【2022年5月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布了一项全新的CoolSiC™威廉希尔官方网站
，即CoolSiC™ MOSFET 1200
2022-05-10 14:10:02
2199 
其CIPOS™ Tiny智能功率模块（IPM）系列的产品阵容。这款全新的IPM采用了TRENCHSTOP™ RC-D2 IGBT功率开关器件和先进的SOI栅极驱动威廉希尔官方网站
，可最大限度地提高效率，实现更高的可靠性
2022-05-10 17:38:122681 
【2022年5月30日，德国慕尼黑讯】Infineon Technologies Bipolar GmbH Co. KG推出具有内部续流二极管（FWD）、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT（PPI
2022-05-30 16:44:422667 
瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体（IGBT）系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:281650 随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:001315 新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT威廉希尔官方网站
和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。
2021-08-06 15:40:471728 
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
英飞凌科技宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化，进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。
2022-03-21 14:14:041435 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
：“英飞凌多年来一直引领着功率半导体的发展，致力于进一步提高电源管理效率，是一个值得信赖的合作伙伴。借助英飞凌的功率半导体器件，我们能够将三种应用整合到一个系统中，向着绿色能源的发展目标迈出了一大步
2022-08-09 15:17:41
2018年6月1日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步壮大其薄晶圆威廉希尔官方网站
TRENCHSTOP5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高
2018-10-23 16:21:49
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
和高性能PC等不仅需要提高效率，还要求具备更高的抗浪涌电流性能。SCS3系列改善了第二代的正向电压特性，可进一步提高效率。而且，抗浪涌电流性能提升达2倍以上，对于意外发生的异常问题等具有更高的安全余量
2018-12-03 15:11:25
及设备用电安全的需要，更进一步提高电源的可靠性，及时发现供电隐患，提高设备的运行寿命，对电源进行在线管理已经成为普遍的需求。针对早期的UPS电源的RS232标准，已经无法满足目前计算机硬件及软件技...
2021-12-28 08:05:27
进一步理解量子力学经典理论与应用 多方面丰富相关图表为了进一步深入理解量子力学理论经典及其应用，从多个方面丰富内容，附图页码一致，符合国际标准。声学，声波自然现象，以及经典原子理论的应用等对理解量子力学经典之波的概念有益。大湾区2020-8-2
2020-08-02 07:05:50
的TO247-4L IGBT将可为相关应用提供更高的效能与更佳的成本效益，究竟它是如何办到的？让我们来进一步深入了解。
2019-07-18 06:12:00
提高开关电源的效率一直是开关电源设计者不懈的追求。要进一步提高开关电源的效率首先应该知道开关电源的损耗产生自哪里，哪一部分损耗可以减小，哪一部分损耗基本上不能减小，采用何种方式是最有效、最实际的减小
2016-06-12 12:39:36
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，提高效率，降低解决方案成本，功率密度增加，实现更高的开关频率，减少对散热器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，极低反向电流 ，无反向恢复电流 ，低电容电荷， 提高效率，降低解决方案
2021-10-27 15:00:42
适合对C语言有一定基础积累的童鞋 想进一步学习C语言的 可以看哈
2012-09-10 22:26:29
降压型转换器的电气原理图LTC7803如何提高效率和EMI标准合规性
2021-03-11 06:25:16
，究竟它是如何办到的？让我们来进一步深入了解。 通过TO-247-4L IGBT封装减少Eon损耗IGBT是主要用作电子开关的三端子功率半导体器件，正如其开发的目的，结合了高效率和快速的开关功能，它在
2020-07-07 08:40:25
SOP位移传感器防水功能将进一步提高位移传感器应用的行业越来越广，使用的环境也是各种各样，SOP位移传感器有些系列可以适用于潮湿、油污、灰尘等各种恶劣环境，但是有好些客户问咱们的位移传感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以进一步降低待机模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
应用推出一款具备高效率、超低功耗降压转换器。全新的 TPS62120 不但可实现高达 96% 的效率，而且还可透过 2 V 至 15 V 输入电压产生 75 mA 的输出电流。这一款高效能装置支援能量
2010-10-12 21:03:17
keil5提高效率的技巧：1.编写程序时右键点击即可快速添加头文件。2.固定模板可以在“Templates”中写入，使用时可直接引用。3.模块化编程，即编写头文件，之前的博客有提到，这里不再赘述。...
