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电子发烧友网>电源/新能源>开关电源>Vishay发布11颗采用Gen II超级结威廉希尔官方网站 的新款500V高压MOSFET

Vishay发布11颗采用Gen II超级结威廉希尔官方网站 的新款500V高压MOSFET

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Vishay发布新款斜率控制的P沟道高边负载开关

Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关,器件可在1.5V~5.5V电压范围内工作,具有低至20mΩ的导通电阻、低静态电流, 导通电压上升斜率为3ms
2013-05-03 15:50:581089

Vishay扩充其TrenchFETGen III P沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783

Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET
2013-12-02 09:49:211075

Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET

x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB,扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFETVishay
2013-12-05 10:30:05898

Vishay发布HML新款微型轴向引线的厚膜电阻

Vishay发布HML新款微型轴向引线的厚膜电阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用结实耐用的塑料外壳,可用于助听器和工业高频探头。
2014-01-21 11:39:25721

Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET

日前,Vishay宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFETVishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381

Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET® MOSFET

Vishay发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装,使用TrenchFET® Gen IV威廉希尔官方网站 新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的500V家族
2014-10-09 12:59:191468

Vishay新款20V MOSFET提高便携式电子产品功率密度和可靠性

宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超小尺寸、热增强
2015-03-05 16:30:04855

Vishay推出采用SurfLight威廉希尔官方网站 新款红外发射器

宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 4 月14 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新型的采用插脚封装和SMD封装的高速940nm红外发射器。
2015-04-17 15:32:121109

Vishay针对工业和医疗应用,推出新款高电压厚膜片式电阻

的PCB空间。Vishay Draloric RCV e3器件采用0805和1206外形尺寸,限定芯电压分别为400V和500V
2015-05-07 16:15:121145

采用集成高压MOSFET和Qspeed二极管的PFC控制器

采用集成高压MOSFET和Qspeed二极管的PFC控制器
2016-05-11 15:18:1411

Vishay将卡扣式铝电容器中的500V器件的使用寿命延长到5000小时

卡扣式铝电容器中的500V器件的使用寿命延长到5000小时。Vishay BCcomponents的电容器适用于太阳能逆变器、工业电机控制和电源,在+105℃下的使用寿命长达5000小时。
2017-04-14 16:42:521043

基于AVR高压编程器的STK500-II应用与开发

文档中介绍了基于AVR高压编程器的STK500-II应用与开发,操作步骤及图解。
2017-08-31 11:23:0325

现货推荐 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET威廉希尔官方网站
2021-04-21 17:50:211274

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