【深度解析】LED照明发展的巨大瓶颈：热阻威廉希尔官方网站 检测

　　热阻即热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，表明了1W热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K/W。可以用一个类比来解释，如果热量相当于电流，温差相当于电压，则热阻相当于电阻。通常，LED器件在应用中，结构热阻分布为芯片衬底、衬底与LED支架的粘结层、LED支架、LED器件外挂散热体及自由空间的热阻，热阻通道成串联关系。

　　LED灯具作为新型节能灯具在照明过程中只是将30-40%的电能转换成光，其余的全部变成了热能，热能的存在促使我们必须要关注LED封装器件的热阻。一般，LED的功率越高，LED热效应越明显，因热效应而导致的问题也突显出来，例如，芯片高温的红移现象；结温过高对芯片的永久性破坏；荧光粉层的发光效率降低及加速老化；色温漂移现象；热应力引起的机械失效等。这些都直接影响了LED的发光效率、波长、正向压降以及使用寿命。LED散热已经成为灯具发展的巨大瓶颈。

　　应如何评估LED封装器件的散热水平？

　　应用举例

　　1.封装器件热阻测试

　　（1）测试方法一：

　　测试热阻的过程中，封装产品一般的散热路径为芯片-固晶层-支架或基板-焊锡膏-辅助测试基板-导热连接材料。

　　侧面结构及散热路径

　　根据测试，可以得出如下述的热阻曲线图，可读出测试产品总热阻（整个散热路径）为7.377K/W。该方法测试出的热阻需根据测试样品的结构，判定曲线中的热阻分层，获得封装器件的准确热阻。该方法更适合SMD封装器件。

　　热阻曲线图

　　（2）测试方法二：

　　与方法一不同，该方法需经过两次热阻测试，对比得出的热阻，可精确到器件基板外壳，无附带测试基板数值。

　　两次测试的分别：第一次测量，器件直接接触到基板热沉上；第二次测量，器件和基板热沉中间夹着导热双面胶。由于两次散热路径的改变仅仅发生在器件封装壳之外，因此结构函数上两次测量的分界处就代表了器件的壳。如下图所示的曲线变化，可得出器件的精确热阻。该方法适合COB封装器件。

　　多次测试的热阻曲线对比图

　　（3）利用结构函数识别器件的结构

　　常规的，芯片、支架或基板、测试辅助基板或冷板这三层的热阻和热容相对较小，而固晶层和导热连接材料的热阻和热容相对较大。

　　如下面结构函数显示，结构函数上越靠近 y 轴的地方代表着实际热流传导路径上接近芯片有源区的结构，而越远离 y 轴的地方代表着热流传导路径上离有源区较远的结构。积分结构函数是热容—热阻函数，曲线上平坦的区域代表器件内部热阻大、热容小的结构，陡峭的区域代表器 件内部热阻小、热容大的结构。微分结构函数中，波峰与波谷的拐点就是两种结构的分界处，便于识别器件内部的各层结构。在结构函数的末端，其值趋向于一条垂 直的渐近线，此时代表热流传导到了空气层，由于空气的体积无穷大，因此热容也就无穷大。从原点到这条渐近线之间的 x 值就是结区到空气环境的热阻，也就是稳态情况下的热阻。

　　热阻曲线的两种结构函数

　　2.封装器件内部的缺陷

　　固晶层内部缺陷展示

　　对比上面两个器件的剖面结构，固晶层可见明显差异。如下图，左边为正常产品，右边为固晶层有缺陷的产品。

　　固晶层缺陷引发的热阻变大

　　根据上图显示，固晶层缺陷会造成的热阻增大，影响散热性能，具体的影响程度与缺陷的大小有关。