IGBT驱动光耦HCPL-316J的特性
2012-05-23 12:05:182718 绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点,具有良好的特性。IGBT也是三端器件,具有栅极G、集电极C和发射极E。
2022-10-28 16:12:429922 IGBT芯片与芯片的电极端子间,IGBT芯片电极端子与二极管芯片间,芯片电极端子与绝缘衬板间一般通过引线键合威廉希尔官方网站
进行电气连接。
2023-04-01 11:31:371752 IGBT的静态特性其实并非难以理解的东西,即便是对于外行人而言。
2023-11-27 14:16:53534 晶闸管是现代电子学中使用最多的元件,逻辑电路用于开关和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶体管类型,它们每个都有自己的优势和一些限制。IGBT(绝缘栅双极晶体管)将BJT和MOSFET的最佳部分
2023-12-22 10:30:58750 IGBT和碳化硅(SiC)模块的开关特性受到许多外部参数的影响,例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。
2024-03-08 10:11:40506 由于IGBT模块自身有一定的功耗,IGBT模块本身会发热。在一定外壳散热条件下,功率器件存在一定的温升(即壳温与环境温度的差异)。
2024-03-22 09:58:08249 及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方法以供选型时参考。 IGBT 的开关特性主要取决于
2012-07-25 09:49:08
降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常 工作于几十kHz频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示: IGBT 的静态特性一般用不到
2011-08-17 09:26:02
,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 威廉希尔官方网站
高出很多。较低的压降,转换成一个低
2012-07-09 14:14:57
而言,其工作频率在 20KHz 以下,工作电压在 72V 以下,故 IGBT 和 Mosfet 都可以选择,所以也是探讨比较多的应用。**特性对比: **Mosfet 和 IGBT 在结构上的主要差异
2022-09-16 10:21:27
终止IGBT芯片的饱和电压VCEsat都随着结温升高而增加,呈现正温度系数特性。图2为300A沟槽场终止芯片在15V栅极电压条件下不同结温时的饱和电压特性。这表明并联IGBT的静态均流可动态地自我调节
2018-12-03 13:50:08
我最近在做关于IGBT整流设计。好多资料都是讲要使输入电压和输入电流在同一方向上,是整流,反向上是逆变。可是我发现,在电压上升沿输出SPWM波,功率因数只有0.6。不论在电压上升沿还是在下降沿定时器
2015-06-18 18:54:04
的可再生能源,而IGBT是光伏系统中主要的功率半导体器件,因此其可靠性对光伏系统有重要影响。IGBT模块的热特性是模块的重要特性之一,模块在退化过程中,热性能变化对于半导体模块的整体性
2020-12-10 15:06:03
主要是关于IGBT的短路保护问题
2018-07-02 21:53:23
电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同,只需控制输入极N 一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+基极
2018-10-18 10:53:03
开启IGBT时IGBT的电压与电流有何关系?关断IGBT时IGBT的电压与电流有何关系?
2021-10-14 09:09:20
二极管和IGBT在一个开关周期内轮流进行导通。 2、逆变全桥拓扑特性 针对逆变拓扑分析首先需要认定以下几个特性: 特性一:由于50Hz频率内的正负周期对称性,认为上下开关管的热模型一致,电压和电流导致
2023-02-24 16:47:34
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
2019-09-11 11:31:16
(潮光光耦网整理编辑)2012-04-03 变频器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生产的一种IGBT门极驱动光耦合器,其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路
2012-07-06 16:28:56
`我需要通过LC电路产生一个1200A,2.5KHz的脉冲电流,所加电压500V,电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制,初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16:20
电压低、耐压高和承受电流大等优点,因此现今应用相当广泛。但是IGBT 良好特性的发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理,制约着IGBT的推广及应用。因此本文分析了IGBT对其栅极驱动电路的要求,设计一种
2009-09-04 11:37:02
驱动电路简单、通态电压低、耐压高和承受电流大等优点,因此现今应用相当广泛。但是IGBT 良好特性的发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理,制约着IGBT的推广及应用。因此本文分析了IGBT对其栅极驱动
2012-09-09 12:22:07
谁能仔细阐述一下igbt是什么吗?
