IGD系列IGBT驱动器内部框电路
2010-02-19 11:17:42
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日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 Power Integrations旗下子公司IGBT驱动器制造商CT-Concept Technologie AG已在德国Ense开设一家新的设计中心。该设计中心将基于其驱动核开发半定制门极驱动设计，并利用CONCEPT的SCALE-2平台为大型项
2013-01-17 16:36:441176 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器威廉希尔官方网站
的领导者Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布可为其SCALE™ IGBT和MOSFET驱动器出厂提供
2018-05-02 14:18:275271 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。
2019-02-17 09:17:001369 现有IGBT 型号为H20R1202 要设计他的驱动电路，在哪里找资料？或者有没有设计过IGBT驱动电路的，能分享吗？现在有一个驱动MOSFET 的电路，可以用在IGBT的驱动上吗？
2016-04-01 09:34:58
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx大功率IGBT 在使用中驱动器至关重要，本文给出了不同功率等级IGBT 驱动器的设计计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准。
2019-02-03 21:00:00
IGBT、MOS驱动器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
功率晶体管组成，如双极型晶体管、 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型无刷直流电机或步进电机应用中， MOSFET驱动器可用来直接驱动电机。 不过，在本应用笔记中，我们需要的电压和功率较 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆变器，变频器，电镀电解电源，超音频感应加热等领域。开关电源(SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11:40
你好，我正在寻找这两个MOSFET的驱动器IC，FDD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的逻辑由CPLD产生，为3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。这些
2018-10-25 14:27:53
概述：IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
：POWI）今日推出适用于流行的“新型双通道”100mm x 140mm IGBT模块的SCALE-iFlex™ Single门极驱动器。这款紧凑型新驱动器支持耐压在3.3kV以内的模块，现可随时供货
2021-09-09 11:00:41
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
：-40°C至110°C最大低电平输出电压（VOL）：0.5V应用：隔离式IGBT / MOSFET栅极驱动器；交流和无刷直流电动机驱动器；电磁炉顶；工业变频器；开关电源（SMPS）；不间断电源（UPS）`
2019-10-30 15:23:17
开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些
2017-04-15 15:48:51
大功率IGBT 在使用中驱动器至关重要，本文给出了不同功率等级IGBT 驱动器的设计计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准。
2021-07-26 14:41:12
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18:09
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着
2021-01-22 06:45:02
栅极驱动器的 +16V/-8V 电压，能够通过具有外部 BJT/MOSFET 缓冲器的单极或双极电源为栅极驱动器供电可针对反相/非反相工作情况配置栅极驱动器输入可选择通过如下方式评估系统：栅极驱动器和 IGBT 之间的双绞线电缆栅极和发射极之间的外部电容
2018-12-27 11:41:40
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要从英飞凌推出MOSFET IPW90R120C3这里的MOSFET规格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驱动器
2018-09-01 09:53:17
`最近我在做D类放大。要放大1Mhz正弦波信号，比较用的三角波为10Mhz。需要开关频率能大于20Mhz的mosfet驱动器。请问mosfet驱动器的最高工作频率是由什么参数决定的？有能达到20Mhz以上的mosfet驱动器吗？`
2018-04-11 23:31:46
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可调消隐时间的过流保护。先进的主动箝位保护欠压和过压锁定保护。两个 1 安培脉冲变压器驱动器，用于故障信号通信。IX6611设计用于为高功率开关器件提供栅极驱动
2023-02-27 09:52:17
求教大佬们如何用DSP产生PWM波驱动IGBT的驱动器？代码应该怎么写啊？
2019-01-08 09:15:35
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺威廉希尔官方网站
的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官网的时候，查找相关应用手册的时候挖到的一篇文章。根据电机控制应用需求选择合适的MOSFET 驱动器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
管子开关影响。 2）低传输延迟 通常情况下，硅IGBT的应用开关频率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推荐应用开关频率大于100kHz，应用频率的提高使得碳化硅MOSFET要求驱动器提供更低的信号
