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IGBT/功率器件
电子发烧友网IGBT/功率器件栏目提供igbt器件,功率器件,功率半导体器件,功率开关器件,igbt功率模块,igbt功率管,大功率igbt驱动,大功率igbt等IGBT/功率器件设计所需的所有最新行业新闻、产品信息及威廉希尔官方网站 热点方案及介绍。MOSFET规格书中单脉冲雪崩能量EAS如何理解?电路设计咋用它计算MOS会损坏吗?
单脉冲雪崩能量简称是EAS,这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数,我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力,进而来评估器件在异常瞬态过压情...
2024-11-25 317
专访博世半导体高管:8英寸SiC产线良率高,用SiC创新应对价格战
博世半导体在中国的策略是怎样的?在8英寸碳化硅的布局和量产节奏如何?在此次展会上,博世半导体在碳化硅领域带来的旗舰产品有哪些优势?和本土供应商对比,博世半导体最大的优势是...
2024-09-23 2643
聚焦绿色能源四大细分市场,英飞凌SiC和GaN新品亮相PCIM展会
在PCIM Asia展上,英飞凌展示了广泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率电子产品组合,其中多款应用于可再生能源、电动交通、智能家居的产品和解决方案首次亮相。电子发烧友记者...
2024-09-04 3040
引领电动汽车革新,罗姆PCIM展重磅展出二合一SiC模块
8月28日到30日,罗姆半导体亮相于深圳举办的 “2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(以下简称PCIM Asia),在本次展会上,罗姆首次展出其今年最新发布的适用于车载引逆变器的新型...
2024-09-03 5623
发力新能源汽车和储能市场,威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET
8月27日,在Elexcon2024深圳国际电子展上,威兆半导体正式发布了全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,这款产品采用了紧凑高效的SOT-227封装,专为追求能效与高可靠性的功率转换系统而...
2024-09-02 5983
功率系统中SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试与计算新方案
栅极参数设计是通过理论计算或建模仿真,模拟器件的开关状态,掌握其动态特性。常用的仿真软件有ANSYS和MATLAB等,其核心还是理论计算。...
2024-04-29 975
深入解析三极管工作原理
统讲法一般分三步,以NPN型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为例),如示意图A。1.发射区向基区注入电子;2.电子在基区的扩散与复合;3.集电区收集由基区扩散过来的电子。”(注1)...
2024-04-29 737
比亚迪e5高压电控总成内IGBT模块威廉希尔官方网站 分析
用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT,用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“~”之间的导通性,显示导通,压降为0.379 V。...
2024-04-28 1025
Tanner L-Edit在功率器件设计中的应用有哪些呢?
像GaN、SiC,、第三代半导体、车用功率器件等功率器件是处理高电压、大电流的半导体分立器件,常用在电子电力系统中进行变压、变频、变流及功率管理等。...
2024-04-28 679
探究内阻较小的MOS管发热之谜
这个主要是Drain加反偏电压后,使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展,当耗尽区碰到Source的时候,那源漏之间就不需要开启就形成了 通路,所以叫做穿通(punch through)。...
2024-04-28 736
MOSFET在开关电源中的作用
MOSFET作为开关元件,在开关电源中需要频繁地切换两种状态:导通和截止,以控制电流的通断。这种切换过程对于电源的稳定输出至关重要。...
2024-04-25 1538
如何选择开关电源的MOSFET
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。...
2024-04-25 2743
高效大电流稳压器电路设计方案
LT1083稳压器(参见图1中的符号和引脚排列)允许调整正电压,并能高效地提供高达7.5 A的电流。内部电路设计用于输入和输出之间以高达1 V的压差工作。...
2024-04-25 748
常用的MOS做电源开关的电路分享
由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异,导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS,所以设计中尽量优先选择NMOS。...
2024-04-25 3616
比亚迪高压电控总成IGBT模块检测指南
.通电导通性检查 用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT,用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“~”之间的导通性,显示导通,压降为0.379 V。...
2024-04-23 943
恒流电路设计三种常用方案解析
运放的恒流电路,主要是利用运放的“电压跟随特性”,即运放的两个输入引脚Pin3与Pin2电压相等电路特性;当在电阻R4输入Vin稳定电源电压时,电阻R7两端的电压也为Vin不变,因此无论外界电路...
2024-04-23 504
信号线上串联小电阻的作用与意义
为了保护接口,抵抗小能量电压脉冲,防止信号脉冲损坏接口的。 举个简单的例子: 一个串口通讯的提示信号,当接上串口时,因为瞬间的插拔产生了一个很窄的电压脉冲...
2024-04-23 1082
MOSFET栅极驱动电路设计方案
必须在基极和发射极之间施加电流,以在集电极中产生电流。图1.2示出了MOSFET,当在栅极和源极端子之间施加电压时在漏极中产生电流。...
2024-04-22 2332
简要探讨石英晶体与振荡
石英晶体振荡器中使用的石英晶体是一块非常小的、薄的石英切割片或晶片,其两个平行表面被金属化以进行所需的电连接。一块石英晶体的物理尺寸和厚度受到严格控制,因为它会影响振荡的...
2024-04-22 498
二极管保护电路的工作原理
二极管是一种允许电流流经一个方向但不允许另一方向流过的器件,因此,它可以用于电路中,仅允许电流仅在正向流动,而在反向流动中阻止电流。当电路中的组件可能会因反向(错误)方向...
2024-04-22 1575
常见的电平转换方法
当 3.3V 器件输出高电平信号,由于上拉 5V 作用,信号输入器件被上拉为 5V 电平。 当 3.3V 器件输出低电平信号,使 OUTPUT 信号被拉低,从而信号输入器件信号被拉低。...
2024-04-22 3430
关于MOS管电路工作原理的讲解
MOS管的话题虽说是老生常谈,但这份资料几年前就有人给我分享过,这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解,从管脚的识别,到极性的分辨,再到常用功能,应用电路等等...
2024-04-22 466
电阻、电感及电容元件在交流电路中的特性分析
在电阻元件的交流电路中,电流和电压是同相的。 在电阻元件电路中,电压的幅值(或有效值)与电流的幅值(或有效值)之比值,就是电阻R。...
2024-04-27 787
NTC热敏电阻详细应用解析
温度相同区间不同的B值,说明材料可能不一样,因为NTC热敏电阻是负温度系数温度升高阻值成规律下降,B值代表曲线的弯曲程度或者说温度的敏感指数,单位温度变化的这时阻力值设施程度就...
2024-04-27 1808
揭秘电动汽车IGBT芯片键合线
在电控模块中,IGBT模块是逆变器的最核心部件,总结其工作原理:通过非通即断的半导体特性,不考虑过渡过程和寄生效应,我们将单个IGBT芯片看做一个理想的开关。...
2024-04-27 655
全球首款氮化镓量子光源芯片诞生
量子光源芯片作为量子互联网的“心脏”,在量子通信中扮演着至关重要的角色。而电子科技大学团队此次研发的氮化镓量子光源芯片,在性能上取得了显著的突破。...
2024-04-19 1333
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