英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2022-05-13 01:25

  IGBT门极驱动到底要不要负压

  

  先说结论，如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说，很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。IGBT是一个受门极电压控制开关的器件，只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关，在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG

  IGBT

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• 发布了文章 2022-05-10 01:25

  英飞凌精彩亮相欧洲PCIM 2022：尽享非凡功率

  

  PCIM欧洲始于1979年的德国纽伦堡，是全球电力电子行业的顶级展会及研讨会，已有40年多年历史。在这一行业盛会上，全球从业者齐聚一堂，展示与交流电力电子威廉希尔官方网站 和应用。来自学术界和工业界的专家在这里发布最新的研究成果和新产品，内容从器件、驱动控制、封装威廉希尔官方网站 到最终系统，涵盖整个生态链。英飞凌将亮相PCIM2022（5月10日至12日，德国纽伦堡），展示功率半导体

  英飞凌

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• 发布了文章 2022-05-08 01:46

  如何拓展IGBT驱动器电流

  

  功率半导体驱动电路是集成电路的一个重要子类，功能强大，用于IGBT的驱动IC除了提供驱动电平和电流，往往带有驱动的保护功能，包括退饱和短路保护、欠压关断、米勒钳位、两级关断、软关断、SRC(slewratecontrol)等，产品还具有不同等级的绝缘性能。但作为集成电路，其封装决定了最大功耗，驱动IC输出电流有的可以做到10A以上，但还是不能满足大电流IGB

  电流 驱动器

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• 发布了文章 2022-04-30 01:57

  当.XT威廉希尔官方网站 遇上SiC单管

  

  英飞凌于2020年发布了基于.XT威廉希尔官方网站 的D2PAK-7L封装1200VSiCMOSFETSMD系列产品，导通电阻从350mohm到30mohm，覆盖功率范围最高可到20kW，产品目录下图1。图1.英飞凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET产品也许您已选用测试，或许还在选型观望，又或者正懵懂于“.XT”是个啥？不妨读完此文，拨云见日，三站地铁，十分钟足

  SiC

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• 发布了文章 2022-04-28 01:33

  怎么理解驱动芯片的驱动电流能力

  

  使用功率开关器件的工程师们肯定都有选择驱动芯片的经历。面对标称各种电流能力的驱动产品时，往往感觉选择非常困惑。特别是在成本压力之下，总希望选择一个刚好够用的产品。以下内容或许能给到些启发。首先来看一下这个驱动峰值电流的定义方式。这个很重要，不同公司的产品往往宣传说法不一样，所以要参考规格书。以下图1是英飞凌的1EDI系列产品的电流表。比如1EDI60I12A

  驱动器

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• 发布了文章 2022-04-26 01:23

  新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二极管的Dual-Boost Easy3B模块

  

  新品1500V光伏双面组件MPPT模块该功率模块是为1500V直流电压的太阳能应用而开发的，与双面光伏组件兼容，功率为500W+。每个模块都配备了3路MPPT，每路MPPT的输入电流可达到30A。产品规格：FS3L200R10W3S7F_B94200A950VFS3L200R10W3S7F_B94是采用200A950VIGBT7S7和SiC二极管的Dual-

  芯片 模块

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• 发布了文章 2022-04-23 01:42

  新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM

  

  新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模块CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模块具有优化的性能和紧凑的封装，可用于额定功率达1.5HP的逆变器产品规格：IM323系列的新成员是专门为家用空调和家用电器应用设计的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模块具有优化的性能和紧凑的封装，可用于额定功率达1

  IGBT IPM

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• 发布了文章 2022-04-20 01:27

  新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET产品

  

  新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低欧姆产品CoolSiC1200VSiCMOSFET低欧姆产品，采用TO247封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用.XT互连威廉希尔官方网站 ，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的热耗散性能。产品规格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封装CoolSiC12

  MOSFET

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• 发布了文章 2022-04-19 01:24

  无磁芯变压器(CT)隔离驱动芯片威廉希尔官方网站 优势及产品系列

  

  在之前的威廉希尔官方网站 文章中，介绍了驱动芯片的概览，PN结隔离(JI)威廉希尔官方网站 ，SOI驱动芯片威廉希尔官方网站 等非隔离的驱动威廉希尔官方网站 ，本文会继续介绍英飞凌的无磁芯变压器(CT)隔离驱动芯片威廉希尔官方网站 。在隔离器件的威廉希尔官方网站 上，有三种主流的隔离威廉希尔官方网站 ，分别是光隔离，电容隔离和变压器隔离。顾名思义，其隔离的介质分别是光，电场信号和磁信号，隔离器件的使用及其广泛，从输入输出接口，通讯端口，到功率器件的栅极驱

  芯片

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• 发布了文章 2022-04-16 01:38

  IGBT驱动电流行为综述

  

  IGBT驱动需要电流：IGBT是一种电压驱动的电子开关，正常情况下只要给15V电压就可以饱和导通，实际器件的驱动是给栅极端口电容充放电，还是需要电流的。IGBT驱动电流峰值电流取决于栅极总电阻，电流取决于栅极电荷，但我们一般讲的是峰值电流。驱动的峰值电流很好理解，按照欧姆定律，由驱动电压和驱动电阻决定：但在小阻值驱动回路中，实际测得驱动电流一般比上述公式计算

  IGBT

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