单相全桥逆变电路 单相全桥逆变电路也称“H 桥”电路，其电路拓朴结构如图1所示，由两个半桥 图1单相....
通过以上方程，现在可以根据测量值来计算所需的死区时间。使用计算出的死区时间，需要进行最坏情况下的测量....
各种拓扑对IGBT驱动器的要求各不相同，比如： 两电平拓扑通常要求短路保护和过压保护即可。常用的短路....
IGBT绝缘特性 电子元器件（半导体模块）中，隔离带电部分和底板的材料，被称作绝缘材料。在大功率半导....
计算IGBT模块死区时间 1 引言 在现代工业中，IGBT器件在电压源逆变器中的使用越来越广泛。为了....
采用模拟电路方式测量IGBT模块NTC温度传感器温度：这个基本的方法是基于一个分压器作为热敏装置。
IGBT模块在三相电机驱动逆变器中的典型应用案例如下图，主要包含了整流、IGBT主电路、驱动保护、P....
IGBT模块采用吸收电路时，典型的关断电压波形如下图所示。从图中可以看出，初始浪涌电压△U1之后，随....
在光伏逆变器等大功率应用场合，主电路(直流电容到IGBT模块间)存在较大杂散电感(几十到数百nH)。....
IGBT等功率电子器件在工作中，由于自身的功率损耗，将引起IGBT温度升高。引起功率器件发热的原因主....
功率器件的正常运行在很大程度上依赖于散热。常用的散热方式有自冷、风冷、水冷和沸腾冷却四种。
以IGBT模块应用三相逆变电路为例。
IGBT模块关断截止时，I(t)≈0，损耗的功率可忽略。为了便于分析，将IGBT损耗分为导通损耗和开....
5月28日，青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛隆重举行，参加此次签约仪式....
图5-14所示是采用IGBT过流时UCE增大的原理构成的保护电路，该电路采用IGBT专用驱动器EXB....
IGBT并联可以分为“硬并联”及“桥臂并联”2大类。
并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量，因此需要尽量对称；
IGBT驱动器在并联的场合有2种配置方法（LS1，LS2为杂散参数）
图1是半桥式逆变电路的原理图，它是在全桥式逆变电路的基础上用电容C1、C2代替了Q3、Q4两个IGB....
由于IGBT模块自身有一定的功耗，IGBT模块本身会发热。在一定外壳散热条件下，功率器件存在一定的温....
电化隔离：电荷无法由一个电路移动到另一个电路，双方信号通过其他方式交换信息。
IGBT的过流保护电路可分为两类：一类是低倍数(1.2-1.5倍)的过载保护；另一类是高倍数（可达8....
近日，市民营经济发展局公示了青岛市2023年度小微企业创新转型项目的名单，我司成功入选，同时感谢大家....
所谓集中过电流保护，就是检测逆变桥输入直流母线上的电流，当该电流值超过设定的阈值时，封锁所有桥臂IG....
由于门极-发射极连线电感LG、RG、还有Cies之间的关系，如果在门极驱动环路内发生震荡，有可能因为....
IGBT模块的运行温度范围是非常重要的参数。一些设备要求工作在室温下，而另一些设备要求工作在很宽的温....
IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF....
额定门极驱动电压：门极驱动电压在±20V范围内施加超过此范围的电压时，门极-发射极间的氧化膜（SiO....
变流器主电路在空间产生的磁场强度随输入、输出母线中通过电流的强弱而变化，同时IGBT模块产生的空间交....
IGBT最常见的形式其实是模块（Module），而不是单管。
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