德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款集成型七通道继电器驱动器(relay driver),可支持最低 1.8V 到最高 5V 的低电压继电器。
2012-08-30 16:28:521592 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 德州仪器 (TI) 宣布推出两款三相位无刷 DC (BLDC) 电机驱动器,帮助设计人员在几分钟内启动电机,这两款器件还支持最低工作电压与待机电流,将功耗锐降达 75%。
2013-02-27 10:08:191469 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出三款最新 DC/DC LED 驱动器,其可在专业级室内外 LED 照明应用中为高色彩渲染及超低调光简化白色调节。TPS92660 两串 LED 驱动器
2013-05-07 09:52:531109 日前,德州仪器(TI)宣布推出一款集成式栅极驱动器,该器件提供了可调节的栅极驱动设置,可在更为宽泛的范围内,灵活的驱动外部场效应晶体管(FET),从而支持多种电机,以
2015-07-06 14:35:111971 近日,德州仪器 (TI) 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:111114 德州仪器日前宣布,胡煜华(Sandy Hu)女士当选为德州仪器公司副总裁,并继续担任德州仪器中国区总裁。
2018-08-17 11:38:278887 英飞凌提供500多种EiceDRIVER™栅极驱动器解决方案,用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔离型栅极驱动器、 电平转换栅极驱动器以及非隔离低边驱动器,从而满足各种功率半导体威廉希尔官方网站
和功率转换拓扑的设计要求。
2019-01-29 09:58:3227184 大家好,看到TI一篇关于IGBT和SiC器件栅极驱动应用的文档,虽然比较基础,但是概括的比较好,适合电力电子专业的初学者,总体内容如下。
2022-11-25 09:20:301195 电子发烧友网报道(文/李弯弯)当地时间周二,模拟芯片巨头德州仪器(TI)公布了2023年第四季度财报。财报显示,随着汽车芯片库存增加,且汽车行业需求初步显露疲弱迹象,德州仪器上一季度财报表
2024-01-25 09:03:225709 日前,德州仪器 (TI) 在欧洲照明威廉希尔官方网站
策略大会 (the Strategies in Light Europe conference) 上宣布推出两款高度集成的相位可调光 AC/DC LED 照明驱动器 LM3448 与 TPS92070
2011-10-20 09:30:061247 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器,进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。
2012-01-10 09:11:321862 。设计人员可以使用ADI公司,飞兆半导体公司,凌力尔特公司,德州仪器公司等公司的栅极驱动器实现高效的全桥和半桥功率级。
2019-01-23 08:23:004168 从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项,在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项:栅极误导通首先需要了解的是:接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
德州仪器(TI)模拟开关资料
2012-12-20 13:20:28
德州仪器dsp芯片,在汽车电子的高级辅助驾驶系统ADAS中,有一项被称为环视系统的ECU,可以大大增加车辆的智能性和安全性,目前在这方面德州仪器有支持具有各种分辨率的低延迟汽车环视解决方案。加之他们
2021-07-28 08:30:22
Arduino开源项目自2005年实施以后人气越来越旺盛.它可以制作小至环境传感器大至机器人的各种设备.现在Arduino即将变得更为强大,因为德州仪器即将向它提供支持.这家美国科技巨头宣布与源自
2013-10-07 23:03:05
德州仪器推荐使用的元器件
2013-09-03 21:18:24
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
驱动器的关键参数驱动强度提供适当栅极电压的问题通过栅极驱动器来解决,栅极驱动器执行电平转换任务。不过,栅极电容无法瞬间改变其电压。因此,功率FET或IGBT具有非零的有限切换间隔时间。在切换期间,器件
2021-07-09 07:00:00
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
在高度可靠、高性能的应用中,如电动/混合动力汽车,隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进,以及对GaN和SiC工艺威廉希尔官方网站
的引进,现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
Imagination全新BXS GPU助力德州仪器汽车处理器系列产品实现先进图形处理功能
2020-12-16 07:04:43
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
`PE29100集成了高速驱动器,旨在控制外部功率器件的栅极,例如增强型氮化镓(eGaN®)FET。PE29100的输出能够提供亚纳秒范围内的开关转换速度,适用于高达33 MHz的硬开关应用。较高
2021-03-26 16:34:53
Si-MOSFET/IGBT不断改进,以及对GaN和SiC工艺威廉希尔官方网站
的引进,现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此,需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器。这些驱动器的电隔离装置体积小巧,可集成到驱动器芯片
2021-01-22 06:45:02
IGBT 栅极驱动器 – ISO5852s,工作电压隔离为 1.5kVrms,最小 CMTI 为 50 kV/μs整合了针对过流和误开启的保护功能,采用:DESAT 检测软关断有源米勒钳位满足
2018-12-27 11:41:40
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比,SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
使用隔离式IGBT和SiC栅极驱动器的HEV/EV牵引逆变器设计指南
2022-11-02 12:07:56
驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级(驱动强度不足)以及系统级均会带来挑战:难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式
2018-12-07 14:05:13
