赋能未来，勇往直前---科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章

2021年3月17日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––全球碳化硅威廉希尔官方网站 领先企业科锐Cree， Inc. （Nasdaq： CREE） 联合创始人兼首席威廉希尔官方网站 官John Palmour 博士发表了以《赋能未来，勇往直前：SiC MOSFET问世10周年的思索》为题的文章。

John Palmour 博士， 科锐联合创始人兼首席威廉希尔官方网站 官

近二十年研发路，厚积薄发

在2011年，在经过了将近二十年的研发之后，科锐推出了全球首款SiC MOSFET。尽管业界先前曾十分怀疑这是否可能实现。在成功发布之前，普遍的观点是SiC功率晶体管是不可能实现的，因为太多的材料缺陷使其不可行。先前普遍的看法是不可能开发出可用的SiC MOSFET，基于SiC的氧化物绝缘体是不可靠的。科锐作为SiC MOSFET的开创者，坚定无畏的在这条充满荆棘但光明无限的道路上不断前行。因为我们始终相信MOSFET才是客户需要的“最终答案”，我们坚信可以通过SiC，开发出市面上最为强大和可靠的半导体。

在开发过程中，科锐探索了三种不同晶体结构，竭尽全力在降低成本的同时提高安培容量，提高了1000倍甚至更多！最初的晶圆尺寸仅有小指指甲大小。之后，科锐终于将基于3” 吋晶圆的SiC MOSFET推向市场。同时，以科锐的行事风格，并没有停歇下来去庆祝第1代SiC MOSFET的推出，而是迅速投入到了第2代产品的开发。

坚持不懈创新，再现生机勃勃

最初的阶段并非没有彷徨，但我们知道要想推动产业更多的采用，我们就必须不断地在降低成本的同时提升性能。在那段时间里，我们让许多原先认为不可能实现的人改变了观点。我们目睹了友商公司放弃了其他器件结构的选择，而开始朝向MOSFET迅速迈进。随着各个产业开始认识到SiC MOSFET可以适用于不同应用，我们看到了新的市场和垂直领域。

但即便是我自己，当时也没能全面意识到某些市场将来会变得多么巨大。我们认识到SiC MOSFET能在巨量的工业应用领域发挥关键作用，而电动汽车会是一个重要的赛道。我们知道其有潜力，但是我们很难想象这个机遇会有多么巨大，以及我们将助力电动汽车产业的塑造。

在采用SiC逆变器的特斯拉Model 3的推出之后，一切都发生了改变。在看到了采用SiC器件所能实现的功率密度和续航里程，各家汽车OEM厂商都开始争相研究如何在他们的汽车之中采用该项威廉希尔官方网站 。

今天电动汽车产业的蓬勃发展，让我想到了我们公司历史上的另一个关键时期。我记得目睹了科锐LED业务的巨大发展浪潮。从90年代中期科锐LED在大众汽车仪表盘上的首次采用，到全行业对于固态照明的拥抱。我见证了公司之前的爆发式增长---而这一幕在今天又开始重现。

下一个十年，满怀期待

十年之前，我们身处一生一遇的增长曲线的初期阶段。现在，我们又迎来了这样的机遇。我迫不及待地想要看到未来十年我们将达到怎样的高度。

从一开始的不被看好到现在的万众瞩目，SiC MOSFET器件一鸣惊人的背后是几十年如一日的研发奋斗。科锐用实际行动向我们诠释了有志者事竟成的成功哲学。我们有理由相信，SiC MOSFET的未来将会无比光明。

SiC第三代半导体背景信息

阿里巴巴达摩院发布2021十大科技趋势，为后疫情时代基础威廉希尔官方网站 及科技产业将如何发展提供了全新预测。“以SiC碳化硅、GaN氮化镓为代表的第三代半导体迎来应用大爆发”位列趋势之首。以SiC碳化硅和GaN氮化镓为代表的第三代半导体，具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性，但受工艺、成本等因素限制，多年来仅限于小范围应用。近年来，随着材料生长、器件制备等威廉希尔官方网站 的不断突破，第三代半导体的性价比优势逐渐显现，并正在打开应用市场：SiC元件已用作汽车逆变器，GaN快速充电器也大量上市。未来五年，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景。

2021年3月发布的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》，在科技前沿领域攻关专栏中也强调了要取得SiC碳化硅、GaN氮化镓等宽禁带半导体的发展。