Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16:32
1787 电压或高温条件的器件非常有利。在高频、高温、高功率及恶劣环境下，仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。 碳化硅二极管广泛应用于开关电源、功率因素校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
二极管三极管与晶闸管场效应管解析
2021-02-24 09:22:34
防止场效应管(MOSFET)接电感负载时，在截止瞬间产生感应电压与电源电压之和击穿场效应管(MOSFET)，一般功率场效应管 (MOSFET)在漏极与源极之间内接一个快速恢复二极管，如图8所示
2011-12-19 16:52:35
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02:53
场效应管(MOSFET)是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单。
2019-09-30 09:01:58
在介绍功率场效应管时，有如下介绍：Planar HD3e Process for Fast Switching Performance。请问其中的HD3E是什么意思？麻烦了解的朋友耽误一点时间能说明一下？
2016-09-14 09:00:33
功率场效应管的驱动
2012-08-20 21:01:05
的基本电路如图4所示。由电流互感器CT检测过电流，进而切断栅极信号,实现对功率场效应管的保护。也可用电阻或霍尔元件替代CT。图3、过压保护电路图4、过流保护电路另外功率场效应管的栅极极易击穿损坏，栅源
2018-01-31 10:01:49
功率场效应管（VMOS）是单极型电压控制器件。具有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽等显著特点，还具有电流负温度系数、良好的电流自动调节能力、良好的热稳定性和抗干扰能力等优点。其
2018-01-29 11:04:58
时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导
2021-05-13 06:13:46
场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2
2018-11-05 17:16:04
场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2
2009-04-25 15:43:51
`场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管
2017-05-06 15:56:51
晶闸管的门控极G只能控制晶闸管的导通而不能控制晶闸管的关断。第二点是场效应管与晶闸管的输入电阻不同场效应管的直流等效输入电阻非常高，其阻值可以达到10九次方欧姆，对于MOSFET管来说最高可以达到10
2021-03-16 13:48:28
场效应管具有什么特点？场效应管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
增强型的管子，试过FQA24N60，IPW65R110CFD,FCH04160F等功率的管子，都能正常使用，但我今天换了IXFH80N65X2(890W.80A,650V)开机出发俩次就击穿，换了三块电路板，试了三次，每次都这样，请问这样是什么原因导致的呢？`
2017-09-20 09:29:28
场效应管及三级管型号大全
2012-08-16 16:37:48
型)，它的电路图符号： 仔细看看你会发现，这两个图似乎有差别，对了，这实际上是两种不同的增强型场效应管，第一个那个叫N沟道增强型场效应管，第二个那个叫P沟道增强型场效应管，它们的的作用是刚好相反
2018-10-10 15:11:23
GS=0时的漏源电流。2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gM
2013-03-27 16:19:17
一部分电路图，在这里的Q1场效应管用作PWM调制器或开关稳压控制器的功率开关管。 场效应管除了以上三大作用之外还可以用作可变电阻，实现压控电阻，另外，场效应管应用场合还有很多，例如高保真音响系统、防反接电路等。原作者：大年君爱好电子
2023-02-24 16:28:18
根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作
2012-07-28 14:13:50
不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。（4）用测电阻法判别无标志的场效应管 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔
2021-05-25 06:58:37
场效应管(FET)是一种具有pn结的正向受控作用的有源器件，它是利用电场效应来控制输出电流的大小，其输入端pn一般工作于反偏状态或绝缘状态，输入电阻很高，栅极处于绝缘状态的场效应管，输入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作
2019-05-29 06:18:14
场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。
2009-04-25 15:43:23
场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级
2021-05-13 06:55:31
场效应管si2301（p沟道）栅极D1接单片机引脚，电源接源极（s），输出端漏极（d）接一个DCDC然后接负载。问题是，单片机引脚低电平时，输出端(d)确实为高电压，但是单片机引脚高电平时。输出端为0.69v，并没有完全关断。这是场效应管的原因还是电路的设计问题？怎么让场效应管完全关断呢？
2017-12-09 18:46:35
的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体
2009-04-25 15:38:10
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。这里的沟道是指导电的主要离子，N沟道为电子，P沟道为空穴。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间
2024-01-30 11:51:42
。2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gM — 跨导。是表示栅源电压
