SiC MOSFET应用中的EMI改善方案分析

富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的威廉希尔官方网站 服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的威廉希尔官方网站 积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。   本文作为系列文章的第五篇，主要针对SiC MOSFET相关应用中的EMI改善方案做一些探讨。  

对设计人员而言，成功应用 SiC MOSFET 的关键在于深入了解 SiC MOSFET 独有的工作特征及其对设计的影响。SiC MOSFET的快速开关速度，高额定电压和低RDS(on)使其对于不断寻求在提高效率和功率密度的同时，保持系统简单性的电源设计人员具有很高的吸引力。但是，由于高压及超快的开关速度带来的超高di/dt，dv/dt，会通过系统的杂散电感，电容形成干扰，比如SiC MOSFET过高的开关速度会引起Vds振铃尖峰，因而产生EMI。  

寄生电感是SiC MOSFET Vds尖峰和振铃的主要原因。SiC MOSFET的快速开关速度会导致较高Vds尖峰和较长的振铃时间。这种尖峰会降低设备的设计裕量，并且较长的振铃时间会引入EMI。在大电流情况下，该现象更加明显。   判断EMI是否来源于di/dt与dv/dt，以及采用合适的、有针对性的方案就显得尤为重要，常见的EMI解决方案威廉希尔官方网站 如下:  

通过使用高栅极电阻（Rgon， Rgoff）来实现降低通过器件的电流变化率（dI/dt）。高的Rg会显著增加开关损耗, 需要在效率和EMI平衡。  

通过使用门极漏极电容Cgd来降低器件Vds的电压变化率（dv/dt), 高的Cgd同样会增加开关损耗, 需要在效率和EMI平衡。    

降低功率环路的杂散电感，最大限度缩短导线长度，降低 PCB布局的电感（如将栅极驱动器放在尽可能靠近 MOSFET 的位置，并使用叠接式导线几何形状而不是并排(共平面)几何形状），也是改善EMI的有效方法，需要在最小间距和间隙安全规定平衡。  

使用新的封装如贴片低引线电感（如图一），封装电感是决定切换时间的关键参数，而切换时间与开关速度和EMI等密切相关，需要在封装和热性能间平衡。  

（图一）  

新的数控威廉希尔官方网站 （如频率抖动， 软开关威廉希尔官方网站 等） 对低和高频段的EMI有好处 。  

使用缓冲器（如RCD） 对Vds振荡尖峰做吸收（如图二），也能明显改善Vds抖动和EMI（如图三所示测试结果），但是需要在效率和EMI平衡。相比于调节Rg，该方案相对高效。  

（图二）  

（图三）  

编辑：黄飞