半导体设备与材料

随着集成电路工艺威廉希尔官方网站 不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成电....

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套刻计量（Overlay metrology）工具可提高精度，同时提供可接受的吞吐量，解决日益复杂的....

PVD篇 PVD是通过溅射或蒸发靶材材料来产生金属蒸汽，然后将金属蒸汽冷凝在晶圆表面上的过程。应用材....

Producer Black Diamond 3 系统设计为可与 应用材料公司的 Producer ....

作为中微公司自主研发的产出效率高且性能卓越的12英寸LPCVD设备，Preforma Uniflex....

这是一种晶圆键合方法，其中两个表面之间的粘附是由于两个表面的分子之间建立的化学键而发生的。

在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump....

铜的替代品，如钌和钼，可以集成使用双镶嵌。不过，它们可能更适合使用金属蚀刻的减法方案，自从铝互连的日....

TSV 是目前半导体制造业中最为先进的威廉希尔官方网站 之一，已经应用于很多产品生产。实现其制程的关键设备选择与工....

在深入探讨这些主题之前，让我们简要介绍一下公司的历史以及他们独特的文化。在专注于半导体之前，DISC....

追求更小的 DRAM 单元尺寸（cell size)仍然很活跃并且正在进行中。对于 D12 节点，....

通过控制温度来控制晶相，将非晶AlO、T相ZrO制作为新型介质薄膜。因为主要贡献点是EOT很低的新型....

DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Re....

扩大支撑列可以提供更好的结构稳定性，但会增加字线电阻，占用更多的空间。因此，在器件的结构完整性允许的....

在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中，一项最重要的工艺是蚀刻（Etch）——即，在晶圆....

最小 Lg 是沟道栅极控制的函数，例如从具有不受约束的沟道厚度的单栅极平面器件转移到具有 3 个栅极....

添加更多的栅极（例如在 FinFET 中），将使其中的沟道被限制在三个栅极之间，从而能够将 Lg 缩....

志橙半导体成立于2017年底，专注于为半导体芯片设备提供核心部件-SiC涂层石墨基座，据称是国内首家....

2019年、2020年和2021年，微导纳米的营收分别为2．16亿元、3．13亿元和4．28亿元；净....

FinFET路线图有三个重要的威廉希尔官方网站 挑战：翅片弯曲、高k金属栅极（HKMG）和接口关键尺寸缩放以及源极....

栅极由绝缘膜(栅氧化层, gate oxide)和电极(栅电极, gate electrode)组成....

和晶圆制造工艺类似，图形放置位置是光掩膜量测中相当重要的一部份。完整的芯片设计不仅对每一层光掩膜的特....