现货NXP: BLF7G20LS-250P,Freescale: P408ESSE1PNB, Xilinx : XC7K160T-2FFG676ITI(德州仪器) : ADS58C23IPFP
2013-05-11 22:02:18
在现有空间内继续提高功率,但同时又不希望增大设备所需的空间,”德州仪器产品经理Masoud Beheshti说,“如果不能增大尺寸,那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州仪器的GaN产品系列实现
2019-03-01 09:52:45
过。另据报道,与基于IGBT的电机驱动器相比,使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和传统的栅极驱动器可以带来更高的效率[3]。在驱动应用中使用 SiC-MOSFET 的优势可以通过 CSD
2023-02-21 16:36:47
作为应用全SiC模块的应用要点,本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上,介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全SiC模块的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与电路结构,使用缓冲电容器
2018-11-27 16:36:43
将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
频率将减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
减小元件尺寸,从而减小成本、系统尺寸和重量;这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化,其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
电子书“IGBT 和 SiC 栅极驱动器基础知识”
2022-10-25 17:20:12
德州仪器,IGBT最大做到多少功率,官网看到那些都是很小电流的
2019-04-01 14:46:49
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩(电动汽车充电站)应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2018-10-25 10:22:56
用作功率放大器和电平转换器。栅极驱动器的关键参数驱动强度:提供适当栅极电压的问题通过栅极驱动器来解决,栅极驱动器执行电平转换任务。不过,栅极电容无法瞬间改变其电压。因此,功率FET或IGBT具有非零的有限切换间隔时间
2018-11-01 11:35:35
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制,采用节省空间的窄体SO-8封装,通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC威廉希尔官方网站
广泛应用于提高功率转换效率,STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间,并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
飞兆半导体推业界领先的高压栅极驱动器IC
2016-06-22 18:22:01
新年伊始,设计师们似乎在永远不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中,我讨论了高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管
2019-03-08 06:45:10
JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级
2023-05-11 20:38:23
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 S
2023-05-11 20:45:39
与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或
2023-05-12 12:26:54
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOS
2023-05-12 14:20:38
IGBT 的栅极驱动是IGBT 应用中的关键问题。本文阐明构成IGBT 栅极驱动电路的注意事项,基本电路参数的选择原则,还介绍丁几种驱动电路实例。
2010-08-31 16:33:41213 德州仪器推出全新8通道高压双极DAC系列满足低功耗应用需求
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出 6 款最新数模转换器 (DAC),其可提供 12、14 以及 16 位版本,并采用 SPI 或并行
2009-12-14 08:41:19662 德州仪器 (TI) 宣布推出一款带 4 通道分组式延迟的串行控制 16 通道恒流LED 驱动器,TLC59282 可通过对 LED 输出开关进行摆动处理来最大限度降低同步开关噪声
2011-02-18 09:13:00877 日前,德州仪器(TI)宣布推出一款带4通道分组式延迟的串行控制16通道恒流LED驱动器TLC59282,可显著简化视频显示、留言板、娱乐照明和LED指示灯等LED显示应用的设计工作
2011-03-28 09:06:441585 德州仪器 (TI)日前推出一款带 4 通道分组式延迟的串行控制 16 通道恒流LED 驱动器 TLC59282,该器件的最大特点是,分组式通道延迟(4通道一组)可最大限度地降低同步开关噪声
2011-03-31 10:35:101365 德州仪器 (TI) 宣布面向气囊部署推出TPIC71004-Q1四通道气囊爆管驱动器,从而可提供具有高可靠性与低成本优势的优化集成型标准器件。
2011-05-13 08:43:311106 德州仪器(TI)宣布面向移动消费类及工业设计推出业界最高集成度的压电式触觉驱动器。
2011-07-22 14:46:16992 德州仪器 (TI) 宣布推出具有业界最高性能-功耗比的最新单双通道模数转换器 (ADC) 驱动器,进一步壮大了其通用型低功耗轨至轨输出运算放大器的产品阵营。与类似解决方案相比,该 O
2011-11-15 10:58:271031 德州仪器(TI)是全球领先的数字信号处理与模拟威廉希尔官方网站
半导体供应商,德州仪器(TI)亦是推动因特网时代不断发展的半导体引擎。
2011-12-12 16:25:041513 LED 参考设计指南是您重要的参考工具书,能够充分满足您的各种照明设计需求。希望获得全新低成本创新型 LED 照明解决方案的客户可充分受益于德州仪器(TI) 种类繁多的产品系列,如
2011-12-30 15:41:320 德州仪器(TI)宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。
2012-02-11 09:59:081435 德州仪器 (TI) 宣布推出全差动模数转换器 (ADC) 驱动器,比同类器件性能功耗比提高 8 倍以上,重新定义了低功耗放大器市场。
