芯长征科技

IMEC 项目经理 Pawel Malinowski 与 Semiconductor Enginee....

如今全球的汽车已经进入到智能化时代，汽车对于芯片的需求剧烈增加，以往一个传统汽车需要的芯片数量是在五....

为了提高功率模块铜线键合性能，采用6因素5水平的正交试验方法，结合BP（Back Propaga‐t....

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法....

在电子工程领域，功率器件和集成电路是两个重要的分支，它们各自在特定的应用场景中发挥着重要的作用。关于....

功率半导体通过对电流与电压进行调控实现电能在系统中的形式转换与传输分配，能够实现电能转换和电路控制，....

碳化硅 （ SiC ）具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点。应用于硅基器件的....

众所周知，IGBT失效是IGBT应用中的难题。大功率IGBT作为系统中主电路部分的开关器件，失效后将....

IBM 的概念纳米片晶体管在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项威廉希尔官方网站 进步，并可能....

统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工....

本文汇集了 SiC MOSFET 最新结果的特定方面，涉及由于应用交流栅极偏置应力（也称为栅极开关应....

到目前为止，第三方chiplet的使用情况参差不齐。普遍的共识是，第三方芯粒市场将在某个时候蓬勃发展....

碳化硅（SiC）材料被认为已经彻底改变了电力电子行业。其宽带隙、高温稳定性和高导热性等特性将为SiC....

英特尔是三者中最早演示 CFET 的，早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。这一次，英....

更高的击穿场允许器件在给定区域承受更高的电压。这使得器件设计人员能够在相同的芯片尺寸下增加用于电流流....

MOSFET的并联使用

IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极....

与传统半导体材料硅、锗相比，第三代半导体材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具....

碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜....

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二极管正在快速应用于电力电子转换半导体 (PECS) 应用，例如....

IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor），中文名称：集成....

摘 要：针对Boost变换器中SiC(碳化硅)与IGBT模块热损耗问题，给出了Boost电路中功率模....

近年来，我国已成为全球发电量第一的大国。电能一直是人类消耗的最大能源，是目前最为重要的一种能源形式之....

一是可以直接利用，特别是在偏远或者离网区域；二是它足够多：据计算，海平面上，每平方米每天可产生1kW....

当前的新能源车的模块系统由很多部分组成，如电池、VCU、BSM、电机等，但是这些都是发展比较成熟的产....

应对网络威胁正在成为芯片和系统设计的一个组成部分，并且更加昂贵和复杂。

现场可编程门阵列 (FPGA) 是提供适应性强且可更改的硬件功能的半导体。它们包含各种可变逻辑单元和....

自从IBM于20世纪60年代开发出可控塌陷芯片连接（Controlled Collapse Chip....

增加3D（三维）NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度威廉希尔官方网站 的基本威廉希尔官方网站 预计将在不久....

此次，我们将报道旨在实现光互连的光器件的最新研究和发展趋势。