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富昌电子SiC设计分享(二):碳化硅器件驱动设计之寄生导通问...
作者:富昌电子 星空 校稿:富昌电子 萧峰 富昌电子(Future Electronics)一直致力于以专业的威廉希尔官方网站 服务,为客户打造个性化的解决方案,并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域,富昌电子结合自身的威廉希尔官方网站 积累和项目经验,落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考,并期待与您进一步的交流。 上一篇我们先就SiC MOSFET的驱动电压做了一定的分析及探讨(SiC设计分享(一):SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨)。本
2022-06-16 关键字: 富昌电子SiC驱动设计碳化硅SiC MOSFET
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