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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>Littelfuse宣布投资碳化硅威廉希尔官方网站

Littelfuse宣布投资碳化硅威廉希尔官方网站

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碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

纬湃科技和安森美签署碳化硅(SiC)长期供应协议,共同投资碳化硅扩产

电气化的强劲增长 除了产能投资外,两家公司还将在进一步 优化主驱逆变器系统 方面达成合作 纬湃科技(Vitesco Technologies) 和 安森美(onsemi) 今天宣布了一项价值19亿美元(17.5亿欧元)的 碳化硅产品10年期供应协议 ,以实现纬湃科技在电气化威廉希尔官方网站 方面的提升。纬
2023-06-02 19:55:01348

纬湃科技和安森美签署碳化硅长期供应协议,共同投资碳化硅扩产

纬湃科技首席执行官Andreas Wolf说:“高能效碳化硅功率半导体正处于需求量激增的起步阶段。因此我们必须与安森美一起打造完整的碳化硅价值链。通过这项投资,我们在未来十年甚至更长时间内都能确保该项关键威廉希尔官方网站 的供应。”
2023-06-06 15:03:47602

碳化硅赛道持续火热 三安光电联合ST加大碳化硅赛道投资超200亿

碳化硅赛道持续火热 三安光电联合ST加大碳化硅赛道投资超200亿 在新能源汽车、充电桩、光伏发电、高压输电市场如火如荼之际,三安光电正持续加大投入;这次又是超200亿。 6月7日晚间,三安光电
2023-06-08 19:33:051051

6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.2氧化硅的介电性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.1氧化速率∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件
2022-01-04 14:11:56775

6.1.1 选择性掺杂威廉希尔官方网站 ∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.2n型区的离子注入6.1离子注入第6章碳化硅器件工艺《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.1选择性掺杂威廉希尔官方网站 ∈《碳化硅威廉希尔官方网站 基本原理——生长、表征、器件
2022-01-06 09:17:33617

碳化硅8英寸时代倒计时 中国厂商能否搭上“早班车”

碳化硅衬底是碳化硅产业链中成本最高、威廉希尔官方网站 门槛最高的环节之一。近期,受到新能源汽车、光伏和储能等市场的推动,碳化硅厂商纷纷投资建设8英寸晶圆生产线,。国内外厂商如Wolfspeed、罗姆、英飞凌、意法半导体、三星和三菱电机等都宣布参与8英寸碳化硅生产的竞争。
2023-07-14 16:22:58690

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优势和应用

碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

新能源车、光伏需求旺盛,碳化硅投资扩产迎来热潮.zip

新能源车、光伏需求旺盛,碳化硅投资扩产迎来热潮
2023-01-13 09:07:123

奥迪宣布又增2款碳化硅SiC车型

前段时间,奥迪宣布年底生产碳化硅车型Q6 e-tron(,最近,奥迪又有1款碳化硅车型公布,同时Lucid也发布了最新的900V碳化硅车型。
2023-11-25 16:13:051423

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优点和应用

碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅的5大优势

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅特色工艺模块简介

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能,碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14293

普兴电子拟建六寸低密缺陷碳化硅外延片产线

预计该项目投资总额3.5亿元人民币,将引进碳化硅外延设备及辅助设备共计116套。其中包括一条具备24万片年产量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料产线。
2024-02-29 16:24:01217

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