电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

美高森美推出碳化硅(SiC)材料和威廉希尔官方网站 的全新1200V肖特基二极管

美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和威廉希尔官方网站 的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:061242

罗姆半导体正式量产碳化硅MOSFET模组

日本半导体制造商 ROHM 已正式将适用于工业装置、太阳能发电功率调节器等变流器/转换器的碳化硅MOSFET 模组(额定规格1200V/ 180A)投入量产。
2013-01-30 09:32:421331

基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺,结合元胞镇流电阻设计,开发出了短路耐受时间长,导通电阻小,阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET
2019-01-17 15:40:039313

东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

东芝电子宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212210

东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化

中国上海, 2023 年 8 月 29 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55903

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装

---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ,用于支持工业设备应用 。该系列中五款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,十款产品于今日开始批量
2023-09-04 15:13:401134

600V碳化硅二极管SIC SBD选型

极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐威廉希尔官方网站 600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC
2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型

逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。    关断波形图(650V/10A产品)  650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型  
2020-09-24 16:22:14

8KW碳化硅全桥LLC解决方案

每个桥臂需要4个MOSFET以及各自的驱动,增加了系统复杂度,再比如每个桥臂需要各自的钳位二极管,增加了系统成本。  本文中,将介绍我们8KW LLC变换器的设计方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50

1200V/10A碳化硅肖特基二极管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49

1200V碳化硅MOSFET系列选型

。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。  产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。    1200V碳化硅MOSFET系列选型    
2020-09-24 16:23:17

用于PFC的碳化硅MOSFET介绍

碳化硅(SiC)等宽带隙威廉希尔官方网站 为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53

碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了

碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驱动碳化硅场效应管?

应用,处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料,可以用来构建类似MOSFET的组件,使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多关注,不仅因为它
2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么样?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC威廉希尔官方网站 导入应用的最大痛点

)新的650V碳化硅器件有助于在几个方面降低成本。与硅基650V MOSFET相比,碳化硅器件的导通损耗降低了50%,开关损耗降低了75%,而功率密度提高了三倍,因此,不仅可以实现更高效率,而且还可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47

碳化硅半导体器件有哪些?

200V,但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27

碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何组成逆变器的?

进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特点是什么

今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半导体的领军者

碳化硅(SiC)即使在高达1400℃的温度下,仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性,碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45

碳化硅如何改进开关电源转换器设计?

,3.3 kW CCM 图腾柱 PFC 的效率可达到 99% 以上(图 4),其中在双升压 PFC 设计中使用 CoolMOS™ 的最佳效率峰值为 98.85%。而且,尽管碳化硅MOSFET的成本较高
2023-02-23 17:11:32

碳化硅深层的特性

碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的历史与应用介绍

的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的应用

碳化硅作为现在比较好的材料,为什么应用的领域会受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二极管威廉希尔官方网站 演进解析

碳化硅肖特基二极管主要特点及产品系列  基本半导体B1D系列碳化硅肖特基二极管主要威廉希尔官方网站 参数如下:  650V1200V系列B1D碳化硅肖特基二极管电流范围从2-40A,封装涵盖TO-220,TO-252,TO-263,TO-247及其家族群封装,产品列表见下:原作者:基本半导体
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二极管的基本特征分析

。  基本半导体自主研发推出了650V1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品,具有极高的工作效率,性能优越达到国际先进水平,可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷线路板,半导体功率器件的好帮手

一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性,开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来,直到
2021-03-25 14:09:37

B1M080120HC 1200V碳化硅MOSFET替代C2M0080120D 可降低器件损耗更适合应用于高频电路

、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 参数选型表:
2021-11-10 09:10:42

Basic Semi代理商 B1D02065E 650V2A6.8nC 碳化硅肖特基二极管 附上同系列选型参数表

Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,极低反向电流 ,无反向恢复电流 ,低电容电荷, 提高效率,降低解决方案
2021-10-27 15:00:42

CISSOID碳化硅驱动芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32

SiC MOSFET:经济高效且可靠的高功率解决方案

栅极电压,在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间,也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17

TGF2023-2-10碳化硅晶体管

69.5%,这使得tgf2023-2-10适合高效率的应用。产品型号:TGF2023-2-10产品名称:碳化硅晶体管TGF2023-2-10产品特性频率范围:直流至14千兆赫47.4 dBm的名义
2018-06-12 10:22:42

TGF2023-2-10碳化硅晶体管销售

得tgf2023-2-10适合高效率的应用。产品型号:TGF2023-2-10产品名称:碳化硅晶体管TGF2023-2-10产品特性频率范围:直流至14千兆赫47.4 dBm的名义PSAT在3
2018-11-15 11:59:01

TGF2954碳化硅晶体管销售

TGF2954碳化硅晶体管产品介绍TGF2954报价TGF2954代理TGF2954TGF2954现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2954是离散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58

TGF2955碳化硅晶体管销售

:TGF2955产品名称:碳化硅晶体管TGF2955产品特性频率范围:直流- 12 GHz46.4dbm名义PSAT在3 GHz69%在3 GHz的PAE19.2db标称功率增益在3 GHz拜厄斯:VD = 32V
2018-11-15 14:06:57

