如果电子元器件工作时,其内部没有任何形式的电源,则这种器件叫做无源器件。如果电子元器件工作时,其内部有电源存在,则这种器件叫做有源器件
2016-10-27 11:30:2052735 基本元器件套件 元器件
2024-03-14 20:37:39
宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06:50
,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2018-10-30 08:57:22
范围的高性能硅方案,也处于实现宽禁带的前沿,具备全面的宽禁带阵容,产品涵盖碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)分立器件、模块乃至围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,为设计人员提供针对不同应用需求的更多的选择。
2019-07-31 08:33:30
不同,MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点,Wafer可以做的很大,目前在8英寸,未来可以做到10英寸、12英寸,整个晶圆的长度可以拉长至2米
2017-08-29 11:21:41
硅基光电子集成芯片,摩尔定律:摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为:当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月
2021-07-27 08:18:42
射频半导体威廉希尔官方网站
的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)威廉希尔官方网站
在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)威廉希尔官方网站
成为接替传统LDMOS威廉希尔官方网站
的首选威廉希尔官方网站
。
2019-09-02 07:16:34
,特别是近年来碳纳米管的发展令人注目,在速度、集成度、特别是功耗方面都将有重大突破,但离开实际应用可能比硅基量子器件要更远一些。原文见王阳元院士在“纳米CMOS器件”书中写的序(2004年1月科学出版社出版)。 :
2018-08-24 16:30:27
,通常将光器件集成在同一硅基衬底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、传输线更好等特点,因为硅光芯片以硅作为集成芯片的衬底,所有能集成更多的光器件;在光模块里面,光芯片的成本非常高,但随着传输速率要求,晶
2020-11-04 07:49:15
`硅瞬态抑制器件可分为两大类:具有固定电压的硅瞬态抑制二极管(TVS)和非固定电压的晶闸管结构瞬态抑制器件(TSS)。瞬态抑制器件选用一般遵循以下原则:1)器件反向转折电压不低于电路的正常工作电压
2017-06-27 09:30:27
随着电子威廉希尔官方网站
的不断发展,静电防护威廉希尔官方网站
不断提高,无论是在LED器件设计上,还是在生产工艺上,抗ESD能力都有明显的进步,但是,GaN基LED毕竟是ESD敏感器件,静电防护必须渗透到生产全过程
2013-02-19 10:06:44
五、 LED静电防护威廉希尔官方网站
1、一般静电防护的基本思路: 1)从元器件设计方面,把静电保护设计到LED器件内,例如大功率LED,设计者在承载GaN基LED芯片倒装的硅片上,设计静电保护二极管,这时
2013-02-20 09:25:41
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
半导体材料可实现比硅基表亲更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,这些功能使得在各种电源应用中减少重量,体积和生命周期成本成为可能。 Si,SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si,SiC
2022-08-12 09:42:07
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅威廉希尔官方网站
而言,GaN这一材料威廉希尔官方网站
,大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值,表征高频器件的材料适合性优值, 硅威廉希尔官方网站
的约翰逊优值仅为1, GaN最高,为324。而GaAs,约翰逊优值为1.44。肯定地说,GaN是高频器件材料威廉希尔官方网站
上的突破。
2019-06-26 06:14:34
,传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限,使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成威廉希尔官方网站
的报告,该威廉希尔官方网站
能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
不同,MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点,又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势,采用硅来做氮化镓衬底,与碳化硅基氮化镓相比,硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多,即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同,我们可以将成本做到很低,在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代,需要的器件越来越多,价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
与硅相比,SiC有哪些优势?SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?碳化硅器件的缺点有哪些?
2021-07-12 08:07:35
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
目前IGBT和MOSFET都是广泛使用的功率器件,特别是在高压电力电子领域IGBT应用更为普遍。那么,IGBT和MOSFET究竟有哪些区别呢?其实它们的结构非常相似,正面采用多晶硅与漂移区形成金属
2019-04-22 02:17:17
大家好, 在Ultrascale器件中,RAM具有字节宽写入使能,但我想要Bit Wide Write Enable,所以 如何将字节宽写入启用转换为位wibe写入enalbe ... ??
