鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项威廉希尔官方网站
之前，您可能仍然会好奇GaN 是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。
2022-07-18 10:06:19
779 对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于 GaN FET 的合适控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:091274 
电力电子将在未来几年发展，尤其是对于组件，因为 WBG 半导体威廉希尔官方网站
正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和 GaN 组件的过渡标志着功率器件发展和更好地利用电力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。
2021-09-14 14:47:19612 
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。
2021-11-17 09:06:184236 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220 大家好，我是一个新手学习写C语言，我用的是普中开发实验板，想通过P0口点亮所以灯同时闪烁，怎么做到了，我试了很多次都不成功，还望高手发一份点亮闪烁程序给我，谢谢
2014-04-17 16:15:19
使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。GaN更优的开关能力意味着它可以用更少的器件更有效地转换更高水平的功率，如图1所示。GaN半导体能够在交流/直流供电
2022-11-07 06:26:02
硅MOSFET功率晶体管多年来一直是电源设计的支柱。虽然它们仍然被广泛使用，但是在一些新设计中，氮化镓（GaN）晶体管正在逐渐替代MOSFET。GaN威廉希尔官方网站
的最新发展，以及改进的GaN器件和驱动器电路
2017-05-03 10:41:53
受到关注。因此，这些设备可能存在于航空航天和军事应用的更苛刻条件下。但是这些行业对任何功率器件（硅或GaN）都要求严格的质量和可靠性标准，而这正是GaN HEMT所面临的问题。氮化镓HEMT与硅
2020-09-23 10:46:20
日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。 为何选择GaN？当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括：•较低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01:09
有硅、SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓），采用硅材料可以使得芯片体积小、重量轻、成本低，而SiC仅可以提高效率节省能源，两者不能兼得，事实证明只有通过GaN功率IC才可以做到无与伦比的速率和效率。另外
2017-09-25 10:44:14
都应通过这样的测试。依我看，JEDEC制定的标准应该涵盖这类测试。您说呢？” 客户的质疑是对的。为使GaN被广泛使用，其可靠性需要在预期应用中得到证明，而不是仅仅通过硅材料配方合格认证（silicon
2018-09-10 14:48:19
半导体材料可实现比硅基表亲更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，这些功能使得在各种电源应用中减少重量，体积和生命周期成本成为可能。 Si，SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
）和由此实现的高功率密度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]SiC-/GaN功率实现多级功率转换级和全双向工作模式，硅IGBT则因逆变工作模式而受到一些限制。[color
2019-07-16 23:57:01
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
Vicor是全球领先的云计算和大功率计算企业。由于其小而巧的功率模块，Vicor电源模块进入国际高知名、高效率电源模块行业。2019年在Odcc峰会上，Vicor展示了从AC和HVDC到48V
2019-11-29 09:02:56
vicor的隔离电源输出负压，在资料中一直没有提到，不知道安全可靠性问题怎么样？怎么用比较安全？
2018-12-10 09:04:11
vicor 公司的英国威廉希尔公司网站
资料
2019-11-10 11:11:06
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸，整个晶圆的长度可以拉长至2米
2017-08-29 11:21:41
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他威廉希尔官方网站
相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
`如附图这种PCB刻制线圈是怎么做的，画得这么圆是怎么做到的？`
2016-06-13 11:07:49
SPI最少可以用几条线
2023-10-10 06:25:06
作者： Steve Tom在德州仪器不断推出的“威廉希尔官方网站
前沿”系列博客中，一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的威廉希尔官方网站
趋势以及如何应对未来挑战等问题。相较于以往使用的硅晶体管，氮化镓 (GaN) 可以让
2018-09-10 15:02:53
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
（SiC）和氮化镓（GaN）是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比，两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流，从而可以提高半导体工作温度。此外，SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
约 4 倍（芯片面积 x R上），与类似的MOSFET相比。对于相同的5 V栅极电压，GaN FET的栅极电荷至少比硅MOSFET低五倍。因此，GaN FET可以比硅MOSFET更高效地工作，并在高
2023-02-21 15:57:35
，实现了更高的开关频率，减少甚至去除了散热器。图2显示了GaN和硅FET之间48V至POL的效率比较。 图 2：不同负载电流下GaN与硅直流/直流转换器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益，可帮助减小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
较GaN FET与硅FET二者的退化机制，并讨论波形监视的必要性。使用寿命预测指标功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及
2019-07-12 12:56:17
上的毫米波频率。另外，GaN功率放大器支持更高的带宽，即使在较高的频率也是如此。 如今存在的两种主要GaN威廉希尔官方网站
为碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的优势在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子威廉希尔官方网站
应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子威廉希尔官方网站
的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子威廉希尔官方网站
2017-07-11 14:06:55
虽然电动和混合动力电动汽车（EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）衬底和工艺威廉希尔官方网站
的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
功率晶体管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高压和高开关频率条件下提供高功率效率，从而远远超过硅MOSFET产品。 GaN可以为您做什么 根据应用的不同，高效率的高频开关可以将功率模块的尺寸缩小
2018-11-20 10:56:25
的改善也同样显著。图 1：100KHz 和 500KHz 时的半桥 LLC 谐振转换器本文讨论了商用GaN功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器中的优势。对晶体管
2023-02-27 09:37:29
和高频场效应晶体管(FET)。WBG 材料以其优异的电学特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高频电子器件的局限性。更重要的是，WBG 半导体可用于可扩展的汽车电气系统和电动汽车(电动汽车
2022-06-15 11:43:25
功率开关威廉希尔官方网站
也是如此，特别是用SiC和GaN制作的宽带隙器件。SiC已经从5年前的商业起步跃升到今天的第三代，价格已与硅开关相当，特别是在考虑到连锁效益的情况下。 随着电动汽车、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
