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芯长征科技

文章:293 被阅读:41.9w 粉丝数:32 关注数:0 点赞数:11

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功率MOSFET在电池管理充放电系统中的应用

功率MOSFET需要在锂离子电池组内部和输出负载之间串联。同时,专用IC用于控制MOSFET的开启和....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:21 820次阅读
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VDMOS器件关键参数介绍

如图1所示,VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区,在硅表面P型区和N+....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:16 647次阅读
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IGBT短路耐受时间的重要性

IGBT等功率器件具有称为“短路耐受时间(SCWT:Short Circuit Withstand ....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:12 382次阅读
IGBT短路耐受时间的重要性

米勒平台造成的对管开启

在MOS管的上下桥驱动中,有这种现象。如下图,一个管子处在米勒平台的时候,会给另一个管子的Vgs电压....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:08 295次阅读
米勒平台造成的对管开启

芯片制造全流程简述

⌈ “兵马未动,粮草先行”,各路IC英雄是否备好了Hamburger&Chips来迎接下一次的远征。....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:04 869次阅读
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逆变器中MOS管和IGBT的选型对EMC有什么影响

逆变器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 17:00 589次阅读
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Buck电路设计应用

Buck 变换器是一种输出电压低于输入电压的非隔离型直流变换器,其拓扑结构如下所示。Buck 电路输....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 16:58 566次阅读
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buck-boost拓扑电路的工作过程

从上述分析可以看出,buck-boost拓扑输入Ui和输出Uo正负方向相反。当把电感L等效为两个电感....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 16:47 1460次阅读
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为什么PMOS作为高侧开关更容易实现

高侧开关就是负载是接地的,开关相对于负载处于高电位,如下图所示。如果将开关和负载的位置互换,就是低侧....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 16:43 994次阅读
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Buck电路和Boost电路的工作原理

Buck电路,也就是常说的降压电路,为直流进-直流出。电路没有变压器,输入输出公共一个地。下图为Bu....
的头像 芯长征科技 发表于 10-08 16:22 1034次阅读
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芯长征科技集团新能源电子封测产线正式通线!

2024年5月9日,芯长征科技集团(简称“芯长征”)新能源电子封测产线在中国荣成顺利通线并隆重举行通....
的头像 芯长征科技 发表于 05-10 14:08 1376次阅读
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江苏芯长征微电子集团股份有限公司IGBT模块成功通过UL认证

近日,芯长征在UL认证专业机构安可捷协助下,成功完成IGBT模组的UL认证流程,为公司的产品研发与市....
的头像 芯长征科技 发表于 04-16 09:51 1068次阅读
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车规芯片与非车规芯片基本性能对比

功率型芯片于控制单元中主要负责具有高功率负载的控制电路,是可实现系统中电力控制与管理的关键零件,由于....
的头像 芯长征科技 发表于 04-09 12:19 3357次阅读
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IGBT/三极管/MOS管这三种元器件之间有什么区别?

三极管的结构是给一块纯硅进行三层掺杂,其中较窄区域高浓度N型掺杂,含有大量自由电子,中间极窄区域普通....
的头像 芯长征科技 发表于 04-09 11:15 11179次阅读
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光伏领域IGBT市场飞速增长 2025年光伏领域IGBT市场规模将达73亿

功率半导体器件(Power Electronic Device)又称为电力电子器件和功率电子器件,是....
的头像 芯长征科技 发表于 04-09 10:59 1892次阅读
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剖析晶圆级封装结构的构造原理

其中,有一个插图,知识星球里有朋友不明白每层的构造原理,这里我来剖析一下。
的头像 芯长征科技 发表于 04-03 11:43 1485次阅读
剖析晶圆级封装结构的构造原理

车规级芯片和消费类芯片的区别

汽车电子对元件的工作温度要求比较宽,根据不同的安装位置等有不同的需求,但一般都要高于民用产品的要求。
的头像 芯长征科技 发表于 04-02 11:33 1550次阅读
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碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析

碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点, 是替代高压硅MO....
的头像 芯长征科技 发表于 04-01 11:23 2252次阅读
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除碳可提高GaN电子迁移率?

据日本研究人员报告,通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”,氮化镓(GaN)的电子迁移率性....
的头像 芯长征科技 发表于 03-13 10:51 1011次阅读
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如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢?

为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求,进行了 1 200 V/500 A....
的头像 芯长征科技 发表于 03-13 10:34 1850次阅读
如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢?

晶圆键合工艺流程与关键威廉希尔官方网站 探讨

1:制造先进的启动晶片(SOI)的方法。 2:作为一种创建复杂三维结构和腔体的方法,以创造设备....
的头像 芯长征科技 发表于 03-06 10:45 508次阅读
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探讨

三电平逆变器的基本工作原理介绍

三电平逆变器基本介绍
的头像 芯长征科技 发表于 02-26 10:09 2679次阅读
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外延层在半导体器件中的重要性

只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此,1959年末开发了薄层单晶材料生长技....
的头像 芯长征科技 发表于 02-23 11:43 1227次阅读
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电池储能功率变换系统(PCS)的定义 功率变换系统的设计原则

功率变换系统(power conversion system,PCS)是与储能电池组配 套,连接于电....
的头像 芯长征科技 发表于 02-23 10:23 3576次阅读

晶圆到晶圆混合键合的前景和工艺流程

3D集成是实现多芯片异构集成解决方案的关键威廉希尔官方网站 ,是业界对系统级更高功耗、性能、面积和成本收益需求的回....
的头像 芯长征科技 发表于 02-22 09:42 1244次阅读
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基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元设计方法

摘要:随着储能变流器向大容量、模块化发展,碳化硅(SiC)器件由于其低损耗、耐高温的特性,逐渐成为研....
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光伏逆变器拓扑概述及关键威廉希尔官方网站

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的头像 芯长征科技 发表于 02-21 09:47 780次阅读
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详解MOS管的寄生电感和寄生电容

寄生电容和寄生电感是指在电路中存在的非意图的电容和电感元件。 它们通常是由于电路布局、线路长度、器件....
的头像 芯长征科技 发表于 02-21 09:45 2505次阅读
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IGBT器件的结构和工作原理

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的头像 芯长征科技 发表于 02-21 09:41 1793次阅读
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全碳化硅直流充电设备威廉希尔官方网站 研究案例

围绕碳化硅功率器件高频率、高耐压、耐高温的性能,提出一套适用于新能源汽车直流充电设备的拓扑结构方案,
的头像 芯长征科技 发表于 02-20 09:47 565次阅读
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