的内部结构,可以在内部工作原理中引导和直流电,以调节它们并将它们带到需要的地方。晶体管就是其中之一。8050型晶体管是一种非常特殊的器件,被归类为负-正-负(NPN)外延放大器晶体管,最常见于无线电
2023-02-16 18:22:30
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说,逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低(正向约10%以下)耐压低 (7 to 8V 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时,当需要非常大的电流时,可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象,有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性:就三极管,mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊,请各位大侠指点!!!
2016-06-07 23:27:44
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的,pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
(因变量)就是电路实际的变化:导通或截止。就上面这个N型晶体管而言,高电平截止,低电平导通。那么假如此时我们把高电平作为“1”,低电平作为“0”。那么b极输入1,就会导致电路截止,如果这个电路是控制
2021-01-13 16:23:43
场效应晶体管,英语名称为Field Effect Transistor,简称为场效应管,是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道
2016-06-29 18:04:43
1.反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流(也称反向漏电流或穿透电流),可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时,将万用表置于R×1k档, NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数?有的器件有放大倍数改变的参数。另外,不同的仿真模型参数不同如何改变?
2014-02-28 08:42:03
晶体管测量模块的基本特性有哪些?晶体管测量模块的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍!`
2016-11-08 14:12:33
晶体管应用电路,包括矩形波振荡器,射极跟随器,宽带放大器,电子电位器,OP放大器,带自举电路的射极跟随器,Sallen-Key型低通滤波器,带隙型稳压电路,三角波→正弦波变换器,低失真系数振荡器,移相器,串联调节器,斩波放大器等。
2018-01-15 12:46:03
晶体管的主要参数有哪些?晶体管的开关电路是怎样的?
2021-06-07 06:25:09
晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题,从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中,将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
题,从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中,将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。首先是基础性的内容,来看一下晶体管的分类与特征。Si晶体管的分类Si晶体管的分类根据
2018-11-28 14:29:28
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;(1)容易关断,所需要的辅助元器件少,(2)开关迅速,能在很高的频率下工作,(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
是自来水的阀门,发射极是配管,集电极是水龙头。用自来水的构造来举例说明晶体管的作用。把晶体管的3个引脚-基极、集电极和发射极分别视作自来水的阀门、水龙头和配管。通过微小之力(即基极的输入信号)来控制
2019-05-05 00:52:40
)用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下:IE=IB+IC3.晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件,其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大,是指当
2013-08-17 14:24:32
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型号的高反压大功率开关晶体管。 6.达林顿管的选用达林顿管广泛应用于音频功率输出、开关控制、电源调整、继电器驱动、高增益放大等电路中。 继电器驱动电路与高增益
2012-01-28 11:27:38
偏、集电结正偏,就是晶体管的倒置放大应用)。要理解晶体管的饱和,就必须先要理解晶体管的放大原理。从晶体管电路方面来理解放大原理,比较简单:晶体管的放大能力,就是晶体管的基极电流对集电极电流的控制
2012-02-13 01:14:04
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种,通常把双极型晶体管简称为晶体管,而单极型晶体管简称为场效应管。 晶体管是半导体器件,它由掺杂类型和浓度不同的三个区(发射区、基区和集电区
2021-05-13 06:43:22
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说,逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低(正向约10%以下)耐压低 (7 to 8V 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为
2010-08-12 13:57:39
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件,设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时,该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 09:41:49
电压(与功率MOSFET的低导通电阻相当)和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性,但仍比不上功率MOSFET,这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-05-06 05:00:17
电压(与功率MOSFET的低导通电阻相当)和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性,但仍比不上功率MOSFET,这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
2019-03-27 06:20:04
分为增强型和耗尽型,这两种电子元器件工作原理略有不同,增强型管在栅极(G)加上正向电压时漏极(D)和源极(S)才能导通,而耗尽型即使栅极(G)没加正电压,漏极(D)和源极(S)也是导通的。其实到这场效应晶体管
