时间{write_ds(0,0); //秒write_ds(2,43); //分write_ds(4,3); //时} //初始化时钟void DS_init(){DS_AS=0;DS_DS=0;DS_RW=0
2016-02-24 11:19:45
0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
DS1243, DS1243Y资料介绍,64k NV SRAM，带有隐含时钟DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鲜一般说明DS1553是一个全功能、符合2000年（Y2KC）标准的实时时钟/日历（RTC），带有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和8k x 8非易失性静态RAM。用户对DS
2020-09-17 17:24:23
特征➤集成NV SRAM、实时时钟（RTC）、晶体、电源故障控制电路和锂能源➤时钟寄存器与静态RAM访问相同；这些寄存器位于16个顶级RAM位置➤世纪字节寄存器（即符合Y2K）➤完全不易挥发，在断电
2020-09-16 17:17:42
•在引导闪存之间选择 •设置ASIC配置/配置文件 •服务器 •网络存储 •路由器 •电信设备 •PC外围设备 一般说明 DS4520是一个9位非易失性（NV）I/O扩展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
1内核，32位，168M FPU（浮点数处理单元）一般会选用DSP 做浮点数处理。2.IO口，输入输出端口。144个IO引脚(大部分5V）3.内存。 1024K flash, 192k SRAM
2021-07-23 08:02:43
电路,周期中断/方波选择电路,14字节时钟和控制单元,114字节用户非易失RAM,十进制/二进制累加器,总线接口电路,电源开关写保护单元和内部锂电池等部分组成。DS12887引脚分配如图1：Vcc
2008-10-08 11:18:25
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
特征➤符合ACPI的每月一日警报➤千年虫世纪比特➤直接时钟/日历替换IBM®AT兼容计算机和其他应用程序➤2个索引阴影寄存器➤2.7–5.5V操作➤240字节的一般非易失性存储器➤专用
2020-09-16 17:18:59
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM威廉希尔官方网站
和一流的SONOS非易失性威廉希尔官方网站
。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
大家好：关于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些问题要问：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，应该设置哪种模式，“保留模式”？如果在上电后将pWRYL模式控制位设置为0x02
2018-09-26 10:01:35
集成了许多增强特性，例如硅序列号，电源开/关控制电路，和2K、4K或8K字节的电池备份NV SRAM。DS17287，DS17487和DS17887 (下文以DS17x87代替)在24引脚DIP模块
2018-11-29 12:15:00
，从而保持20ns的SRAM读取时间（2 * 10ns），而不是系统逻辑的其余部分吗？我的想法是，通过读操作，SRAM时钟（100MHz）的上升沿与系统时钟（50MHz）的上升沿一致将在总线上具有虚拟地址
2019-07-03 12:51:27
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
（RTC）是低功耗、全二-十进制码（BCD码）、带56字节非易失SRAM的时钟/日历芯片。地址与数据通过2线双向总线串行传送。时钟/日历可以提供秒、分、时、日、星期、月、年信息。对于少于31天的月份
2013-07-30 17:35:35
SRAM2 都充满了垃圾（当然我的数组填充了非零值）。停下，停下，停下！SPI 没有收到任何数据，DMA 中断没有启用，什么也没做。我认为原因是启用了 D2 域的时钟（DMA 控制器与 SRAM2 共享时钟
2022-12-14 07:16:54
DESCRIPTIONThe DS1746 is a full-function, year-2000-compliant (Y2KC), real-time clock/calendar (RTC
2008-08-10 10:39:53
16 GENERAL DESCRIPTIONThe DS1501/DS1511 are full-function, year 2000-compliant real-time clock
2008-08-10 10:40:4924 具有 CPU 监控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC，3V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
具有 CPU 监控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC，5V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
DS1558为完备的、2000年兼容(Y2KC)的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控以及NV SRAM控制器。用户访问DS1558中所有寄存器都通过
2023-04-19 17:25:07
DeepCover®嵌入式安全方案采用多重先进的物理安全机制保护敏感数据，提供最高等级的密钥存储安全保护。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、实时时钟
2023-07-14 15:15:30
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:48:54
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字节宽度的接口对DS1744内部的所有寄存器进行
2023-07-21 17:11:57
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
DS3234 高精度、SPI总线RTC，集成晶体和SRAM
DS3234是一款低成本、超高精度、采用SPI™总线的实时时钟(RTC)，集成了温度补偿晶体振荡器(TCXO)和晶体
2008-11-27 18:01:34
2659 
DS3650 NV SRAM控制器、RTC及监控电路，带有篡改检测
DS3650是一款4线兼容控制器，满足支付卡行业(PCI)以及其他数据保护和安全性能很关键的设备的温度和电
2009-03-02 14:53:11716 摘要：本应用笔记说明怎样配置DS325X、DS316X、DS317X和DS318X器件中的时钟速率适配器(CLAD)来产生多种时钟源。在具体应用中，这些时钟源可用作LIU参考时钟或发送时钟。
2009-04-18 11:57:04738 
DS1643, DS1643P 非易失时钟RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:451037 
该DS1557是一个全功能实时时钟/日历(RTC的同一个RTC报警，看门狗定时器，上电复位，电池监控)，以及512K的× 8非易失性静态RAM。用户访问DS1557内部所有寄存器完成了一个字节宽