TO-247封装碳化硅MOSFET引入辅助源极管脚的必要性

基本半导体推出1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET两种封装的典型产品B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)为例,从理论上来解释TO-247-4中辅助源
2023-02-27 16:14:19

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43

从硅过渡到碳化硅MOSFET的结构及性能优劣势对比

近年来,因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动,碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度,更好的温度特性使得系统损耗大幅降低,效率提升,体积减小,从而实现变换器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06

传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)

应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的威廉希尔官方网站 大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11

创能动力推出碳化硅二极管ACD06PS065G

的整体系统尺寸,更小的整体成本,高温下更高的可靠性,同时降低功率损耗。创能动力可提供碳化硅二极管、碳化硅MOSFET碳化硅功率模组和集成功率模组,用于太阳能逆变器、功率因数校正、电动车充电桩和高效率
2023-02-22 15:27:51

功率模块中的完整碳化硅性能怎么样?

90A 的 6 件拓扑结构,适用于 1200V,以及 50A、100A 和 150A 的混合碳化硅芯片组。  半顶 E2 模块  SEMITOP E2是允许全面优化的无底板模块。凭借其位于外壳顶部的引脚
2023-02-20 16:29:54

图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用

和高性能的碳化硅 MOSFET之间,在某些场合性价比更优于超结MOSFET碳化硅MOSFET,可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡,具有重要的应用价值,特别适用于对功率密度提升有需求,同时更强
2023-02-28 16:48:24

在开关电源转换器中充分利用碳化硅器件的性能优势

员要求的更低的寄生参数满足开关电源(SMPS)的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后,可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求,碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC谐振隔离DC/DC变换器方案研究

)。给出了本设计主要参数指标,其中输出最大电流为35A,输出电压范围在300V-550之间。工作频率范围在150KHZ-400KHZ之间。目标最高效率超过98.4%,功率密度达到60瓦/立方英寸。碳化硅
2016-08-05 14:32:43

如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路

对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31

如何用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器?

碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40

用于新能源汽车的碳化硅半桥MOSFET模块

  采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列  产品型号  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35

归纳碳化硅功率器件封装的关键威廉希尔官方网站

电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。碳化硅器件的这些优良特性,需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接,才能得到完美展现,而现有的传统封装威廉希尔官方网站 应用于碳化硅器件时面临着一些关键挑战
2023-02-22 16:06:08

浅析基于碳化硅MOSFET的谐振LLC和移相电路在新能源汽车的应用

)和1200V 碳化硅隔离全桥DC/DC方案(下图)因此碳化硅MOSFET在软开关桥式高输入电压隔离DC/DC电路中优势明显,简化拓扑,实现高效和高功率密度。特别是它的超快体二极管特性使无论谐振LLC
2016-08-25 14:39:53

浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

MOSFET 的单通道驱动核,可以驱动目前市面上大部分 1700V 以内的单管碳化硅 MOSFET, 该驱动核设计紧凑,通用性强。  3、电源模块  Q15P2XXYYD 是青铜剑科技自主研发的单通道
2023-02-27 16:03:36

电动汽车的全新碳化硅功率模块

面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V 电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16

被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点

,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200V,典型的电压有650V1200V等,另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现
2023-02-20 15:15:50

请教碳化硅刻蚀工艺

最近需要用到干法刻蚀威廉希尔官方网站 去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

降低碳化硅牵引逆变器的功率损耗和散热

使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)。但随着半导体威廉希尔官方网站 的进步,碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关,通过降低电阻和开关损耗来提高效率
2022-11-02 12:02:05

科锐推出芯片型碳化硅MOSFET功率器件

科锐公司(Nasdaq: CREE)将继续引领高效率电子电力模组变革,宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。
2011-12-19 09:03:161682

英飞凌推出1200 V碳化硅MOSFET威廉希尔官方网站 ,助力电源转换设计达到前所未有的效率和性能

  2016年5月10日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET威廉希尔官方网站 ,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性,可提高效率和频率。
2016-05-10 18:14:091164

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略
2018-03-18 09:19:003708

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅威廉希尔官方网站 开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型
2018-03-19 09:55:275947

深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET

ROHM第三代碳化硅MOSFET特点(相比第二代)ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中,包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET,并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299042

一种智能的碳化硅MOSFET驱动核

的产品带来高效率,高频率,小体积,降低系统成本等效益,广泛应用于光伏发电,新能源汽车,通信基站电源,充电桩,高铁,电网输电等领域。
2018-09-24 09:13:007216

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET产品

的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
2018-10-23 11:34:375600

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。
2018-11-03 11:02:414694

Wolfspeed推出适用于电动车充电器的1200V 450A全碳化硅半桥模块

日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半桥模块CAB450M12XM3,该产品可最大限度地提高功率密度,同时最大限度地降低环路电感并实现简单的功率总线。XM3适用于电动车充电器,牵引驱动器和不间断电源(UPS)等应用。
2019-09-14 10:54:001843

