65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
寻求更好的方法去优化和改善这一问题。政策层面,我国对氧化镓的关注度也不断增强。早在2018年,我国已启动了包括氧化镓、金刚石、氮化硼等在内的超宽禁带半导体材料的探索和研究。2022年,科技部将氧化镓列入
2023-03-15 11:09:59
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年,德布瓦博德兰(Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被发现镓,并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域,随着威廉希尔官方网站
的进步以及人们的需求,氮化镓产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新威廉希尔官方网站
有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体威廉希尔官方网站
需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会,使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的威廉希尔官方网站
接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带威廉希尔官方网站
如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力,甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了,氮化镓充电器看起来很小,但是功率一般很大,可以给手机平板,甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么,氮化镓充电器有哪些优点,下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体威廉希尔官方网站
解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化镓的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
采用传统的表面贴装生产方法及其相关的生产效率。这样,采用塑料封装氮化镓进一步助推了供应链成本的下降。——————射频能量的潜力——————氮化镓的性能结合硅成本结构将加速射频领域的创新,为市场打开
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
的数十亿次的查询,便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新威廉希尔官方网站
有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世纪四大发明之一,半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器,具有体积小、成本低、寿命长等优势,是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器(LD)是重要的光电子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化镓电源设计从入门到精通,这个系列直播共分为八讲,本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧,助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾(点击下方内容查看上期直播):- 第一讲:元器件选型
2021-12-29 06:31:58
射频半导体威廉希尔官方网站
的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)威廉希尔官方网站
在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他威廉希尔官方网站
相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信电子威廉希尔官方网站
有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰,智融,赛芯微一级代理吉娜:*** 微信:mphanfan欢迎行业客户联系,获取datasheet、报价、样片等更多产品信息氮化镓威廉希尔官方网站
的普及,使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
有限公司承办。 本届论坛为期3天,同期二十余场次会议,25日上午 “氮化镓材料与器件威廉希尔官方网站
”分会如期召开,分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率威廉希尔官方网站
,瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化镓(GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化镓等威廉希尔官方网站
,共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端,由于对高功率的需求,氮化镓(GaN)因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点:国外某知名品牌半导体企业,深圳氮化镓实验室测试对象:氮化镓半桥快充测试原因:因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头:麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳达优势供应NV6115氮化镓MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD。产品信息1、NV6115氮化镓MOS丝印:NV6115芯片介绍:NV6115氮化镓MOS,是针对
2021-01-08 17:02:10
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
由于换了三星手机,之前的充电器都不支持快充了,一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器,「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器,这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展威廉希尔官方网站
编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
功率模块(APM)、加热和冷却单元等。表1:突破性半导体材料的最佳应用氮化镓的魅力在于其固有的超越硅的几个属性。氮化镓提供更低的开关损耗;更快的速度,类似RF的开关速度;增加的功率密度;更好的热预算
2018-07-19 16:30:38
% 化学物及能源损耗,此外还能,再加上节省超过 50% 的包装材料,那氮化镓的环保优势,将远远大于传统慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
目前,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,宽禁带,以下简称为:WBG)”以及基于新型材料的电力半导体,其研究开发威廉希尔官方网站