2019-08-22 15:20:53
如图A所示,当igbt的负载接在c级的时候e极接地,比如说给g极12v电压,这时候ge之间电压大于开启电压,igbt能导通,但是如图b所示当负载接到e极的时候,如果导通此时e极电压可能很高,就算给g
2020-04-23 09:58:22
引言如果我们要知道二级管中的限幅与稳压的区别,那么我们就先要知道关于二级管的一个重要特性。就是关于它的正向特性与反向击穿特性。二级管特性首先我们来看一张二级管的伏安特性曲线图二极管对电压幅值钳制
2021-11-15 07:53:24
、传导损耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素,讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。1导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外
2018-08-27 20:50:45
MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素,讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。1.导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外,IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT
2018-09-28 14:14:34
在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管,而有些电路用IGBT管? 下面我们就来了解一下
2020-07-19 07:33:42
上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
IGBT的静态特性其实并非难以理解的东西,即便是对于外行人而言。刚接触那会儿,看到转移特性、输出特性之类的就想溜之大吉,加之网上查询的资料一概笼统简单,只描述特性曲线所表示的关系结果,却并不解释曲线
2019-10-17 10:08:57
`本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上,结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势,全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用威廉希尔官方网站
,突出实用性。全书共7章,分别介绍了电力电子器件
2015-05-29 10:47:00
近几年,国内IGBT威廉希尔官方网站
发展也比较快,国外厂商垄断逐渐被打破,已取得一定的突破,国内IGBT行业近几年的发展大事记:(1)2011年12月,北车西安永电成为国内第一个、世界第四个能够封装6500V
2021-03-22 19:45:34
输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。文章来源:中国电力电子产业网-IGBTIGBT模块散热器 区熔单晶 陶瓷覆铜板`
2012-06-19 11:36:58
的改进空间。基于SJ MOSFET的应用,可直接利用基本特性提高功率。基于IGBT的应用,作为IGBT可用来提高功率较低的应用的效率,以及高速化=小型化。关于目前可提供的产品,请点击这里与我们联系。关键
2018-11-28 14:25:36
的导通能量损耗,并在电力电子学的典型模式下扩大开关元件的安全工作区域。使用硅IGBT可以优化器件的成本。这种减少损耗功率的频率相关分量的要求突出了改善IGBT频率特性的必要性,因为正是这种元件限制了
2023-02-22 16:53:33
IGBT的工作原理IGBT极性判断IGBT好坏的判断
2021-03-04 07:18:28
IGBT和MOS管的区别是什么?IGBT和可控硅的区别有哪些?如何实现IGBT驱动电路的设计?
2021-11-02 08:30:41
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响?
2021-06-08 06:56:22
1 摘要 注释: 本应用笔记中给出的下列信息仅作为关于实现该器件的建议,不得被视为就该器件的任何特定功能、条件或质量作出的任何说明或保证。 本应用笔记旨在对汽车用IGBT模块的数据表中给出的参数
2018-12-05 09:50:30
提高了50V,达到650V。图1图1 全新650V IGBT4的截面图。相对于600V IGBT3的改进:芯片厚度增加 (y)、沟道宽度降低(z)、背部P射极能效提高。650V IGBT4动态特性
2018-12-07 10:16:11
本文对IGBT的功率和热循环、材料选型以及电气特性等问题和故障模式进行了探讨。
2021-05-14 06:52:53
在一些要求高可靠性的应用场合,希望功率半导体器件可以稳定运行30年以上。为了达到这个目标,三菱电机开发了X系列高压IGBT模块,特别注重了可靠性方面的设计,并在实际的环境条件下进行了验证,结果显示失效率可以得到明显降低。本文着介绍在IGBT数据手册上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT资料包含了以下内容:
IGBT 的基本结构IGBT 的工作原理和工作特性
IGBT 的擎住效应和安