科锐推出650V碳化硅MOSFET产品组合,为应用领域提供高功率解决方案

作为碳化硅威廉希尔官方网站 全球领先企业的科锐(Cree Inc., 美国纳斯达克上市代码:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率
2020-04-02 15:37:563648

如何使用碳化硅器件实现高效率光伏逆变器的研究

采用新型碳化硅结型场效应功率晶体管的光伏逆变器与采用硅IGBT模块的传统光伏逆变器相比,具有开关频率高、体积小、效率高的特点。本文对桥式碳化硅模块的驱动,以及以碳化硅器件组成的单相光伏逆变器的开关
2020-04-14 08:00:002

东芝推出新款1200V碳化硅MOSFET产品,主要面向工业应用

该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。
2020-10-19 16:11:223530

Microchip推出700和1200V碳化硅肖特基势垒二极管

)今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器件,为电动汽车(EV)系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案,同时支持丰富的电压、电流和封装选项。 Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证,对于需要在提高系统效率的同时保持高质
2020-11-05 10:20:351686

英飞凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出1200V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427

东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化

东芝面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。
2021-02-25 14:14:40951

东芝推出新款1200V碳化硅MOSFET——TW070J120B

)和氮化镓(GaN)等第三代半导体材料正凭借其优越的性能和巨大的市场潜力,成为全球半导体市场的焦点。借此契机,东芝推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW070J120B”。 01特征属性分析 TW070J120B采用第2代内置碳化硅SBD芯片设计,TO-3P(N)封装,具有高
2021-06-04 18:21:233224

碳化硅MOSFET数字栅极驱动器现已量产

随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加,以满足更低的碳排放目标,基于碳化硅电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合
2021-10-09 16:17:461644

东芝推出1200V和1700V碳化硅MOSFET模块

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块:额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”;额定电压为1700V、额定
2022-02-01 20:22:024606

Qorvo推出新一代1200V碳化硅场效应晶体管

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系
2022-05-25 10:46:531004

东芝推出具有低导通电阻的新款功率器件

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53479

东芝推出第三代碳化硅MOSFET来提高工业设备效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET[1][2],具 有低导通电阻和大幅降低的开关损耗。10种产品分别为
2023-02-20 15:46:150

碳化硅MOSFET有几种电压介绍

、900V、1200V、1700V,当然还有超高压3300V,目前正在研发中,主要应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控,电源、工控、空调等、电动工具、储能等。碳化硅 (SiC
2023-02-21 09:59:541184

汽车碳化硅模块是什么,作用和用途

  汽车碳化硅模块是一种用于汽车电力传动系统的电子器件,由多个碳化硅芯片、散热器、绝缘材料和连接件等组成。碳化硅芯片作为模块的核心部件,采用现代半导体威廉希尔官方网站 制造而成,可以实现高功率、高效率、高频率的控制和开关,适用于电动车的逆变器、充电器、DC-DC转换器等多种应用。
2023-02-25 15:03:222180

Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 满足大功率应用需求

碳化硅(SiC)威廉希尔官方网站 的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统,SiC MOSFET 就能为许多行业的许多不同应用提供高效率,包括那些必须在恶劣环境中运行的应用。
2023-05-19 11:27:34547

碳化硅MOSFET什么意思

MOSFET相比传统的硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的耐压、更低的导通电阻、更高的开关频率和更高的工作温度等优点。因此,碳化硅MOSFET可以被广泛应用于能源转换、交流/直流电源转换、汽车和航空航天等领域。
2023-06-02 15:33:151180

Wolfspeed开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET

。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列针对高功率应用优化设计,适用于光伏与储能系统、电动汽车充电、高电压DC/DC转换器、测试设备、不间断电
2023-07-06 10:35:14375

逆变器中600V-1200V碳化硅MOSFET预备起飞

逆变器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未来十年的复合年增长率为27%。
2023-07-17 11:33:24278

碳化硅MOSFET的应用场景

碳化硅(SiC)威廉希尔官方网站 的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统,SiC MOSFET就能为许多行业的许多不同应用提供高效率,包括那些必须在恶劣环境下运行的应用。
2023-07-21 11:42:14623

采用STM32G4并基于碳化硅 MOSFET适用于30kW充电电源的ACDC方案

电子发烧友网站提供《采用STM32G4并基于碳化硅 MOSFET适用于30kW充电电源的ACDC方案.pdf》资料免费下载
2023-07-31 17:03:4410

碳化硅MOSFET的应用场景及其影响

  碳化硅(SiC)威廉希尔官方网站 的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统,SiC MOSFET就能为许多行业的许多不同应用提供高效率,包括那些必须在恶劣环境中运行的应用。
2023-08-16 10:28:21656

东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化

点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出业界首款 [1] 2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32734

东芝第3代碳化硅MOSFET为中高功率密度应用赋能

MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02269

一文了解SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势

共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 碳化硅MOSFET具有高频高效
2024-02-21 18:24:15412

Qorvo发布1200V碳化硅模块

全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19282

已全部加载完成