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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>GaN 和 SiC 器件相似和差异

GaN 和 SiC 器件相似和差异

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报名 | 宽禁带半导体(SiCGaN)电力电子威廉希尔官方网站 应用交流会

`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiCGaN)电力电子威廉希尔官方网站 应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子威廉希尔官方网站 的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子威廉希尔官方网站
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未找到GaN器件

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采用GaNSiC威廉希尔官方网站 的新一代半桥逆变器的性能分析

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,特别适用于5G射频和高压功率器件。 据集邦咨询(TrendForce)指出,因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源等需求逐步提升,预期2021年GaN通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6100万美元,年增30.8%及90.6%,SiC器件功率领域营收
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一文知道GaNSiC区别

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2022-04-16 17:13:015712

功率器件SiCGaN的电压变化率与电流变化率

/dt也就越大。影响dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料,其次是器件的电压、电流、温度以及驱动特性。为了加深大家对高速功率半导体器件的理解,今天我们以SiCGaN为例来聊一下这个话题,看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477

宽带隙半导体GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀

宽带隙半导体具有许多特性,这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀,即ZnO、GaNSiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液
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GaN 行业旨在证明 GaN 解决方案的 预期寿命至少与硅 MOSFET 相同,理想情况下,寿命更长。该行业和 JEDEC JC-70 委员会正在努力为 GaNSiC 器件定义一系列测试、条件
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宽带隙半导体:GaNSiC 的下一波浪潮

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GaNSiC功率器件的基础知识

,这意味着镓和晶格中的氮原子比硅之间的多,”Lidow 说。“它与 SiC 非常相似,两者的带隙都约为 3.26,”Lidow 说。
2022-08-03 08:04:292748

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由氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。基于 GaNSiC器件可以提供最新一代电源应用所需的高性能。然而,它们极高的功率密度应该得到适当的管理,这使得创新的热管理威廉希尔官方网站 成为一个需要考虑的关键方面。
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通过测试和认证确保GaN的可靠性

该 氮化镓产业 的目的是证明氮化镓的解决方案至少有相同的预期寿命为硅MOSFET,理想,美好的生活。该行业和 JEDEC JC-70 委员会正在努力为 GaNSiC 器件定义一系列测试、条件
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工业家合作满足 GaNSiC 市场需求

(SiC) 的采用,电力电子威廉希尔官方网站 走上了一条非凡的道路。Yole Développement (Yole) 估计了这些宽带隙材料的总体情况。虽然硅仍然占据市场主导地位,但 GaNSiC 器件的出现一直在引领威廉希尔官方网站 走向新的高效成果。 在威廉希尔官方网站 基础上,碳化硅威廉希尔官方网站 侧重于在更大直径和功率
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优化SiC功率器件的三个步骤

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SiC和Si产线差异和转换

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2022-11-03 17:47:061121

功率SiC器件GaN器件市场预测

电动汽车中的 GaN 还处于早期阶段。许多功率 GaN 厂商已经开发并通过汽车认证 650 V GaN 器件,用于 EV/HEV 中的车载充电器和 DC/DC 转换,并且已经与汽车企业建立了无数合作伙伴关系。
2023-01-06 11:11:34459

SiCGaN,会把硅功率器件赶出历史舞台?

云计算、虚拟宇宙的大型数据中心以及新型智能手机等各种小型电子设备将继续投资。SiCGaN 都可以提供更小的尺寸和更低的热/功耗,但它们成为标准威廉希尔官方网站 还需要一些时间。
2023-01-11 14:23:18348

碳化硅与氮化镓器件的特点差异

  碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)被称为“宽带隙半导体”(WBG)。在带隙宽度中,硅为1.1eV,SiC为3.3eV,GaN为3.4eV,因此宽带隙半导体具有更高的击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:341220

SiCGaN功率电子器件的优势和应用

  随着硅接近其物理极限,电子制造商正在转向非常规半导体材料,特别是宽带隙(WBG)半导体,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙(与常用的硅相比),宽带隙器件可以在高压、高温和高频下工作。宽带隙器件可以提高能效并延长电池寿命,这有助于推动宽带隙半导体的市场。
2023-02-05 14:25:15676

使用多个电流探头研究SiCGaN功率半导体器件的电极间电容

本文介绍了使用多个电流探头研究SiCGaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分:双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。
2023-02-19 17:06:18350

2023年第三代半导体GaNSiC MOSFET的发展前景

GaNSiC 冰火两重天。GaN受消费类市场疲软的影响,市场增长微乎其微。SiC在光伏新能源、电动汽车以及储能、充电桩等行业取得了快速发展。
2023-02-24 14:25:42941

SiCGaN的共源共栅解决方案

GaNSiC器件比它们正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有数以亿计的此类设备,其中许多每天运行数小时,因此节省的能源将是巨大的。
2023-03-29 14:21:05296

什么是GaN氮化镓?Si、GaNSiC应用对比

由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,GaN 充电器的运行速度,比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率,GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212337

GaN单晶衬底显著改善HEMT器件电流崩塌效应

最重要的器件之一,在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等异质衬底上通过金属有机气象外延(MOCVD)进行外延制备。由于异质
2023-06-14 14:00:551653

GaNSiC功率器件的特点 GaNSiC的威廉希尔官方网站 挑战

 SiCGaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量:而在硅的情况下,该能量为1.1eV,SiC(碳化硅)为3.3eV,GaN(氮化镓)为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

一文看懂SiC功率器件

一、什么是SiC半导体?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581144

长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装设计

长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的威廉希尔官方网站 经验,具备全面的功率产品封装外形,覆盖IGBT、SiCGaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398

碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)应用差异在哪里?

SiCGaN 被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺,WBG 设备显示出以下优点:
2023-10-09 14:24:361332

SiCGaN 的兴起与未来 .zip

SiCGaN的兴起与未来
2023-01-13 09:06:226

了解SiC器件的命名规则

了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:49357

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