2020-04-26 13:53:44
`如何制作一个带四个运放的器件·下面是我做的可是无法选择·`
2012-01-16 21:21:13
及新能源汽车要求在600V-1200V,而轨道交通要求最高,范围在3300V-6500V之间。图表4 功率半导体器件的应用及工作频率(来源:Applied Materials)注:IPM即智能功率模块,常见类型有IGBT类本文来源:来源:宽禁带半导体威廉希尔官方网站
创新联盟
2019-02-26 17:04:37
项目名称:基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动威廉希尔官方网站
研究试用计划:申请理由:碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料,近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
)的,必须使用密封真空包装。11、优先选用卷带包装、托盘包装的型号。如果是潮湿敏感等级为二级或者以上的器件,则要求盘状塑料编带包装,盘状塑料编带必须能够承受125℃的高温。12、对于关键器件,至少有两个
2018-10-26 13:36:32
范围的高性能硅方案,也处于实现宽禁带的前沿,具备全面的宽禁带阵容,产品涵盖碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)分立器件、模块乃至围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统,为设计人员提供针对不同应用需求的更多的选择。
2020-10-30 08:37:36
,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
计算中的瓶颈。此外当PBG结构为圆环形时,一般的阶梯近似不足以满足计算精度。针对以上两个问题,本文采用本课题组带有共形网格建模的MPI并行FDTD程序对圆环形PBG结构进行了分析。讨论了单元数目,单元间距,圆孔内径和导带宽度对S参数的影响,最后设计了一种宽禁带圆环形PBG结构。
2019-06-27 07:01:22
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。那么具体什么是宽禁带威廉希尔官方网站
呢?
2019-07-31 07:42:54
的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度,使它具有非常细窄的耗尽区,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
流,但随着5G的到来,砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体,可承受更高
2019-07-08 04:20:32
二极管是有源器件吗?什么是有源器件,什么是无源器件?
2021-06-08 09:33:21
关于CMOS 和TTL器件的区别CMOS:互补金属氧化物半导体逻辑器件TTL:晶体管-晶体管逻辑系列器件TTL输出级有两个晶体管,任何时刻只有一个导通,又是被称为图腾柱,或者推拉式输出;CMOS电路
2012-04-25 11:17:16
关于光学互联网络的子波长硅光量子器件(章回2,3,4的内容文本待续) (附图与文本内容一致,符合国际标准)ieee电脑设计与测试 2013 2021-1-23随着我们对信息的需求增加,对网络处理大量
2021-01-23 07:18:21
损耗,有利于提高速度,减小器件体积。3.电流控制能力增大。电流能力的增大和速度的提高是一对矛盾,目前最大电流控制能力,特别是在电力设备方面,还没有器件能完全替代可控硅。4.额定电压:耐压高。耐压和电流
2018-05-08 10:08:40
`智兴丰科技是一家专业的电子元器件供应商,与配套方案提供商。驱动IC主要应用于吸顶灯,筒灯,球泡灯等LED照明行业可控硅又叫做晶闸管,是一种常用的半导体器件,是一种能像闸门一样控制电流大小的半导体
2020-05-08 10:39:14
。今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表在宽禁带材料测试的应用方案。一·宽禁带材料介绍宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最为常见。随着电子电力的发展,功率器件
2022-01-23 14:15:50
在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
本文基于Agilent ADS仿真软件设计实现一款高效GaN宽禁带功率放大器,详细说明设计步骤并对放大器进行了测试,结果表明放大器可以在2.3~2.4 GHz内实现功率15W以上,附加效率超过67%的输出。
2021-04-06 06:56:41
本设计利用CPLD进行数字逻辑器件设计,并配合多路精密程控放大,实现了宽输入范围高精度频率测量,频率测量稳定度达10 -7,而且将输入信号的范围进行了有效地拓宽,使这种高精度频率计的应用领域更加广泛。同时,解决了传统分立数字器件测频时存在的问题。
2021-05-14 06:24:24
如何去提高锂离子电池硅基负极循环性能?
2021-05-13 06:02:45
请问有人知道怎么建立基于其他材料的器件仿真模型库,不是硅材料的,比如说,GaN,SiC等宽禁带材料的,谢谢啦,比如SiC的功率mos,我有功率mos的数值仿真数据,但是不知道怎样在pspice中使用,呵呵,求达人告知
2009-12-02 11:35:39
。大家都知道,现在实现逻辑运算的器件都是基于硅材料的。但电子机器本身的一些缺点,使得我们在设计产品时比较费神。我经常会想,如何用DIY的方式,使用其它任何材料来实现逻辑运算?无论简单或复杂,原始或现代
2012-12-29 02:37:43
一、SMD器件布局的一般要求细间距器件推荐布置在PCB同一面,也就是引脚间距不大于0.65mm的表面组装器件:也指长X宽不大于1.6mmX0.8mm(尺寸编码为1608)的表面组装元件。二、SMD
2023-03-27 10:43:24
四种常见带负载能力的元器件
2021-03-02 08:43:30
我用的是12版本,没看到网上视频教程里选择所谓的理想器件跟实际器件颜色有区别。新手,想弄个lc阻尼震荡波形看,结果开关关闭再断开,震荡波一直停不下来,几十kv。我把c、l都设了误差,还是不行。要怎么弄?