备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端威廉希尔官方网站
将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓威廉希尔官方网站
是5G的绝配,基站功放使用氮化镓。氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268,只做原装,价格优势,实单欢迎洽谈。产品信息型号1:NV6127丝印:NV6127属性:氮化镓功率芯片封装:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客户测试后再进行下一步沟通。作为光隔离探头的提供方,麦科信工程师对测试过程提供了威廉希尔官方网站
支持。测试背景:3C消费类产品,其电源采用氮化镓(GaN)半桥方案。测试目的:氮化镓半桥上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
材料特性对比展开,通过泰克仪器测试英飞凌GaN器件来进行氮化镓特性的测量与分析。方案配置:示波器MSO5+光隔离探头TIVH08+电压及电流探头+电源和IGBT town 软件第二步:电路设计和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源,包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但这个口不可以充电,它是用来转VGA,HDMI,DP之类了,可以外接显示器,拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理论极限[1-2],而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性,可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能,有助消除死区时间且增加PWM频率,从而
2023-06-25 13:58:54
带半导体,相比常规的硅材料,开关速度更快,具有更高的耐压。在降低电阻的同时,还能提供更高的过电压保护能力,防止过压造成的损坏。OPPO使用一颗氮化镓开关管取代两颗串联的硅MOS,氮化镓低阻抗优势可以
2023-02-21 16:13:41
氮化镓完整方案有深圳市展嵘电子有限公司提供,包括45W、69W单口、多口全协议输出适配器,更有87W适配器+移动电源超级快充二合一方案。总有一款适合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
这样的领导者正在将氮化镓和固态半导体威廉希尔官方网站
与这些过程相结合,以更低的成本进行广泛使用,从而改变行业的基础状况。采油与传统的干燥和加热方法相比,射频能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。从
2018-01-18 10:56:28
和功率因数校正 (PFC) 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件,隔离式负 V一般事务(关闭)EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法,可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
前言
橙果电子是一家专业的电源适配器,快充电源和氮化镓充电器的制造商,公司具有标准无尘生产车间,为客户进行一站式服务。充电头网拿到了橙果电子推出的一款2C1A氮化镓充电器,总输出功率为65W,单口
2023-06-16 14:05:50
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端威廉希尔官方网站
将功率级
2022-11-10 06:36:09
认证和用于航天航空应用。
EPC凭借“测试器件至失效”的方法对其氮化镓器件进行可靠性测试,而且测试标准远远高于JEDEC的标准,从而提高一代又一代的氮化镓器件的稳健性。该方法找出器件内在故障机制,用于
2023-06-25 14:17:47
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗?
2024-01-11 07:23:47
射频半导体威廉希尔官方网站
的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)威廉希尔官方网站
在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)威廉希尔官方网站
成为接替传统LDMOS威廉希尔官方网站
的首选威廉希尔官方网站
。
2019-09-02 07:16:34
日前,在广州举行的2013年LED外延芯片威廉希尔官方网站
及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告,与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
重要作用。下图展示的是锗化硅和氮化镓的毫米波5G基站MIMO天线方案,左侧展示的是锗化硅基MIMO天线,它有1024个元件,裸片面积是4096平方毫米,辐射功率是65dbm,与之形成鲜明对比的,是右侧氮化
2019-04-13 22:28:48
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗?然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模,有可能实现吗?求教ICCAP软件呢?
2019-11-29 16:04:02
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
,因此我们能够借用各种各样的既有商业光刻和加工威廉希尔官方网站
。借助这些方法,精确定义几十纳米的晶体管尺寸和产生各种各样的器件拓扑结构变得相对简单。其他宽带隙的半导体材料不具备这种难以置信的有用特性,甚至氮化镓也不
2023-02-27 15:46:36
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 威廉希尔官方网站
搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的威廉希尔官方网站
,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 威廉希尔官方网站
搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的威廉希尔官方网站
,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
氮化镓纳米线是一种基于氮化镓材料制备的纳米结构材料,具有许多优异的电子、光学和机械性质,因此受到了广泛关注。氮化镓材料是一种宽禁带半导体材料,具有优异的电子和光学性质,也是氮化镓纳米线的主要材料来源。
2023-02-25 17:25:15738 和所使用的材料。 氮化镓的提取过程: 氮化镓的提取过程主要包括两个步骤:金属镓的提取和氮化反应。 金属镓的提取 金属镓是氮化镓的基本组成元素之一。为了提取金属镓,我们通常采用化学反应的方法。常用的方法是将氮化镓芯片在高
2023-11-24 11:15:20720 氮化镓(GaN)是一种重要的宽禁带半导体材料,其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构: 氮化镓是由镓(Ga)和氮(N)元素组成的化合物
2024-01-10 10:18:33571
评论
查看更多