2009-04-25 15:43:12
。 d. 跨导gm的测试 根据转移特性曲线数值，求出VGS在-0.1v和-0.2v之间时的跨导： (2)按照本课件图3-7连接一个结型场效应管共源放大电路。调节Rs使VGSQ=-0.2V，测量并
2019-09-10 01:34:43
这2图是2个场效应管的手册，里面的功率看得有点乱，有没有人能教下怎么看，谢谢
2019-03-10 21:09:56
的管脚排列（底视图）见图2。 MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q
2009-04-25 15:43:42
场效应管的特性是什么场效应管的主要参数有哪些场效应管怎么选用？场效应管的选用注意事项？
2021-04-20 06:49:52
不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。（4）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏
2008-06-03 14:57:05
，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道场效应管，这也是出于对电压驱动的考虑。 2）电压和电流的选择。额定电压
2020-07-10 14:51:42
`请问场效应管的驱动电压多少？`
2019-08-22 15:55:28
电流增大到一定电流时三极管导通，使场效应管GS电压下降来实现稳流。 3也是最重要的一点也是我不理解的点，我对tl431的了解，tl431是三端可调稳压管，U0=(1+R2/R3)2.5V，由公式看出
2015-09-22 20:06:06
场效应管这种器件也是有PN结构成的，它几乎只利用半导体中的一种载流子来导电，故又称单极性晶体管。特点是输入电阻高，有10^7~10^15欧，所以外部的电压几乎全部会加在管子内部，而 不用考虑外部电源
2019-06-25 04:20:03
在分析的时候，比如此时输入端为高电平，如何确定场效应管源极（S极）的电平，从而无法确定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
框图如图2所示。 第二代可穿戴设备背后的传感器威廉希尔官方网站
ADPD105/ADPD106/ADPD107功能框图 ADPD107 用作完整收发器，驱动系统中的 LED 并测量光电二极管的返回信号。目标
2018-09-21 11:46:21
和提高可靠性都起到至关重要的作用，如果场效应管的质量不过关，容易使电器开关电源失控，导致电器损坏。所以为了减少电器的返修率，厂家在生产时就应该选用一款质量过硬的场效应管，例如飞虹的这个FHP730高压
2019-07-18 20:32:19
AN15261基于CYWUSB6934将无线USB LS设计移植到无线USB LP。第二代无线电具有第一代无线电中不存在的其他强大功能：更高的传输比特率，更低的接收灵敏度，更高的最大发射功率，专用的发送和接收缓冲器以及自动CRC
2019-07-19 09:05:47
(on))：1.9Ω源-漏二极管压降(VSD)：1.4V漏源击穿电流(IDSS)：10uA反向恢复时间(trr)：320NS工作温度：-55~+150℃引线数量：3 用万用表定性判断场效应管1、定性判断MOS型
2021-12-16 16:59:22
数量，实现了高度集成的充电器设计。钰泰半导体ETA80G25采用SSOP10封装，内置650V耐压，850mΩ D-mode氮化镓开关管。内部开关管漏极连接大面积铜箔散热，可实现良好的散热并满足绝缘耐压要求
2021-11-28 11:16:55
FLIR第二代热像仪ADK有哪些特点？FLIR第二代热像仪ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
经过整流桥后输出最高电压约为220*1.414≈311（V）。 总结：IGBT 一般在高压大功率场合上应用，而场效应管一般在低压中低电流下应用，两者的应用场合不同，一般情况下IGBT和场效应管
2021-03-15 15:33:54
P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。在二极管加上正向电压（P端接正极
2018-10-27 11:36:33
和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称场电压）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
2011-06-08 10:43:25
的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体资料
2018-10-29 22:20:31
良好焊接，以利于散热），适应宽电源9.5V～26V，是MPS生产的第二代高集成音频放大芯片，它集成了以下功能：180mΩ 场效应管，快速开启/关断，精简保护电路。MP7722 利用单独的一个输出机构，把
2021-05-19 06:15:50
晶体管的开关。 第二部分 N型场效应管的主要用途 N型场效应管在一些工业设备和电子装置中广泛被用来控制信号的开关和功率的传递，可应用于功率的放大器，适用于数字电路以及机械设备的控制等等。 N型
2023-03-08 14:21:22
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:33:26
对称问题，所以非线性失真极小。因为场效应管是电压控制器件，输出级所需要的推动功率较小，所以推动级也很简单，由一只结型场效应管担任。 功率输出端通过输出变压器耦台输出，音乐韵味和电子管功放相似。 二
2019-06-21 04:03:47
VMOS场效应管（VMOSFET）简称Vmos管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
兄弟姐妹们，做proteus仿真，发现里面找不着双栅极场效应管3sk系列的怎么办啊？？？
2012-12-05 22:55:00
场效应管性能当面不是已经超过了三极管了么，三极管会不会被淘汰？为什么总是讨论三极管问题？我是初学者，刚学了场效应管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
第二代导航卫星系统与第一代导航卫星系统在体制上的差别主要是：第二代用户机可免发上行信号，不再依靠中心站电子高程图处理或由用户提供高程信息，而是直接接收卫星单程测距信号自己定位，系统的用户容量不受限制，并可提高用户位置隐蔽性。
2019-08-14 07:06:41
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端威廉希尔官方网站