2016-07-21 20:46:09
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子威廉希尔官方网站
应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子威廉希尔官方网站
的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子威廉希尔官方网站
2017-07-11 14:06:55
简单地讲就是需能(电)源的器件叫有源器件,无需能(电)源的器件就是无源器件。有源器件一般用来信号放大、变换等,无源器件用来进行信号传输,或者通过方向性进行“信号放大”。容、阻、感都是无源器件,IC
2014-10-17 18:20:07
正如每种医疗过程的背后都有着一门真正的科学,在确定用于辅助疾病的诊断和治疗的复杂医疗设备中的气流和硅基压力传感器的背后也存在着一门科学。三种使用气流和硅基压力传感器的医疗应用是:麻醉机、睡眠呼吸机和医院诊断设备。
2019-11-06 08:00:23
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的威廉希尔官方网站
接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带威廉希尔官方网站
如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
`浅析ESD 防护与ESD 防护器件中心议题:• 静电释放的危害和ESD 保护的重要性• 相对于压敏MOV和聚合物PESD,硅基ESD 在ESD 保护方面的比较优势解决方案:•硅基ESD采用硅芯片
2017-07-31 14:59:33
NCP3011同步PWM控制器的典型应用。 NCP3011是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.8 V的输出电压.NCP3011提供集成栅极驱动器和内部设置的400 kHz振荡器
2020-03-24 06:31:20
谁能告诉我ST的电子元器件厚薄有什么区别
2013-10-14 10:54:58
一基间短路,场效应器件的栅一源间或栅一漏间短路或开路,集成电路的金属化互连或键合引线的熔断,多晶硅电阻开路, MOS电容介质击穿短路等。 潜在性失效是指静电放电能量较低,仅在元器件内部造成轻微损伤
2013-05-28 10:27:30
电子元器件工业级与民用级有哪些区别?在产品的标识上会有什么不同吗?
2015-01-08 09:52:29
ESD静电放电损伤后,突然完全丧失其规定的功能,主要表现为开路、短路或参数严重漂移,具体模式如:双极型器件的射一基间短路,场效应器件的栅一源间或栅一漏间短路或开路,集成电路的金属化互连或键合引线的熔断
2013-12-28 10:07:36
的射一基间短路,场效应器件的栅一源间或栅一漏间短路或开路,集成电路的金属化互连或键合引线的熔断,多晶硅电阻开路, MOS电容介质击穿短路等。 潜在性失效是指静电放电能量较低,仅在元器件内部造成轻微
2013-03-25 12:55:30
`海飞乐威廉希尔官方网站
目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等
2019-10-24 14:21:23
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率半导体器件效率更高,运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
大功率容量等特点,成为发较快的宽禁带器件。GaN功率管因其高击穿电压、高线性性能、高效率等优势,已经在无线通信基站、广播电视、电台、干扰机、大功率雷达、电子对抗、卫星通信等领域有着广泛的应用和良好
2017-06-16 10:37:22
请问一下VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面?
2021-05-21 07:05:36
请问各大神硅光电池在AD里有现有的元器件库吗
2016-05-08 21:08:45
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计?
2021-06-17 06:45:48
求助:手工焊接贴片器件时的焊盘大小和机器焊接贴片时的焊盘大小有大小区别吗?还有就是焊盘间的间距有没有区别?
2019-09-25 05:35:12
求助:手工焊接贴片器件时的焊盘大小和机器焊接贴片时的焊盘大小有大小区别吗?还有就是焊盘间的间距有没有区别?
2019-09-24 04:57:32
在PCBA加工中,要用到贴片元器件和插件元器件。
那么,贴片元器件与插件元器件的区别在哪?
