你好,我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。为了驱动这些MOSFET,我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的问题是我需要在门到源之间安装二极管和电阻,如下
2018-10-26 14:46:14
栅极与源极之间加一个电阻,这个电阻起到什么作用?一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S;
2019-05-23 07:29:18
了一种独特但简单的栅极脉冲驱动电路,为快速开关HPA提供了另一种方法,同时消除了与漏极开关有关的电路。实测切换时间小于200 ns,相对于1 s的目标还有一些裕量。其他特性包括:解决器件间差异的偏置编程
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2021-07-09 07:00:00
地在MOS管的漏-源稳态截止电压上,出现电压尖峰。我的问题如下【1】MOS管的漏极就是相当于三极管的集电极,为什么要说成漏极,漏这个说法我一直不明白?【2】经常可以看到说变压的漏磁,漏磁通,或者电感的漏感,怎么理解这些定义?【3】上文说的,漏磁通下降了,漏感就任然可以释放储能,是根据什么?谢谢
2017-07-22 11:57:00
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中,通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是,在实际工作环境中,MOSFET的最大峰值漏极-源极电压小于器件规格的标称漏极-源极中断电压的90
2021-11-12 08:12:11
如图,IC几个管脚是代表不同的几组漏源极?这几组管脚有什么区别呢?
2020-12-24 15:43:21
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗?
2023-05-16 14:33:51
MOSFET驱动电路中自举电容如何发挥作用?为何漏极48V导通后栅极就变成63V了?
2015-07-30 14:49:53
管正向电流(ISM):72A漏源电压(VDSS):200V栅极阈值电压(VGS):±30V静态漏源导通电阻(RDS(on)):0.18Ω二极管正向压降(VSD):1.5V零栅极电压漏极电流(IDSS
2021-12-28 17:08:46
小女子初次进入这个行业请多多帮忙 ………………不胜感激{:soso_e100:}MOS管漏极与源极并联一个稳压二极管是什么作用???上图中PD3的作用
2011-10-09 14:42:41
MOS管漏极振铃Q6换成了YJN02N10A,100V2A的MOS,电感换成了47uH(某品牌样机的是47uh)负载电流要求≤90ma,输出电压0-45V可调,负载电阻500欧,我买了一个水泥电阻
2022-05-23 19:16:03
普通N MOS管给栅极一个高电压 ,漏极一个低电压,漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管,给栅极一个4-10V的电压,漏源极不能导通。是不是要大于栅源击穿电压VGSO(30v)才可以?
2019-06-21 13:30:46
简称上包括NMOS、PMOS等。1、三个极的判定G极(gate)—栅极,不用说比较好认 S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是 D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是
2023-02-10 16:17:02
传说中的米勒电容。 这三个等效电容是构成串并联组合关系,它们并不是独立的,而是相互影响,其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的,它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化,同时会影响栅极和源
2023-03-15 16:55:58
数字电路中MOS管常被用来作开关管,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,根据构成和导通特性可分为四类MOS管:g被称为栅极,d为漏极,s为源极,B为衬底,在实际生产中,衬底与源极相连,所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
MOS管驱动电机,负载接在漏极端;MOS+运放组成的恒流源,负载也在漏极端。想问一下,负载可以放在源极吗?两者有什么区别?
2021-07-08 18:07:57
形成电子导电沟道,将源极和漏极连起来。2. 漏极加正电压(VDS>0),形成横向电场,电子逆着电场方向漂移到漏极,形成漏极到源极的电流。深入了解:1. 如果栅极家的电压不够大,即
2012-07-04 17:27:52
形成电子导电沟道,将源极和漏极连起来。2. 漏极加正电压(VDS>0),形成横向电场,电子逆着电场方向漂移到漏极,形成漏极到源极的电流。深入了解:1. 如果栅极家的电压不够大,即
2012-07-06 16:06:52
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的?在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V,在可变电阻状态中,作为开关电路是怎么计算R5和R6?
2021-04-19 00:07:09
MOS管在什么情况下流过连续漏记电流?在什么情况下流过脉冲漏极电流?正常用方波脉冲驱动MOS管通断的话,流过MOS管的是连续漏极电流还是脉冲漏极电流?
2018-08-23 15:30:44
Multisim里单独一个PMOS管什么也不接只给源极加个电压,用示波器测它漏极为什么会有和源极一样的电压
2016-12-03 15:12:13
N型IGBT的门极、集电极、发射极怎么区分?
2015-11-26 00:00:45
Pmos关闭状态下,源极输入5v,漏极空载(断开)的电压为什么实测是4V左右,不是应该是0吗?
