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过度蚀刻暴露硅晶圆表面可能会导致表面粗糙。当硅表面在HF过程中暴露于OH离子时，硅表面可能会变得粗糙....

等离子体蚀刻机需要与湿法蚀刻相同的元素：化学蚀刻剂和能量源。从物理上讲，等离子体蚀刻机由室、真空系统....

蚀刻的历史方法是使用湿法蚀刻剂的浸泡威廉希尔官方网站 。该程序类似于前氧化清洁冲洗干燥过程和沉浸显影。晶圆被浸入蚀....

下图列出了一个11步工艺，如第5章所示。典型的站点良率列在第3列，累积良率列在第5列。对于单个产品，....

在晶圆制造良率部分讨论的工艺变化会影响晶圆分选良率。在制造区域，通过抽样检查和测量威廉希尔官方网站 检测工艺变化。....

制造后，晶圆被送到晶圆分选测试仪。在测试期间，每个芯片都会进行电气测试，以检查设备规范和功能。每个电....

硅晶圆相对容易处理，并且良好的实践和自动设备已将晶圆断裂降至低水平。然而，砷化镓晶圆并不是那么坚韧，....

晶圆实际被加工的时间可以以天为单位来衡量。但由于在工艺站点的排队以及由于工艺问题导致的临时减速，晶圆....

晶圆制造和封装是一个极其漫长和复杂的过程，涉及数百个要求严格的步骤。这些步骤从未每次都完美执行，污染....

有许多单独的模式处理步骤，这些处理步骤标识了器件的数量、器件的具体结构，器件中堆叠层的组合方式，并且....

电路设计是制造微芯片的第一步。电路设计人员首先会从设计电路的单元功能图开始，如逻辑图中所示的这样。

下图中描述了一个中等规模集成(MSI)/双极显微照片集成电路。选择整合的水平，以便一些表面细节可以看....

在本章当中，我们将为大家介绍硅片制造中使用的四种基本工艺，这四种基本工艺常用于在晶圆片表面上加工集成....

最后的抛光步骤是进行化学蚀刻和机械抛光的结合，这种形式的抛光称为化学机械抛光(CMP)。首先要做的事....

一旦晶体在切割块上被定向了，我们就可以沿着切割块的这一根轴线打磨出一个平面或缺口(具体可以见下图所示....

在晶体生长的过程中，由于某些条件的引入将会导致结构缺陷的生成。

浮区晶体生长是本文所解释的几个过程之一，这项关键性的威廉希尔官方网站 是在历史早期发展起来的威廉希尔官方网站 ，至今仍用于特殊用....

我们看到的半导体晶圆是从一块完整的半导体大晶体切成出来形成的。

晶体材料可能有两层原子结构。首先是原子以特定的形状排列在单个晶胞的特定的点上。

在接下来的一个章节里面，我们将主要介绍用砂子制备半导体级硅的方法，以及后续如何将其转化为晶体和晶圆片....

另一个重要方面是压力。压强，作为一种物质的基本性质，通常是用于液体和气体物质状态的描述量。

书接上节，常见的物质的第四种自然状态是等离子体状态。我们比较熟知的恒星天体就是等离子体态的一个例子。....

当我们想要描述一个原子的结构时，每次绘制下图所示的这样的图表时都不是非常的方便。更常见的做法是写出分....

硅/锗原子的间距比普通硅原子的更宽。在沉积的过程中，硅原子伸展到与SI/Ge原子对齐，使硅层染色。电....

尽管有这些优点，但是砷化镓材料仍不能取代硅材料进而变成主流的半导体材料。原因在于我们必须要在实际的材....

锗和硅是两种基本的半导体。世界上第一个晶体管是由锗材料制成的，作为固态电路时代的最初的一个标志。

以同样的方式理解p型材料(如下图所示)。不同之处在于，只有元素周期表第三列的硼被用来使p型的硅掺杂。....

本征态的半导体材料在制作固态器件时是无用的，因为它没有自由移动的电子或者空穴，所以不能导电。

本征态的半导体材料在制作固态器件时是无用的，因为它没有自由移动的电子或者空穴，所以不能导电。然而，通....

许多材料的一个重要特性是导电能力(即:支持电流流动的能力)。电流就是流动的电子。导电发生在元件和材料....