一、两者的区别
贴片元器件的体积小,能够缩小电子产品的体积,能够提高生产效率,节省成本;重量轻,可靠性强
2023-05-06 11:58:45
CMOS与CCD两种感光器件的区别
由两种感光器件的工作原理可以看出,CCD的优
2009-12-21 09:26:444661 采购人员如何区别元器件是原装正货还是翻新货:看芯片表面是否有打磨过的痕迹,看印字,看器件生产日期和封装厂标号,测器件厚度和看器件边沿。
2011-06-06 19:16:472584 有源器件和无源器件对电路的工作条件要求、工作方式完全不同,这在电子威廉希尔官方网站
的学习过程中必须十分注意。
2017-08-29 13:58:0522191 元件和器件。那么元件和器件有什么区别呢? 元件 器件 定义上: 元件是指工厂在加工时没改变原材料分子成分的产品;器件是指工厂在生产加工时改变了原材料分子结构的产品。 组成上: 元件是电子中的基本零件;而器件常由几个
2017-11-30 19:47:4361643 本应用笔记详细介绍了闪存和 ROM 器件的一些区别,并概括了对客户编码的各种要求。
2018-06-20 08:26:001 1简单地讲就是需要能(电)源的器件叫有源器件,无需能(电)源的器件就是无源器件。有源器件一般用来信号放大、变换等,无源器件用来进行信号传输,或者通过方向性进行“信号放大”。电容、电阻、电感都是
2019-07-28 11:47:2980414 简单地讲就是需能(电)源的器件叫有源器件,无需能(电)源的器件就是无源器件。有源器件一般用来信号放大、变换等无源器件用来进行信号传输,或者通过方向性进行“信号放大”。容感都是无源器件,IC、模块
2020-07-23 10:26:006 在PCBA加工中,要用到贴片元器件和插件元器件。那么,贴片元器件与插件元器件的区别在哪? 一、两者的区别: 1、贴片元器件体积小,重量轻,比插件元器件更容易焊接。 2、贴片元件有一个很重要的好处
2022-10-26 09:41:27442 AMAZINGIC晶焱科技(KOYUELEC光与电子):如何区别各类型TVS保护器件?
2022-12-30 14:57:13349 AMAZINGIC晶焱科技(KOYUELEC光与电子):如何区别各类型TVS保护器件?
2022-12-30 15:08:171204 微波器件和射频器件区别 微波信号和射频信号的区别是: 一、性质不同 微波作为一种电磁波也具有波粒二象性。微波的基本性质通常呈现为穿透、反射、吸收三个特性。对于玻璃、塑料和瓷器,微波几乎是穿越而不被
2023-02-17 14:02:022110 简单地讲就是需要能(电)源的器件叫有源器件,无需能(电)源的器件就是无源器件。 有源器件一般用来信号放大、变换等,无源器件用来进行信号传输,或者通过方向性进行“信号放大”。 电容、电阻、电感都是
2023-04-27 09:31:052604 控制器可能会暂时降低或者丧失功能,甚至造成元器件功率过大而被损坏。TVS管、MOV压敏电阻、气体放电管区别TVS管:当TVS管预设电压超过一定范围幅度时,TVS将
2022-11-01 14:52:09307 维创域贸易(深圳)有限公司为您介绍:有源器件和无源器件的区别区别一:外加电源的不同不依靠外加电源(直流或交流)的存在就能独立表现出其外特性的器件就是无源器件,之外就是有源器件。(所谓“外特性”就是
2023-03-24 14:03:15517 一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲PCBA加工贴片元器件与插件元器件有什么区别?贴片元器件与插件元器件的区别。在PCBA加工中,要用到贴片元器件和插件元器件。那么,贴片元器件与插件元器件的区别在哪?接下来深圳PCBA加工厂家为大家介绍下。
2023-08-17 09:08:24656 二极管广泛应用于电子电路、通信和电源设备等领域。在本文中,我们将详细解释为什么说二极管是一种非线性器件。 首先,线性器件和非线性器件的区别是什么?在电路中,线性器件是指输入量和输出量之间有线性关系的器件。如电阻、电
2023-09-02 10:13:111572 无源与有源器件的这些区别你都知道吗?
2023-10-26 15:27:282269 功率半导体器件与普通半导体器件的区别在于,其在设计的时候,需要多一块区域,来承担外加的电压,如图5所示,300V器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通半导体器件[2]相比,明显尺寸更大,这也是功率半导体器件的有点之一。
2023-10-18 11:16:21879 为什么说电容是无源元件?有源器件和无源器件的区别 电容是无源元件的原因是因为电容本身不具备能够提供能量的能力,它只是用来存储电荷和能量的。对于电容来说,无论电流的方向如何变化,它都不会产生、吸收
2024-02-02 13:36:33378
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