2019-12-22 14:04:20
漏源导通电阻:156 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:10 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷:6.8 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散
2020-09-24 14:33:55
STM8S105 / 103的I / O引脚的“安全”漏极/源极电流是多少?以上来自于谷歌翻译以下为原文 What is 'safe' sink/source current for I/O pins for STM8S105/103
2019-02-19 15:50:27
设计。 01 TO-247-3与TO-247-4两种封装类型介绍 图1 传统TO-247-3封装的MOSFET类型 传统的TO-247-3封装的MOSFET类型如图1所示,其管脚由栅极、漏极和源极构成。从
2023-02-27 16:14:19
TVS二极管的正负极一般用万用表测量测量二极管的档位,单向侧有连接,双向两侧有电压;直流测量的雪崩击穿特性是双向对称的,只有反向单向的。一般来说,它测量在1mA。所有的TVS二极管经过放大后,都会有一个阴极线,用来区分二极管的正负极,它是独立于单极和双向的。TVS二极管规格书下载:
2021-12-17 11:51:05
全桥逆变后接的是容性负载,全桥的高压是220v整流的,驱动是用的ir21834做的 自举电容是用的1uf快速二极管用的是rf107mos管耐压是500v 电流8a 全桥逆变接容性负载工作大概3分钟mos管的漏极和栅极通了且mos管的封转裂了 是由于负载引起的过热还是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗?为什么?
2015-10-25 20:56:23
“ ON”,因此需要相对于源极的负栅极电压来调制或控制漏极电流。只要不存在输入信号且Vg保持栅极-源极pn的反向偏置,只要稳定电流流过JFET,就可以通过从单独的电源电压偏置或通过自偏置装置来提供该负电
2020-09-16 09:40:54
发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。判断理由:JFET的输入电阻
2019-08-04 07:00:00
是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上
2019-07-30 07:30:00
“ ON”,因此需要相对于源极的负栅极电压来调制或控制漏极电流。只要不存在输入信号并且Vg保持栅极-源极pn的反向偏置,只要稳定电流流过JFET,就可以通过从单独的电源电压偏置或通过自偏置装置来提供该
2020-11-03 09:34:54
控制小信号。对于大电流,三极管发热会比较严重。mos管因为导通电阻非常小,所以特别适合控制大电流的电路。mos管(场效应管)的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们
2017-10-26 23:45:23
的方向。MOSFET管是另一种非常常见的晶体管类型。它也具有三个引脚:栅极(G)、漏极(D)、源极(S)MOS管和三极管同为晶体管,它们之间的工作原理也有些类似之处:1).MOS管的源极S、栅极G、漏极
2023-02-20 15:30:11
在使用三极管的时候,按照top view的图中,看到三极管的栅极、源级和漏级所对应的引脚,但在使用的时候(参看原理图和PCB图)实际原件按照对应封装对应引脚连入电路,当G和S极调换连接时,电路才会
2015-01-01 15:04:25
,因此,下管的寄生二极管在死区时间内具有导通损耗,同时具有二级管的反向恢复损耗。 功率MOSFET的寄生参数模型如图1所示,其中,G、D、S分别为封装好的器件外部的栅极、漏极和源极,G1、S1分别为内部
2020-12-08 15:35:56
电压。将这些式子结合起来,可得到MOSFET栅极驱动电压是漏源电压的函数:VGS=-(R2/R1)VDS二极管规格书下载:
2021-04-08 11:37:38
什么是集电极开路(OC)?什么是漏极开路(OD)?
2021-03-10 06:35:21
PLC输入分为源型和漏型,什么是源型和漏型,是指传感器的晶体管类型吗?源型NPN和漏型PNP,还是指信号流入流出的方向,源极为流出,射极为流入?再或者是指信号输出的方式,集电极输出和射极输出?电子专业常说的有源指的是什么?什么有源负载,有源电路的。
2024-01-14 00:29:14
TG传输门电路中。当C端接+5,C非端接0时。源极和衬底没有连在一起,为什么当输入信号改变时,其导通程度怎么还会改变?导电程度不是由栅极和衬底间的电场决定的吗?而栅极和衬底间的电压不变。所以其导通程度应该与输入信号变化无关啊!而书上说起导通程度岁输入信号的改变而改变?为什么?求详细解释!谢谢!
2012-03-29 22:51:18
和漏极电荷Qgs:栅极和源极电荷栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中,栅极使用恒流源驱动,也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电,漏极电流ID由外部电路提供,VDS设定为最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢?
2021-03-10 06:19:21
2、试着将MOS管源极的电流采样电阻调大一点,也会使得漏极开机瞬间尖峰稍微减小,但也会导致低压无法启动。
请问是什么原因导致MOS管漏极开机瞬间电压很大?如何解决?
2023-10-09 23:06:47
我的理解(将漏极d与源极s调换):B_VCC是USB供电,为5V。当没有插入DC接口时,PSELF接地,则Ugs=-5V,PMOS导通,VCC=B_VCC;当插入DC接口时,PSELF悬空
2018-10-30 19:25:45
在开关电源中如何消除开关mos管漏极产生的振荡成份呢?
2023-05-09 14:56:25
。 三、场效应管的参数场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数: 1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0
2021-05-13 06:13:46
请教各位大虾,场效应管导通后,源极和漏极的电压是相等的吗?