2007-12-22 10:41:42251 本文在分析IGBT的动态开关特性和过流状态下的电气特性的基础上,通过对常规的IGBT推挽驱动电路进行改进,得到了具有良好过流保护特性的IGBT驱动电路。该电路简单,可靠,易用
2009-10-15 11:12:3977 关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法
0 引 言
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是GTR和MOSFET的一种新型复合器件,自问世以来就以输入阻抗高,开关速度快,通态
2009-11-23 10:33:411865 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
绝缘栅双极晶体
2010-03-05 15:53:4510640 IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示,与GTR的伏安特性基本相似,
2010-11-09 17:04:582159 提出了一种用PSP ICE 程序模拟绝缘栅双极型晶体管( IGBT ) 特性的方法。首先详细介绍了IGBT 的PSP ICE 模型的建立, 以及利用外特性参数提取模型参数的方法。最后对所建立的模型进行了验
2011-06-23 16:12:1593 N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层
2013-05-06 18:17:0645 详细介绍IGBT原理,特性,和实际应用,以及失败事例
2016-03-01 17:18:3115 IGBT驱动电路的作用主要是将单片机脉冲输出的功率进行放大,以达到驱动IGBT功率器件的目的。在保证IGBT器件可靠、稳定、安全工作的前提,驱动电路起到至关重要的作用。
2016-08-05 16:16:3223351 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2017-05-10 16:37:304710 特性,严重制约了其推广应用。从压接式IGBT的封装结构和电气特性出发,基于双脉冲测试原理,设计并搭建压接式IGBT模块的动态开关特性测试平台。采用Ansoft Q3D软件对测试平台的杂散参数进行仿真,分析杂散参数的分布特征、影响与提取方法,
2017-12-26 14:16:013 AN-990应用笔记之IGBT的特性
2018-04-13 14:04:596 ℃以及两款芯片各自最大允许工作结温下的输出特性曲线。从图2中在Tvj.op=25℃时,相同的输出电流,IGBT5 P5集电极与发射极电压比IGBT4 P4更低;工作在最高结温时,即使相差25
2018-07-23 17:23:505545 在IGBT的应用中,当外部负载发生故障,或者栅极驱动信号出现异常,或者某个IGBT或二极管突然失效,均可能引起IGBT短路,表现为桥臂内短路、相同短路及接地短路,由于IGBT在短路状态下需要同时承受
2019-10-07 15:04:0024314 IGBT器件T1通过双脉冲信号两次开通和关断。换流的变化率di/dt导通过电阻RGon来调节的,VCC是直流母线电压。
2020-05-02 17:51:003613 四个有趣的关于Python 3.9版本新特性
2020-10-08 14:47:002823 IGBT ,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由 MOSFET (输入级)和 PNP 晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有 MOSFET 器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有
2020-11-17 08:00:008 IGBT是电压控制型器件,它只有开关特性(通和断两种状态),没有放大特性。由IGBT等效电路可知,它是以晶体管为主导元件,以MOS管为驱动元件的达林顿结构。
2020-11-21 10:17:0037937 IGBT工作中的特性: IGBT 的静态特性, 静态数据特性关键有光电流特性、迁移特性和电源开关特性。 (1)光电流特性: IGBT 的光电流特性就是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极
2020-12-15 16:10:315907 这几天沉下心来专门给逆变器的后级,也就是大家熟悉的H桥电路换上了IGBT管子,用来深入了解相关的特性。 大家都知道,IGBT单管相当的脆弱,同样电流容量的IGBT单管,比同样电流容量的MOSFET
2021-04-01 16:17:073158 关于IGBT散热设计方法免费下载。
2021-06-19 15:43:1989 关于IGBT,小编已经写过很多篇文章了。今天主要来讲讲什么是功率半导体?IGBT产品又是如何分类的?与芯片又有哪些不同呢?
2022-03-11 11:22:0414181 市面上适用于电力电子领域测量的电流探头有许多,根据实际需求选择合适的对波形的测量非常重要。现代的IGBT器件不断地向着大电流密度和高频率应用这两个方向发展,但是几乎找不到能同时符合各类IGBT开关特性测量的电流探头,这就需要我们搞清楚自己的需求。
2022-03-10 15:38:41490 在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管,而有些电路用IGBT管?