2022-01-12 07:53:28
【单片机开发300问】怎样进一步降低功耗功耗，在电池供电的仪器仪表中是一个重要的考虑因素。PIC16C××系列单片机本身的功耗较低（在5V，4MHz振荡频率时工作电流小于2mA）。为进一步降低
2011-12-07 13:59:56
中国上海，2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
在实际的应用电路中，二极管和晶体管因其特性和性能不同而需要区分使用。在电源类应用中区分使用的主要目的是提高效率。本文将介绍PFC（功率因数改善）的一个例子，即利用二极管的特性差异来改善临界模式
2018-11-27 16:46:59
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 10:36 编辑
我使用6467t预计实现4路d1mpeg2到h264的转码，但是目前只能实现3路，根据官方数据应该是可以达到4路的，请问我有什么办法提高效率？关于hdvicp的使用？
2018-06-22 05:27:30
的例子中，开关损耗可以降低24%。此外，还可以 在更宽的工作频率范围内实现97%以上的高效率 ，在工作频率为100kHz时与IGBT相比效率提高3%，可进一步降低车载和工业设备应用的功耗。此外
2022-07-27 10:27:04
初学linux，安装了Ubuntu系统界面，请教该如何进一步快速学习，大家有什么好的初学的资料分享一下，谢谢啦
2015-08-24 18:39:29
单片机驱动LCD如果提高效率
2023-10-23 07:44:25
上升、Ron增加、故芯片温度进一步上升的“热失控”状态。而Hybrid MOS即使在高温状态下，Ron及Ron的变动非常小，在Tj＝125℃、ID＝20A条件下的比较中，Ron换算结果减少达62%。在
2018-11-28 14:25:36
较小，以提高效率和降低功耗。平均二极管电流等于平均输出电流。所选二极管封装必须能够处理功耗。 同步控制器控制整流开关的另一个MOSFET。如果使用N通道MOSFET，则必须产生高于输出电压的电压，以
2013-08-12 15:05:53
交流输入的工频正半周期和负半周期，导通时间较长，因此建议选择低速和低导通压降的硅整流二极管。为进一步提高效率，可以考虑用硅 MOSFET替代（同步整流模式），从而降低整流回路的导通损耗。 如果图腾柱无
2023-02-28 16:48:24
GN1302 晶振引脚连接 2 个 30pf 电容，每天大约慢 4 秒，如何进一步提高精度?时钟每天慢 4 秒是因为晶振的外部负载电容过大，即 30pf 电容过大。如果使用的晶振的负载电容参数为
2022-12-29 17:36:43
如何进一步加强对RFID的安全隐私保护？
2021-05-26 06:09:27
滤波电感。有了电容滤波器，LLC转换器还可以使用额定电压较低的整流器，从而降低系统成本。此外，次级侧整流器可实现零电流转换，大大减少了反向恢复损耗。利用LLC拓扑结构的各项优势，可进一步提高效率，降低
2022-11-10 06:45:30
本应用指南介绍了使用 UCC28056 优化过渡模式 PFC 设计以提高效率和待机功耗的设计决策。
2021-06-17 06:52:09
方法限制了从一个逆变器单元到另一个逆变器单元的设计灵活性和优化，在某些拓扑中，在单个逆变器单元内也是如此。适用于不同工作频率的IGBT有助于提高效率戴通的新产品展示了提供针对不同工作频率进行优化的IGBT
2023-02-27 09:54:52
如何让计算机视觉更进一步接近人类视觉？
2021-06-01 06:27:08
传感器为震动速度传感器，待提取信号频率0.1~200Hz ,幅度几十uV，原来采用AD620放大，现在希望进一步降低功耗与噪声，采用什么片子好？
2018-10-25 09:25:24
网络时间协议NTP是什么意思？NTP授时的原理是什么？怎样去进一步提高NTP的授时精度呢？
2021-11-01 07:12:40
、电视手机。这些采用多种RF技 术的手机在提供便利的同时也使得手机的设计变得复杂，如何进一步集成射频元件也变得至关重要。
2019-08-27 08:33:19
无线充电怎么提高效率呢，急需
2015-10-19 10:43:15
第二十章提高效率技巧1. 利用GVIM制作模板http://yunpan.cn/cjZTiDA9pY56x访问密码 c359
2015-11-07 09:22:06
级放大再加给AD7714时，测得人分辨率还要低一些。由于是用干电池得到AD7714的输入信号，该信号相对来说很稳定，而且板上的噪声也不是太大。请问各位大虾，还有什么方法可以进一步提高AD7714的分辨率啊？不胜感激！
2023-12-25 06:33:32
频率可以进一步提高效率。本文设计了一种400W逆变器用于电机集成，在230V交流电网电源下运行，以及完整的文档设计和测量结果，突出了组件计数的量化改进，装配和冷却成本，以及几个性能参数和操作成本。
2023-06-16 07:53:41
半导体三十年的发展 威廉希尔官方网站
变革 图2还暗示了一个事实，即从某个时刻开始，需要威廉希尔官方网站
变革以克服现有威廉希尔官方网站
的不足。对于功率半导体，碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）等宽带隙材料是进一步提高效率且极具竞争力的不二
2018-10-09 11:35:50
CoolSiC 汽车 MOSFET 威廉希尔官方网站
的成熟，英飞凌也成功的将该威廉希尔官方网站
进入 EasyPACK，并获得了汽车级认证，目前正在扩展该模块系列的应用范围，旨在涵盖具有高效率和高开关频率需求的电动汽车的高压应用。其中
2021-03-27 19:40:16
如何进一步减小DTC控制系统的转矩脉动？
2023-10-18 06:53:31
有个问题一直困扰我，到底无源有损缓冲电路到底是能提高效率，还是把损耗转移到缓冲电路的电阻上去了！！请高手解答一下！！！
2019-03-08 14:07:55
提高了50V，达到650V。图1图1 全新650V IGBT4的截面图。相对于600V IGBT3的改进：芯片厚度增加 （y）、沟道宽度降低（z）、背部P射极能效提高。650V IGBT4动态特性
2018-12-07 10:16:11
通过禁用文件缓冲提高效率在每次文件I/O操作中，LabVIEW调用操作系统(OS)并请求在文件和磁盘之间传输数据，调默认状态下LabVIEW启用缓冲。缓冲减少了操作系统访问磁盘的次数并减少了处理时间
2017-03-16 09:17:20
增加另外恒压电路来稳定VCC电压，直接兼容5-12V输出电压时正常工作。配合电流驱动的电压钳位驱动外接开关管，优化减少系统损耗进一步提高整体系统效率芯片超低静态工作电流ETA8047/8小于0.4mA
2021-07-13 19:28:14
能够完全恢复保存的磁能和泄漏的电感能量，从而提高效率和可靠性。驱动第二级同步整流器的预测信号能够进一步提高效率。全面的保护功能包括UVLO、热关断和具有间隔电流限制的短路保护，有助于提高系统性能和可靠性
