的高能量来保护关键电子系统和子系统。这可以保护重要的SOC（系统芯片）和其他器件在ESD事件期间免遭损坏。

2023-10-11 标签：二极管 ESD 数据接口半导体器件 Nexperia 333

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