2013-07-22 11:40:31
小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧
2021-05-13 06:55:31
编辑-ZMOS管10N60的三个极是什么以及如何判断MOS管10N60的三个极是:G(栅极)、D(漏极)和s(源极)。栅极和源极之间的电压必须大于一定值,漏极和源极才能导通。 10N60参数描述
2021-10-22 17:01:01
!它在高侧栅极驱动器源连接(R57、R58 和 R59)中也有 4R7 电阻,我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什么高侧栅极驱动器可能需要对 MOSFET 源极施加一些电阻?
2023-04-19 06:36:06
第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。 判断理由
2012-12-14 11:34:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑
反相电压放大(共发射极(共源极)电路),输入电压(电流)增加,输出电压下降。是因为管压降低了,相当于管子的电阻小了,电流大了
2012-07-09 17:45:33
我正在使用 NUCLEO-L552ZE-Q 并制作了一个非常简单的测试电路来测试漏极开路输出信号。我将引脚配置为漏极开路输出,没有上拉或下拉,信号通过 1K 电阻上拉至 3.3V。当我设置引脚时,我
2022-12-27 06:13:19
童诗白 模拟电子威廉希尔官方网站
基础 第四版 41页 有一段话这样说的:若U[sub]DS[/sub]>0V,则有电流i从漏极流向源极,从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等,而是沿沟道从源极到漏极逐渐
2012-02-22 11:22:26
二极管,从而区分了源极和漏极。实际的元件,p型的,衬底是接正电源的,使得栅极预先成为相对负电压,因此p型的管子,栅极不用加负电压了,接地就能保证导通。相当于预先形成了不能导通的沟道,严格讲应该是耗尽型了
2019-01-03 13:43:48
新手求助五极管帘栅极电容的作用是什么?
2023-03-13 17:50:46
求大神帮忙推荐一个输入12v电压的场效应管:具体就是漏极与源极之间的电压为12v,栅极无输入电压时,源极与漏极截止,当栅极输入电压时,源极与漏极导通,求大神推荐一下产品,顺便告知一下电阻选用哪个范围的?谢谢
2015-08-17 16:07:41
;2)用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和源极上,然后把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场
2020-03-20 17:11:50
漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极
2020-03-04 10:11:00
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
`绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,因此而得名。又因栅极爲金属铝,故又称爲MOS管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多,可达1010Ω以上,还由于它比结型
2019-03-21 16:51:33
N沟型结型管,当栅极和源极之间不加电压时,漏极与源极之间加正电压。这时我们说沟道导通,而且随着漏极与源极之间的电压升高,电流也跟着升高。但是我觉得随着漏极与源极之间的电压升高,也就是漏极与栅极之间
2009-03-07 18:44:34
插入电池,打开开关后U3A导通,那不是漏极拉低,把U3A的栅极拉低?互相矛盾吗
2020-04-02 10:22:38
`设计了一个D类功放,在不加大电压的情况下,用示波器测量功放管的栅极处的驱动信号是正常的,但是在管子漏极加70V电压工作时,驱动信号有毛刺,导致电源保护,请问大神们有遇到过这种情况的吗,怎么解决?下图分别为加入70V漏源电压和不加漏源电压时栅源极驱动信号波形。`
2019-02-21 11:23:53
请问NMOS管的漏极接3个LED负载(每个规格3.3V 150ma)使用DC12V供电,请问具体可以用什么样的管子,漏极电阻RD与栅极电阻RB如何计算,谢谢
2019-01-06 01:38:20
在电流镜像电路中,有时会把场效应管的源级接Vcc,漏极接地,那么当栅极与漏极相连构成电流镜时,场效应管是怎么导通的????
2018-08-09 17:09:04
两层电源板,板子设计中有4个MOSFET管串联,由于只有两层,四个MOSFET管的3个源级要过大电流,所以用铜连接在一起;四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源级和漏极之间(请看图片),不知道这样的栅极走线会不会受影响?
2018-07-24 16:19:28
这是一本单片机书上讲开漏输出的例图,我感觉有问题。
mos管的漏极电压取决于栅极电压,并不是i/o口在控制栅极,不管栅极高还是低,i/o口并没有在输出或者控制,这样的电路有什么用途呢?
还是例图画错了?
2016-02-29 20:37:40
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对
2018-11-01 11:35:35
所示的电路图进行了双脉冲测试,在测试中,使低边(LS)的MOSFET执行开关动作。高边(HS)MOSFET则通过RG_EXT连接栅极引脚和源极引脚或驱动器源极引脚,并且仅用于体二极管的换流工作。在电路图
2022-06-17 16:06:12
高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管,对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24
什么是漏极?什么是源极?什么是栅极?栅极源极漏极怎么区分?漏极 源极 栅极相当于三极管的哪极? 漏极、源极和栅极都是指晶体管(如三极管)的不同极性。 首先,我们需要了解晶体管的基本结构,它由两个PN
2023-11-21 16:00:457821
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