2023-02-27 16:03:36
，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流，同时选用时应该降额使用。额定工作电压、电压波动的范围、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压；驱动器的外壳结构以及排布方式也是IGBT选型的重要考虑因素。原作者：漂流的青春 车载控制器开发及测试
2023-03-23 16:01:54
如何实现IGBT模块的驱动设计？在设计驱动电路时，需要考虑哪些问题？IGBT下桥臂驱动器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上桥臂驱动器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
MOSFET/IGBT/SiC-FET，电流高达 100A，运行频率高达 500Khz在通电和断电序列期间，防止 IGBT/FET 出现寄生导通和关断4000 VPK 和 2500-VRMS 隔离层驱动器
2018-09-30 09:23:41
的额外电压降。 特性在半桥配置中支持 2 个 IGBT 闸极驱动器推挽式拓扑可通过单个控制器实现适用于三相电源的并行变压器级适用于更高功率驱动器的可扩展电源可为每个 IGBT 提供两个隔离式输出：+16V
2015-04-27 17:31:57
的额外电压降。特性在半桥配置中支持 2 个 IGBT 闸极驱动器推挽式拓扑可通过单个控制器实现适用于三相电源的并行变压器级适用于更高功率驱动器的可扩展电源可为每个 IGBT 提供两个隔离式输出：+16V
2015-03-23 14:35:34
本文介绍了在步进电机驱动器中利用IR2110S完成mosfet驱动的设计，并给出试验结果。关键词 步进电机；mosfet 驱动器
2009-03-31 23:29:46
55 IGBT和MOSFET器件的隔离驱动威廉希尔官方网站
:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动威廉希尔官方网站
以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。关键词院MOSFET IGBT 隔离驱动 光电耦合器 脉冲变压器
2009-06-20 08:37:4656 当今多种MOSFET 威廉希尔官方网站
和硅片制程并存，而且威廉希尔官方网站
进步日新月异。要根据MOSFET 的电压/ 电流或管芯尺寸，对如何将MOSFET 驱动器与MOSFET 进行匹配进行一般说明，实际上显得颇为
2009-07-04 13:49:0595 摘要：IR2117是美国IR公司专为驱动单个MoSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制，同时剖析了它的内部结构和工作原理，最后给出了
2010-05-05 09:03:4656 MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计本应用笔记将详细讨论与MOSFET 栅极电荷和工作频率相关的MOSFET 驱动器功耗。还将讨论如何根据MOSFET 所需的导通和截止时间将MOSFET 驱动器的
2010-06-11 15:23:20212 lVO3120 IGBT/MOSFET驱动器：这些2.5A和0.5A的驱动器的供电电压范围为15V～32V，工作温度范围为+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 SCALE驱动是瑞士Concept公司生产的IGBT智能化驱动板，可用于驱动和保护IGBT。文中介绍了该IGBT智能化驱动板的主要功能、工作模式和引脚功能，给出该器件的典型应用电路。
2010-10-16 17:29:3144 摘要：SCALE驱动是瑞士Concept公司生产的IGBT智能化驱动板，可用于驱动和保护IGBT。文中介绍了该IGBT智能化驱动板的主要功能、工作模式和引脚功能，给出该器件的典
2006-03-11 13:02:111878 
单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006018 
SCALE驱动器的半桥接线电路
2010-02-18 21:55:541409 
SCALE驱动器接线电路
2010-02-18 22:03:141459 
SCALE系列集成驱动器的内部结构框电路
2010-02-18 22:30:561131 
大功率IGBT 在使用中驱动器至关重要，本文给出了不同功率等级IGBT 驱动器的设计计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准。
2011-09-20 11:55:03245 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:004947 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。
2014-03-25 10:19:44692 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 中等电压和高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器威廉希尔官方网站
的领导者Power Integrations今日推出一系列输出电流介于2.5A和8 A之间的电气绝缘的单通道门极驱动器IC，SCALE-iDriver IC不仅采用加强绝缘威廉希尔官方网站
，而且还提供最大8 A的驱动电流。
2016-05-10 17:39:341346 双路智能大功率IGBT驱动器
2017-03-04 17:50:193 美国加利福尼亚州圣何塞，2017年5月16日 – 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器威廉希尔官方网站
的领导者（纳斯达克股票代号：POWI）今天推出SCALE-iDriver™系列电磁隔离的单通道
2017-05-19 15:45:09946 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:3723 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模块。该系统由一个中央绝缘主控制(IMC)和一到四个模块适配型门极驱动器(MAG)组成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:324824 Power Integrations最新的SCALE-iFlex™门极驱动器系统可轻松实现业界最新的耐受电压介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET双通道功率模块的并联。