2022-04-24 15:16:159249 本文对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻及IGBT的驱动电路进行了探讨。给出了过电流保护及换相过电压吸收的有效方法。
2022-08-23 09:40:2427 如下图,是IGBT产品典型的输出特性曲线,横轴是C,E两端电压,纵轴是归一化的集电极电流。可以看到IGBT工作状态分为三个部分。
2022-12-16 15:29:044938 在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常使用,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,为什么有些电路中使用MOS管?而有些电路用IGBT管?
2023-01-30 15:00:351529 上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:Vd-Id特性,Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 IGBT的驱动电路在它的应用中有着特别重要的作用,IGBT应用的关键问题之一是驱动电路的合理设计。由于IGBT的开关特性和安全工作区随栅-射极驱动电路的变化而变化,因而驱动电路性能不好,常常会造成IGBT的损坏。
2023-02-16 15:07:431771 IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动
2023-02-17 16:40:23915 上一篇,我们写了基于感性负载下,IGBT的开通过程,今天,我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析,而今
天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。
2023-02-22 15:21:339 IGBT米勒平台产生原因 我们在使用IGBT的时候,可以从手册中得到IGBT栅极的充电特性,但是栅极的充电特性在中间一部分会出现一个平台电压,影响着IGBT的动态性能,这是为什么呢? IGBT
2023-02-22 14:27:3010 关于IGBT、MOSFET、BJT的开关工作特性的基本思想 最近一直在弄实验室一个金属离子源的控制板,其中有一个模块需要完成一个恒流源的可控输出,其负载是金属离子源的远控电流输入口,考虑到金属离子源
2023-02-23 09:55:292 MOS管和IGBT管有什么区别?不看就亏大了
在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相
似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管?
2023-02-24 10:34:455 简单认识IGBT,并了解目前国内IGBT的情况
2023-03-26 00:05:202003 IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时,漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线。
2023-06-06 10:52:37757 去客户工厂参观交流,了解到他们用到了我们代理的芯控源的IGBT模块AGM25T12W2T4,就想给大家讲下关于IGBT的知识和这款产品!
2023-06-21 09:17:03929 IGBT的开关特性是通过对门极电容进行充放电来控制的,实际应用中经常使用+15V的正电压对IGBT进行开通,再由-5V…-8V…-15V的负电压进行关断。
2023-07-04 14:54:051699 IGBT : 是一种大功率的电力电子器件,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。 编辑:黄飞
2023-07-07 09:36:321089 摘要 压接型 IGBT 芯片在正常的运行工况下承受着电-热-力多物理量的综合作用,研究电热-力影响下的 IGBT 芯片动态特性对于指导 IGBT 芯片建模以及规模化 IGBT 并联封装设计具有
2023-08-08 09:58:280 选型IGBT(绝缘栅双极晶体管)是电子设备设计中的重要任务,因为正确的IGBT选择对于设备性能和可靠性至关重要。本文将介绍如何选择适合您应用的IGBT,并解释IGBT的关键特性以及如何阅读IGBT的数据表。
2023-09-13 15:47:56921 IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构,内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响? IGBT是晶体管的一种,它是一种高压、高电流的开关器件,常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管,由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 和性能,动态测试是必不可少的。下面将详细介绍IGBT动态测试的参数。 1. 开通特性测试(Turn-on Characteristics Test): 开通特性测试是通过控制IGBT的输入信号,来检测
2023-11-10 15:33:51885 IGBT的低电磁干扰特性 IGBT是一种在功率电子领域中常用的晶体管器件。它由一个IGBT芯片和一个驱动电路组成,用于控制高电压和高电流的开关操作。相比于MOSFET,IGBT具有更低
2024-01-04 14:30:50563 ,被广泛应用于交流调速、逆变器和电源等领域。然而,IGBT在实际应用中会出现一种现象,即IGBT的退饱和。 IGBT的退饱和指的是在IGBT工作过程中,当其电流达到一定程度时,其电压降明显高于正常工作时的电压降。在这种状态下,IGBT的导通特性发生了变化,导致功率
2024-02-19 14:33:28481
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