将功率级
2020-10-27 09:28:22
带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比，其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽
2019-07-08 04:20:32
、美容仪型号：HC610N沟道场效应管100V6A 6N10SOT23-3L内阻80mR型号：HC160N10LN沟道场效应管 100V10A(10N10)TO-252封装，内阻145mR,可用于雾化器
2020-09-23 11:38:52
场效应管的作用：放大、调制、谐振和作开关用，场效应管是电压控制型器件。场效应管的好坏判断：把数字万用表打到二极管档，用万用表任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终结果只有一次有读数，并且在
2012-05-04 09:51:12
原理图如图所示，其中2、4引脚接输入-和输入+，5、6引脚接场效应管的G级和D级，7引脚为差分放大的输出端，8引脚接地。场效应管S级接12v电压，分析得知场效应管的功能可能是由该未知器件驱动并输出5v电压。 请问贵公司有没有类似功能的器件，可否给我推荐一两个型号的类似器件？谢谢！：
2018-12-14 09:20:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑
由于栅极电压被稳压管钳位，当流过场效应管的电流有增大的趋势时，负反馈电阻上的电压增加，使场效应管截止趋势增加，电流下降，反之亦然，使负载电阻电流保持恒定转载自http://www.wggk.net/
2012-07-04 17:37:37
情况下，在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单，正是基于场效应管输入阻抗比较高，且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
）。图1. 三相电机驱动方案中使用的功率器件，显示了两种短路情况：（a）高端和低端之间的击穿和（b）感性负载上的短路。为了支持高压氮化镓场效应管的持续采用，确保高SCWT非常重要。但是，鉴于其固有属性
2023-02-22 16:27:02
代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CS
2012-07-11 11:41:15
!三极管收购,回收连接器,磁珠收购,收购工厂电子元器件,回收高频管,光纤头回收中心,电解电容收购中心,二极管收购中心,传感器回收,ic回收公司,收购数码IC,钽电容回收公司,库存场效应管收购中心,收购
2020-07-16 10:36:53
，对了，这实际上是两种不同的增强型场效应管，第一个那个叫N沟道增强型场效应管，第二个那个叫P沟道增强型场效应管，它们的的作用是刚好相反的。前面说过，场效应管是用电控制的开关，那么我们就先讲一下怎么使用它来
2021-05-25 06:00:00
组成的推挽推动级，例如电磁炉IGBT管的推动电路。如图1所示。该推动级工作在开关状态，输出功率可以达5W左右，因为是射极输出，所以输出阻抗很小（< 10Ω）。无需功率驱动的场效应管为何要用大功率低阻抗的推动级呢？
2019-05-22 08:29:46
。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部氮化镓场效应晶体管（FET）的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻…
2022-11-10 06:36:09
本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑
新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管 ，原装正品，优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03
，氮化镓器件可以在同一衬底上集成多个器件，使得单片式电源系统可以更直接、更高效和更具成本效益地在单芯片上进行设计。集成功率级诸如EPC23102为设计人员提供了一个比基于分立器件方案的体积小35
2023-06-25 14:17:47
求分享USB3.1第二代应用的ESD解决方案
2022-01-14 07:35:38
`海飞乐威廉希尔官方网站
现货替换IXTH80N65X2场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 威廉希尔官方网站
: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体
2020-03-05 11:07:30
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
纯直流场效应管功放电路原理图
2019-11-01 09:10:41
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
由MOS场效应管和普通电源变压器构成，TK8A50D场效应管是目前家用电器的逆变器后级电路应用得比较多的场效应管型号之一。冰箱、空调、LED等是我们每天都会应用到的电器，如果场效应管的质量不过关，无法进行
2019-08-15 15:08:53
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2威廉希尔官方网站
为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
功率场效应管的原理、特点及参数
功率场效应管又叫功率场控晶体管。
一．功率场效应管
2009-10-06 22:55:144643 
VMOS场效应管,VMOS场效应管是什么意思
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应
2010-03-04 09:51:031344 近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770 
3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证，这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与威廉希尔官方网站
突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体威廉希尔官方网站
领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
电子发烧友App
工商网监
评论