7nm和10nm哪个提升更大 - 7nm性能提升大吗_7nm和10nm提升哪个大

　　7nm和10nm哪个提升更大

　　1、对比现有封装，台积电的InFO能带来20%的封装面积减少，20%的性能提升以及10%的散热改善。看起来封装也对SOC性能有明显影响。。。（难怪说台积电依靠16FF+和InFO有信心独吞A10）

　　2、依靠良品率的持续改进，16nm作为新制程产能攀升速度，创了新纪录。除了16FF+，还有16FFC。包括16+和16C，将有40个客户的100个芯片流片。16nm会和28nm一样长寿（祖传），按照上面说法，没有第一代16FF

　　3、10nm密度是16FF+两倍，速度提高20%，功耗降低40%。

　　4、7nm相比10nm在密度、速度、功耗都会有明显提升

　　其实制程的瓶颈我们早已遇到，当初凭借将电晶体的平面结构转化为立体结构，也就是FinFET（鳍式场效电晶体）的使用，我们突破桎梏，迎来了10nm制程的时代。而从10nm往后，处理器的发展就寄托于新的蚀刻工艺—极紫外光刻（EUV），用更小更锋利的“手术刀”来切割出更小的电晶体结构。

　　为什么原来说7nm是半导体工艺的极限

　　10年前我们觉得65nm工艺是极限，因为到了65nm节点二氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了HKMG，用high-k介质取代了二氧化硅，传统的多晶硅-二氧化硅-单晶硅结构变成了金属-highK-单晶硅结构。

　　5年前我们觉得22nm工艺是极限，因为到了22nm沟道关断漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了finfet和FD-SOI，前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力，后者用氧化埋层来减小漏电。

　　现在我们觉得7nm工艺是极限，因为到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电。所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。

　　当我们说工艺到了极限的时候，我们其实是在说在现有的结构、材料和设备下到了极限。然而每次遇到瓶颈的时候，工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性。

　　当然这里面的代价也是惊人的，每一代工艺的复杂性和成本都在上升，现在还能够支持最先进工艺制造的厂商已经只剩下三家半了。

　　7nm工艺处理器价格不低

　　根据国外媒体报导指出，芯片中的线宽越小，就可以在单位面积的芯片上整合更多的晶体管，也使得系统芯片可以整合更多芯片，让功能更加强大。不过，之前所公布的高通骁龙845处理器，就有消息指出，高通已经决定该产品将不会采用新一代的7纳米工艺制造，而将继续使用三星半导体的10纳米工艺生产。至于，全球第2大手机芯片厂商联发科，也决定在其HelioP处理器中，采用台积电的12或16纳米工艺，生产时间将是2018年上半年。

　　报导中进一步指出，半导体产业人士表示，手机芯片制造商迁移到7纳米工艺的动力不足，主要是新威廉希尔官方网站 所提供的竞争力比较有限。因为，采用7纳米工艺生产的处理器，可以获得更低的功耗。但是，在处理性能和芯片面积缩小方面，和10纳米工艺相差不大。

　　目前，全球最大的半导体代工厂台积电，也正在优化其最新的7纳米+工艺，这使得手机芯片制造商也保持观望态度，然后决定采用7纳米工艺，还是等待更进阶的7纳米+工艺，可以保持厂商们在7纳米工艺上的投资不浪费。这也说明了高通的骁龙845处理器为什么不前进7纳米工艺，仍然留在10纳米工艺的原因。

　　此外，随着全球智能手机成长速度明显下滑，厂商也压低了芯片的采购价格，这使的芯片制造商会更加谨慎考虑所使用的工艺和成本。因为一旦采用7纳米工艺，这显示代工成本将会增长，芯片制造商的利润率也将受到影响。因此，做为高端手机龙头厂的三星和苹果，2018年仍然会进入7纳米工艺处理器的阶段。至于，出货量仅次于三星与苹果的华为，在受限成本压力下，预计将不会随之跟进。

　　也业界人士统计，一旦手机芯片规划采用了7纳米工艺来生产之后，芯片制造商大约需要每年1.2亿套到1.5亿套的产量才能够盈亏平衡，弥补研发成本。目前看来，只有苹果、三星、高通和联发科能够达到这样的生产规模。其他包括华为、小米在内的手机厂商，虽然有能力自行设计手机处理器。但是，因为产量规模比较低，难以和专业芯片制造商一样，快速采用最先进的线宽和生产威廉希尔官方网站 。因此，将不会贸然前进7纳米工艺的世界中。