2010-09-15 09:51:32730 
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
2010-09-28 08:58:301105 
DS1554是一个全功能的，2000年兼容(Y2KC)，实时时钟RTC的闹钟，看门狗定时器/日历(RTC)上电复位，电池监控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081395 
DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-21 09:03:59888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:231511 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011420 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、实时时钟(RTC)、CPU监控电路和温度传感器，可以为加密交易终端和其它安全敏感应用提供篡改保护
2011-04-27 10:23:37879 DS1346/DS1347的SPI™兼容的实时时钟(RTC)含有一个实时时钟/日历和31 × 8位静态随机存取存储器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600 
DS1338串行实时时钟(RTC)是低功耗、全二进制编码的十进制(BCD)时钟/日历，外加56字节NV SRAM。
2011-10-18 14:42:486683 
DS1500为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节内置非易失(NV) SRAM、为备份外围SRAM提供NV控制以及一个32.768kHz频率的输出
2011-12-19 11:08:181741 
DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟
2011-12-19 11:15:391685 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:41:50905 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:181184 
DS1243Y 64K非易失SRAM，带有隐含时钟是一个内置的实时时钟(8192字由8位)是由完全静态非易失性内存 。
2012-01-04 10:53:261255 
DS1746是一个全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，实时时钟/日历(RTC)和128K×8非易失性静态RAM
2012-03-19 16:28:12822 
FEATURES Integrated NV SRAM, Real-Time Clock (RTC), Crystal, Power-Fail Control Circuit
2012-03-19 17:01:1615 DS3232M是成本低，非常准确，，I²C实时时钟(RTC)，具有236字节电池供电的SRAM。该器件集成了一个电池输入和设备的主电源中断时保持精确的计时。
2012-03-23 11:09:292813 描述 幻影的时钟和套接字提供电池备份SRAM的SmartWatch NV或NV SRAM的控制，分别添加计时信息。在不使用任何SRAM数据空间的情况下访问计时数据。通过将一个唯一的64位序列写入
2017-04-08 09:47:291 DC1744A-设计文件
2021-04-09 19:07:290 DC1744A-演示手册
2021-04-14 11:36:330 DC1744A-设计文件
2021-06-09 12:36:391 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1744-70+相关产品参数、数据手册，更有DS1744-70+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1744-70+真值表，DS1744-70+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-18 20:04:38
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2022-11-18 20:05:35
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2022-11-18 20:24:41
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2022-11-18 20:25:13
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2022-11-18 21:25:22
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2022-11-18 21:25:58
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2022-11-18 21:44:46
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2022-11-18 21:46:02
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2022-11-18 21:53:44
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2022-11-18 22:10:38
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2022-11-21 21:50:21
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2022-11-21 21:53:53
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2022-11-21 21:55:18
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2022-11-21 21:57:50
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2022-11-21 21:58:19
在发射端，DS3（E3）时钟和DS1（E1）时钟由输入引脚派生，但DS2（E2）时钟频率是DS3（E3）时钟频率的一小部分。出于设计原因，分数将表示为整数比率，这取决于设备的模式。DS1（E1）时钟可以容忍基于DS3（E3）时钟频率和器件模式的频率范围。
2023-02-22 10:10:18467 
DS3112具有六种不同的发送时钟和六种不同的接收时钟类型：发送DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1时钟，以及接收DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1时钟。由于电路中同一级的时钟具有相似
2023-06-13 15:39:46317 
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