2019-08-01 16:06:132439 等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成，非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。
2020-03-05 14:27:583784 SCALE-2单通道+15/-10V即插即用型门极驱动器，新产品专为东芝、Westcode和ABB等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power
2020-03-08 10:27:072136 近期 Vulkan 势头不小，游戏引擎 Godot 计划年中发布的 4.0 大版本中将支持 Vulkan，Raspberry Pi 也即将迎来 Vulkan 的支持。现在我们还可以看到 FFmpeg 也将支持 Vulkan。
2020-03-16 09:38:552182 IR2104（S）是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低压侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS威廉希尔官方网站
使加固单片结构成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出
2020-04-28 08:00:0049 PI的SIC1182K和汽车级SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是单通道SiC MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。 SCALE-2门极驱动核和其他SCALE-iDriver门极驱动器IC还支持不同SiC架构中的不同电压，允许使用SiC MOSFET进行安全有效的设计。
2020-08-13 15:31:282476 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144 
本应用笔记介绍了MOSFET / IGBT驱动器理论及其应用。该文档介绍了MOSFET和IGBT威廉希尔官方网站
，驱动器的类型，隔离威廉希尔官方网站
以及MOSFET / IGBT驱动器的IXYS系列以及一些实际考虑因素
2021-05-26 17:04:022922 
SDK 1.2.162.0版本，完整支持新的Vulkan光追扩展，包括验证层（Validation Layers），更新版GLSL、HLSL、SPIR-V着色器工具链的集成，开源的Vulkan实例
2020-12-16 13:32:296012 根据英伟达官方的消息，英伟达新发布的 Game Ready 驱动正式支持 Vulkan 光线追踪，另外英伟达还更新了《雷神之锤 II》RTX 版游戏 Demo ，支持全新的行业标准。 英伟达表示
2020-12-25 09:03:582410 Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设计是比较简单的，目前也有了许多优秀的驱动集成电路。
2021-02-08 17:38:007374 
本手册概述了 ACPL-P349/W349 评估板的特性以及评估隔离式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 栅极驱动器所需的配置。需要目视检查以确保收到的评估板处于良好状态。
2021-06-23 10:45:213357 
1SP0350V SCALE™-2 单通道即插即用栅极驱动器可靠、安全地驱动 4500 V 压装 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGBT 外形尺寸。它非常适合高压直流输电和铁路行业的高可靠性应用。
2021-06-26 18:15:452236 的SCALE-iFlex Single门极驱动器和新型即插即用型SCALE-iFlex LT双通道门极驱动器。 SCALE-iFlex Single SCALE-iFlex Single紧凑型新驱动器支持耐压
2021-09-22 16:09:463657 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 MOSFET及
IGBT栅极驱动电路的引脚排列内部结构、工作原理、主要威廉希尔官方网站
参数和应用
威廉希尔官方网站
。书中不但给出多种以这些驱动器集成电路为核心单元的典型电力电
子变流系统专用驱动控制板的应用实例而且对这些具
2022-08-13 09:21:390 采用 IGBT 的电机驱动器中的噪声管理
2022-11-15 20:27:511 ACPL-339J是一款先进的1.0 A双输出，易于使用，智能的手机IGBT门驱动光耦合器接口。专为支持而设计MOSFET制造商的各种电流评级，ACPL-339J使它更容易为系统工程师支持不同的系统
2022-12-15 13:58:19779 
使它更容易为系统工程师支持不同的系统额定功率使用一个硬件平台通过交换MOSFET管套和电源IGBT/MOSFET开关。这个概念最大化了门驱动器设计的可伸缩性电机控制和功率转换的应用范围从低到高额定功率。
2023-02-22 14:54:521 在对功率模块选型的时候要根据功率模块的参数匹配合适的驱动器。这就要求在特定的条件下了解门级驱动性能和参数的计算方法。 本文将以实际产品中用到的参数进行计算说明，并且对比实际的IGBT和SiC
2023-02-22 14:45:3912 栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时，有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻，将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34809 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150 IGBT7与IGBT4在伺服驱动器中的对比测试
2023-12-14 11:31:08232 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护
2023-12-14 11:37:10288 报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36580 
电桥电路栅驱动器和MOSFET栅驱动器产品介绍
2024-03-19 09:43:3650 
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