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飞虹电子微型逆变器的全桥拓扑结构IGBT选择方案
因为全桥拓扑结构是微型逆变器中一种非常重要的电路结构，能够提高电路效率、改善输出波形、实现输出电压调节和增强电路的抗干扰能力，为微型逆变器的性能提升和应用拓展提供了有力支持。
电阻炉八英寸碳化硅制备威廉希尔官方网站 探索
碳化硅衬底产品通过外延和核心器件企业，制成的终端产品应用于新能源汽车、光伏、轨道交通、电力电子等核心系统。
未来五年SiC器件市场价值将达到60亿美元
全球SiC器件产能到2027年将增长两倍，排名前五的公司是：ST、英飞凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析师预测，未来五年SiC器件市场价值将达到60亿美元，并可能在2030年代初达到100亿美元。
浅谈国产化IGBT的未来前景
自2020年汽车缺芯以来，汽车芯片结构性缺芯愈发明显，IGBT一直处于紧缺状态。在2022年下半年，其甚至超越车用MCU，成为影响汽车扩产的最大掣肘。
东芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB
东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。
氮化硅陶瓷轴承——电驱时代轴承材料最优解
IGBT是新能源汽车电机控制系统的核心器件，约占电机驱动系统成本的一半，而电机驱动系统占整车成本的15-20%，也就是说IGBT占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，IGBT的质量很大一部分也决定了整车的能源效率。
SiC的进化历程和多渠道优势介绍
功率器件是电力电子行业的重要基础元器件之一， 能够实现对电能的处理、转换及控制，主要包括功率二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET 等 产品。
低功耗、多通道生物电势测量模拟前端芯片AFE94x概述
该系列芯片包含AFE944/946/948/949四个型号，针对医疗诊断设备提供4通道、6通道、8通道集成的模拟前端(AFE)功能，可用于病人监护、便携式和高端心电图(ECG)、脑电图(EEG)及肌电图（EMG）设备。
SiC工艺特点核心装备发展现状及趋势
器件性能和成本的持续倒逼和规模化生产对装备支撑能力不断提出新要求， 比如要求大尺寸、高效率和高产能、低污染等。
什么是氮化镓半导体？GaN如何改造5G网络？
氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料，因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同，GaN 具有更宽的带隙，这使其成为高频和大功率应用的理想选择。
8英寸Sic的研究进程 GaN 2-4-6英寸的研究进程
硅晶圆正在从8英寸过渡到12英寸，更大的晶圆尺寸，意味着单片晶圆所能够制造的芯片数量更多，晶圆边缘的浪费减少，单芯片成本降低。第三代半导体也不例外，都在向大尺寸晶圆大跨步。
2023年全球IGBT供需缺口将收窄至-2.5%
近年全球IGBT业者产能增长情况，依中国与国际业者分为两个阶段，2021~2023年由中国业者主导，在IGBT芯片自给率低，急需国产替代的趋势下。
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