2021-05-17 06:18:24
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2威廉希尔官方网站
为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
的SJ-MOSFET。通过降低栅极电阻Rg和栅极-漏极间电荷量Qgd，提高了开关性能。通过提高开关速度，可降低开关损耗并提高效率。最后列出了这三个系列相关威廉希尔官方网站
信息的链接。这里虽然给出了各系列的特征，但为了进一步
2018-12-03 14:27:05
卡套管的使用有助于提高效率并达到更合格的标准
Enhancing Efficient and Reaching Higher Standard by using Clip Tubes
2009-03-14 17:26:09
11 一种提高效率和减小电压纹波的电荷泵:提出了一种经稳压后的电荷泵架构，通过改进传统四相位电荷泵的输出级使效率提高了5%，通过改进传统的控制时钟方案使输出电压纹波降低
2009-12-14 09:41:1521 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845 2015年3月2日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片，可提高牵引和工业传动等高性能设备的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
2016年5月10日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET威廉希尔官方网站
，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。
2016-05-10 18:14:091164 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步壮大其薄晶圆威廉希尔官方网站
TRENCHSTOP™5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它与
2018-06-04 08:31:002053 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容，推出最高电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成
2018-05-18 09:04:001989 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:155102 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高威廉希尔官方网站
和流程的结果，让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势，性能一代更比一代强。因此，G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代，在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
2020-08-21 14:01:251014 
英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率
2021-03-01 12:16:022084 ，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD续流二极管，在硬换流的场合，至少有两个主要优势： 没有Si二极管的反向恢复
2021-03-26 16:40:202349 
AN144-通过静默交换机设计降低EMI并提高效率
2021-05-07 15:27:556 深成科技：深圳圆柱电池分选机怎么提高效率？
2021-12-28 17:54:08418 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
为提高效率——如何将双向功率流集成到UPS设计中（第一部分）
2022-11-01 08:27:170 使用 DSN2 肖特基二极管提高效率
2022-11-15 20:25:240 Nexperia的LFPAK88不使用内部焊线，减小了源极引脚长度，从而最大程度地减少在开关过程中产生的寄生源极电感，以此提高效率。 无引脚(QFN)封装或开尔文源极连接等备选方案也具有类似的优点，但它们也存在很大的缺陷，这就使得“提高效率的捷径”LFPAK88成为我们的首选。
2023-02-10 09:38:03448 
英飞凌和Schweizer Electronic AG正在合作，将英飞凌的1200V CoolSiC™芯片嵌入印刷电路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31518 
电子发烧友网站提供《NIKKEI逻辑整合Brocade SAN以提高效率和安全性.pdf》资料免费下载
2023-08-30 10:36:070 英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255 
使用自增自减运算提高效率 在使用到加一和减一操作时尽量使用增量和减量操作符，因为增量符语句比赋值语句更快，原因在于对大多数CPU来说，对内存字的增、减量操作不必明显地使用取内存和写内存的指令，比如
2023-11-21 11:29:42188 带有快速体二极管的MOSFET器件通过LLC拓扑和FREDFET来提高效率
2023-12-08 17:35:56359 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 BOSHIDA 提高效率的DC电源模块设计技巧 设计高效率的BOSHIDA DC电源模块可以帮助减少能源浪费和提高系统功耗，以下是一些设计技巧： 1. 选择高效率的功率转换器：选择具有高效率
2024-02-26 14:27:38110 
碳化硅（SiC）威廉希尔官方网站
一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键，英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）威廉希尔官方网站
，也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标，扩大还在光伏、储能、电动汽车充电等领域的市场份额。
2024-03-12 09:33:26239 
本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:07188 
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