本帖最后由 傲壹电子 于 2017-6-16 10:38 编辑
1.GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
请问一下SiC和GaN具有的优势主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体威廉希尔官方网站
。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
描述 此设计采用带 SiC-FET 的低成本初级侧调整 (PSR) IC UCC28700，适用于 300VDC-800VDC 的输入范围。产生分别接地的四路输出：25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07
Stefano GallinaroADI公司各种应用的功率转换器正从纯硅IGBT转向SiC/GaN MOSFET。一些市场（比如电机驱动逆变器市场）采用新威廉希尔官方网站
的速度较慢，而另一些市场（比如太阳能
2018-10-22 17:01:41
据权威媒体分析，SiC和GaN器件将大举进入电力电子市场，预计到2020年，SiC和GaN功率器件将分别获得14%和8%市场份额。未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC和GaN的威廉希尔官方网站
创新上。
2013-09-18 10:13:112464 翻译: TI信号链工程师 Tom Wang (王中南) 斩波型运放提供较低的失调电压，同时也极大地减少了1 / f(闪烁)噪声。它是怎么做到的？这篇短文就来讨论这个主题。
2017-04-08 04:04:3010106 
作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156 
UnitedSiC SiC FET用户手册
2021-09-07 18:00:13
17 怎么做到快速修补板式喂料机轴头磨损
2022-01-23 11:10:222 与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。
2022-02-08 16:32:444 半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。
2022-04-16 17:13:015712 UnitedSiC（现为Qorvo）扩展了其突破性的第4代 SiC FET产品组合, 通过采用TO-247-4引脚封装的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面贴装封装
2022-08-01 12:14:081068 对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效率设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于GaN FET的合适控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:08570 
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC威廉希尔官方网站
的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。
2022-10-31 09:03:23666 高频开关等宽带隙半导体是实现更高功率转换效率的助力。SiC FET就是一个例子，它由一个SiC JFET和一个硅MOSFET以共源共栅方式构成。本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代威廉希尔官方网站
进行了比较。
2022-11-11 09:11:55857 高频开关等宽带隙半导体是实现更高功率转换效率的助力。SiC FET就是一个例子，它由一个SiC JFET和一个硅MOSFET以共源共栅方式构成。
2022-11-11 09:13:27787 OBC 充电器中的 SiC FET
2022-12-28 09:51:07565 
在过去几年里，GaN威廉希尔官方网站
，特别是硅基GaN HEMT威廉希尔官方网站
，已成为电源工程师的关注重点。该威廉希尔官方网站
承诺提供许多应用所需的大功率高性能和高频开关能力。然而，随着商用GaN FET变得更容易获得，一个关键问题仍然存在。为何选择共源共栅？
2023-02-09 09:34:12419 
在半桥拓扑中并联 Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:190 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 从人类的角度来看，几代人过得很慢，在人们的记忆中，从“婴儿潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，现在奇怪的是“A”。我想他们只是用完了字母。然而，在半导体领域，代际发展更快，自 4 年 750 月推出 2020V SiC FET 以来，SiC FET 现已达到第 <> 代。
2023-02-17 09:20:03155 
采用 TO-247 封装的 650 V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 MOSFET 和 GaN FET 应用手册-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 650 V、50 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 了解功率 GaN FET 数据表参数-AN90005
2023-02-17 20:08:302 GaN FET 半桥的电路设计和 PCB 布局建议-AN90006
2023-02-20 19:29:057 比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗更高，整体效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
GaN和SiC器件比它们正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有数以亿计的此类设备，其中许多每天运行数小时，因此节省的能源将是巨大的。
2023-03-29 14:21:05296 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化
2023-05-30 09:03:15384 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为3.3eV，GaN（氮化镓）为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批支持低电压（100/150 V）和高电压（650 V）应用的 E-mode（增强型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 怎么做到EMC设计与产品设计同步？|深圳比创达EMC（上）
2023-08-28 14:56:18261 
怎么做到EMC设计与产品设计同步？（中）相信不少人是有疑问的，今天深圳市比创达电子科技有限公司就跟大家解答一下！
2023-08-29 10:34:39234 镓（GaN）等宽带隙材料的器件威廉希尔官方网站
无疑已经做到了这一点。 与传统硅基产品相比，这些宽带隙威廉希尔官方网站
材料在提升功率转换效率和缩减尺寸方面都有了质的飞跃。 凭借S iC在缩减尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET威廉希尔官方网站
用于采用TO-Leadless（TOLL）封装的750V器件开发，并扩大了其领先优势。
2023-08-29 18:10:01223 
怎么做到EMC设计与产品设计同步？|深圳比创达EMC（下）
2023-08-30 10:44:55223 联合SiC的FET-Jet计算器 — — 从SIC FET选择中得出猜算结果
2023-09-27 15:15:17499 
SiC FET 耐抗性变化与温度变化 — — 进行正确的比较
2023-09-27 15:08:29250 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。
2023-10-19 12:25:58208 
SiC与GaN的兴起与未来
2023-01-13 09:06:226 还没使用SiC FET？快来看看本文，秒懂SiC FET性能和优势！
2023-11-29 16:49:23277 
SiC FET神应用，在各种领域提高功率转换效率
2023-11-30 09:46:11155 
UnitedSiC SiC FET用户指南
2023-12-06 15:32:24172 
充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152 
在产品研发方面，2023年，Qorvo宣布采用具备业界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封装750V FET，这是任何其它功率半导体威廉希尔官方网站
（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均无法超越的。
2024-02-21 14:40:5266
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