模拟电路网络课件 第五节:半导体二极管

 
二极管的V–I 特性曲线
 
1．正向特性

正向特性表现为图中的①段。当正向电压较小，正向电流几乎为零。此工作区域称为死区。Vth称为门坎电压或死区电压（该电压硅管约为0.5V，锗管为0.1V)。当正向电压大于Vth时，内电场削弱，电流因而迅速增长，呈现出很小的正向电阻。

2．反向特性

反向特性表现为如图中的②段。由于是少数载流形成的反向饱和电流，所以其数值很小。但温度对它影响很大，当温度升高时，反向电流将随之增加。

3．反向击穿特性

反向击穿特性对应于图中③段，当反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加，二极管被反向击穿。其原因和PN击穿相同。

2.3.3 二极管的主要参数

器件的参数是对其特性的定量描述，也是我们正确使用和合理选择器件的依据。半导体二极管主要参数有：

最大整流电流IF

指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，它是由PN结的结面积和外界散热条件决定的。实际应用时，二极管的平均电流不能超过此值，并要满足散热条件，否则会烧坏二极管。

最大反向工作电压VR

指二极管的使用时所允许加的最大反向电压，超过此值二极管就有发生反向击穿的危险。通常取反向击穿电压的一半作为VR。

反向电流IR

指二极管未反向击穿时的反向电流值。此值越小，二极管的单向导电性越好。此值与温度有密切关系，在高温运行时要特别注意。

最高工作频率fM

主要由PN结的结电容大小决定，超过此值，二极管的单向导电性将不能很好地体现。

由于制造工艺的限制，即使是同一型号的管子，参数的分散性也很大，手册上往往是给出参数的范围。