2019-04-15 12:04:44
向下缩放时失去对漏电流的控制。 答案是利用第三个维度。 MOSFET晶体管从平面单栅极器件演变为多栅极3D单元,以增加电流驱动并减轻短通道效应。 使用3D还可以减少晶体管的面积。占据第三维可以
2023-02-24 15:20:59
求大神相助,Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那,当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
。晶体管NPN型和PNP型结晶体管工作状态晶体管的工作原理类似于电子开关。它可以打开和关闭电流。晶体管背后的基本思想是,它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。1)截止
2023-02-15 18:13:01
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常,NPN晶体管将一块P型硅(基极)夹在两块N型(集电极和发射极)之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作?以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
型掺杂半导体材料隔开。PNP晶体管中的大多数电流载流子是空穴s,而电子是少数电流载流子。施加到PNP晶体管的所有电源电压的极性都是反转的。电流在PNP中吸收到基极,由于PNP是电流控制器件,适度的基极
2023-02-03 09:44:48
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29:56
众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此,将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替,MFR151管子能用哪个来代替?或是谁有这两个高频管子的原件库?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
路,包括矩形波振荡器,射极跟随器,宽带放大器,电子电位器,OP放大器,带自举电路的射极跟随器,Sallen-Key型低通滤波器,带隙型稳压电路,三角波→正弦波变换器,低失真系数振荡器,移相器,串联调节器,斩波放大器等。 点击链接进入旧版 :晶体管电路设计与制作
2020-08-19 18:24:17
管和双管电路,主要目的是理解晶体管的基本工作机制。第二部分介绍各种晶体管应用电路,包括矩形波振荡器,射极跟随器,宽带放大器,电子电位器,OP放大器,带自举电路的射极跟随器,Sallen-Key型
2021-01-05 22:38:36
何为晶体管?晶体管又称双极结型晶体管 (BJT),是由电流驱动的半导体器件,用于控制电流的流动,其中,基极引线中的较小电流控制集电极和发射极之间较大的电流。它们能用于放大弱信号,用作振荡器或开关
2018-06-29 16:45:19
管的UGS一ID曲线,可明白看出IDSS和UP的意义。(3)开启电压开启电压UT是指加强型绝缘栅场效应晶体管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。(4)跨导跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制
2019-04-04 10:59:27
行业真正的“领头羊”?一、三极管定义:三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。三极管
2019-04-08 13:46:25
所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件,研制人员在为这种器件命名时,想到它的电阻变换特性,于是取名为trans-resister(转换电阻),后来缩写为transistor,中文译名就是
2019-12-16 13:33:31
类型。
双极结型晶体管(BJT)
双极结型晶体管是由基极、集电极和发射极 3 个区域组成的晶体管。双极结型晶体管(与 FET 晶体管不同)是电流控制器件。进入晶体管基极区的小电流会导致从发射极流向集电极
2023-08-02 12:26:53
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
端工作,因此很容易实现电子控制或电气同步。光电晶体管中使用的材料通常是GaAs,主要分为双极光电晶体管、场效应光电晶体管及其相关器件。双极光电晶体管通常具有高增益,但不会太快。对于
2023-02-03 09:36:05
显示器和透明太阳能电池板产品的出现。 在许多透明电子系统中,晶体管都是至关重要的部件。如今,这种器件通常是薄膜晶体管形式,由In2O3、ZnO2、SnO2等透明导电氧化物材料制成。 不过,薄膜晶体管
2020-11-27 16:30:52
的主要电荷载流子。因此,NPN型晶体管的响应时间比PNP型晶体管快。因此,NPN型晶体管是高频相关器件中最常用的,并且它们比PNP型晶体管制造简单,使它们成为两种类型中更常用的。PNP 晶体管PNP
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对,由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
电场控制材料的电导率。 鳍式场效应晶体管是一种非平面器件,即不受单个平面的限制。它也被称为3D,因为具有第三维度。 为避免混淆,必须了解不同的文献在提及鳍式场效应晶体管器件时使用不同的标签
2023-02-24 15:25:29
本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用零增益概念来产生稳定(对输入电流电平的变化较不敏感)的输出电流。材料
2021-11-01 09:53:18
PNP晶体管在哪里使用?放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管?首先,为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
单极型晶体管也称场效应管,简称FET(FieldEffectTransistor)。它是一种电压控制型器件,由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与
2020-06-24 16:00:16
请教:单结晶体管在什么位置,有人说是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在学习单结晶体管,按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真,大多数都不成功,请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊,可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下,基极-发射极结(称这个PN结为“发射结”)处于正向偏置状态,而基极-集电极(称这个PN结为“集电结”)则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
放大,似于多路比较器的输出,NPN型晶体管多发射极分别接到比较器的输出端,集电极共用一路上拉电阻连接至电源,如果多路比较器有一路导通,则该多发射极晶体管集电极输出导通拉低,电平为低电平。
不知是否是我理解的这样?