2012-03-31 08:56:04668 日前,德州仪器(TI) 宣布推出全差动模数转换器(ADC) 驱动器,比同类器件性能功耗比提高8 倍以上,重新定义了低功耗放大器市场。THS4531 全差动放大器静态电流仅为250 uA,带宽
2012-04-05 09:03:02823 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款面向有刷 DC 及步进电机的最新低电压器件,进一步壮大其不断丰富的高集成 DRV8x 电机驱动器产品阵营
2012-04-18 13:58:58931 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等
2012-04-23 16:48:00952 德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器
2012-04-24 09:56:411411 本内容介绍了德州仪器(TI)的流量计解决方案,TI可提供用于激励磁场线圈的PWM驱动器和高压输出DAC
2012-12-03 16:34:051614 德州仪器,个人收集整理了很久的资料,大家根据自己情况,有选择性的下载吧~
2015-10-27 14:04:020 近日,德州仪器(TI)推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可提供先进的电源保护和控制。
2016-02-22 11:22:431166 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比,IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用,因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩(电动汽车充电站)应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS
2017-12-25 11:13:000 德州仪器 (TI) 推出的业界最低功耗 6 核 DSP,该款 TMS320C6472 器件旨在满足要求极低功耗的处理密集型应用的需求。
2020-12-02 12:59:001337 摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 本手册概述了 ACPL-P349/W349 评估板的特性以及评估隔离式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 栅极驱动器所需的配置。需要目视检查以确保收到的评估板处于良好状态。
2021-06-23 10:45:213354 德州仪器(TI)当地周三(21日)公布第三季度猜测,营收略低于分析师预期,引发投资人担心疫情引起的芯片需求激增即将触顶。德州仪器已有多季收入交出两位数增长的佳绩,此次第三季度预测低于预期,引发的推测
2021-07-25 17:26:11548 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间,简化电路设计。
2022-02-15 14:23:261103 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-8 封装,可节省空间并具有精确的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 随着新型功率晶体管(例如 SiC Mosfets)越来越多地用于电力电子系统,因此有必要使用特殊的驱动器。隔离式栅极驱动器通过提供对 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制,旨在满足 SiC(碳化硅
2022-08-09 09:03:001509 聚焦储能新需求,德州仪器芯科技助力中国新基建
2022-10-28 12:00:150 德州仪器汽车应用参考设计精选
2022-11-07 08:07:241 半导体器件是现代电力电子系统的核心。这些系统利用许多门控半导体器件,如普通晶体管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作为开关模式电源(SMPS)、通用电源(UPS)和电机驱动器中的开关元件。电力电子的现代威廉希尔官方网站
发展通常跟随功率半导体器件的发展。
2023-04-04 10:23:45547 所有类型的电动汽车(EV)的高功率、高电压要求,包括电动公交车和其他电子交通电源系统,需要更高的碳化硅(SiC)威廉希尔官方网站
来取代旧的硅FET和IGBT。安全高效地驱动这些更高效的SiC器件可以使用数字而不是模拟栅极驱动器来实现,许多非汽车或非车辆应用将受益。
2023-05-06 09:38:501693 igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响? IGBT是晶体管的一种,它是一种高压、高电流的开关器件,常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管,由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 德州仪器 (TI) 今日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系统效率,同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET
2023-12-01 12:16:04796 报告内容包含:
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT(绝缘栅双极晶体管)
驱动器进化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57156 必易微新推出的栅极驱动器 KP85402,专为家用电器和工业新能源等应用场景而设计。这款产品旨在为客户提供一个高可靠性、低成本的解决方案,以满足各种栅极驱动需求。
2024-01-08 15:33:25390 融合和决策能力,可以实现更高水平的自主性。德州仪器的新款驱动器芯片 DRV3946-Q1 集成式接触器驱动器和 DRV3901-Q1 集成式热熔丝爆管驱动器可支持软件编程,能够提供内置诊断功能并支持功能
2024-01-09 12:15:48505 德州仪器 (TI) 今日在2024年国际消费类电子产品展览会 (CES) 上,发布了其新款半导体产品,旨在提升汽车的安全性和智能性。这些新产品包括AWR2544 77GHz毫米波雷达传感器芯片和两款驱动器芯片,它们都采用了尖端威廉希尔官方网站
,以满足汽车行业日益增长的需求。
2024-01-09 14:04:14289 意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 电子发烧友网站提供《适用于SiC/IGBT器件和汽车应用的单通道隔离式栅极驱动器UCC5350-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:17:510
评论
查看更多