2024-01-21 13:47:56
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,属于电压控制性半导体器件,具有输入电阻高,噪声小,功耗低,没有
2012-08-03 21:44:34
场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。场效应晶体管特点(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;(2)场效应管的输入端电流极小
2019-05-08 09:26:37
仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2021-05-24 06:27:18
载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管
2018-11-05 17:16:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 编辑
场效应管是一种放大器件元件,而晶体管是场效应管元件它是通过改变输入电压来控制输出电流的,它是电压控制器件,它不吸收信号源电流
2012-07-11 11:36:52
和集电极之间具有无限电阻,当它完全打开时,发射极和集电极之间的电阻为0,导致电流流到最大。 实际上,当晶体管在截止时(即完全关闭时)运行时,我们将有少量漏电流。另一方面,当在饱和区域工作时,该器件具有低
2023-02-20 16:35:09
1. 场效应晶体管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流;而场效应晶体管是电压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流
2019-03-29 12:02:16
本应用指南介绍了一种采用后向设计的基本驱动电路,它从输出晶体管器件开始再返回到水平振荡器,便于加速晶体管的水平输出级。
2014-09-22 17:14:04
IGBT是由哪些部分组成的?绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点?如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
什么是微波功率晶体管?如何提高微波功率晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
晶体管依照用途大致分为高频与低频,它们在型号上的大致区别是什么?例如《晶体管电路设计》中列举的:高频(2SA****,2SC*****)、低频(2SB****,2SD****)。现在产品设计中最常用的型号是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大,通过什么手段能解决?
2021-06-24 07:29:25
。②开关动作图2晶体管的动作有增幅作用和开关作用。在增幅作用中,通过注入基极电流IB,能够通过增幅hFE倍的集电极IC。在活性领域中,通过输入信号持续控制集电极电流,可以得到输出电流。在开关作用中,在
2019-04-09 21:49:36
选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻:R1是±30% E-B间的电阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字晶体管具有下面的关系式。■数字晶体管
2019-04-22 05:39:52
晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
100GHz以上。 电子管是利用静电场对电子流的控制来工作的,是电压控制元件,与MOS场效应管的工作原理有些相似。所以输入阻抗极高,输入信号只要电压,不需要电流。晶体管是利用半导体器件内杂质浓度的差异
2016-01-26 16:52:08
特性,我们将首先从GaN器件驱动电路设计开始介绍。 正确设计驱动电路 诸如英飞凌科技 CoolGaN™600 V HEMT之类的GaN晶体管采用了栅极p型掺杂工艺,这会将器件的栅极阈值电压转换
2021-01-19 16:48:15
栅双极晶体管(IGBT)实现此类拓扑。本文中,我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点,包括更低的开关损耗、更佳的压摆率控制和改进的器件保护。
2020-10-27 06:43:42
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
见证者,肖克莱在这本笔记上郑重地签了名。1948年,肖克莱发明了“结型晶体管 ”。1948年7月1日,美国《纽约时报》只用了8个句子的篇幅,简短地公开了贝尔实验室发明晶体管的消息。“一石激起千层浪”,它就像颗重磅***,在全世界电子行业“引爆”出强烈的冲击波。电子计算机终于就要大步跨进第二代的门槛!
2012-08-02 23:55:11
组合的结果是,“ IGBT 晶体管”具有双极性晶体管晶体管的输出开关和导通特性,但像 MOSFET 一样是电压控制的。Igbt 主要应用于电力电子应用领域,如逆变器、变换器和电源等,但功率双极器件和功率
2022-04-29 10:55:25
来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶体管模型數據庫以外,更多更多晶体管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶体管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
。还是回到这篇文章的主题,晶体管的使用心得。由于本人所从事行业的限制,基本没有机会像《晶体管电路设计》书中那样深入的使用晶体管来搭建电路,而更多的是使用晶体管来实现功率负载的控制,还有配合运放或者其它
2016-06-03 18:29:59
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
时,RC阻尼电路能够一直晶体管集电极和发射极间出现的浪涌电压。 3、充放电型RCD阻尼电路 图三 图三适用于带有较窄反向偏置安全工作区的器件浪涌电压一致。当晶体管关断时,电容C通过二极管被充电
2020-11-26 17:26:39
本文首先阐述了晶体管的概念,其次介绍了晶体管的优越性,最后阐述了晶体管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1211819
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