英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2023-02-21 22:04

  新品 | EiceDRIVER™ 0.35A/0.65A 1200V SOI威廉希尔官方网站 的三相栅极驱动器

  

  新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI威廉希尔官方网站 的三相栅极驱动器EiceDRIVER1200V三相栅极驱动器，典型的0.35A源电流和0.65A灌电流。其采用DSO-24引脚封装，适用于IGBT（绝缘栅双极晶体管）/SiC（碳化硅）模块和分立器件驱动。产品型号：6ED2231S12TEiceDRIVER1200V三相栅极驱动器，典型的0.3

  电流 驱动器

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• 发布了文章 2023-02-09 22:05

  请教如何解决FF1400R17IP4模块双脉冲测试电流振荡？

  

  “做双脉冲实验时VCE电压振荡很大是为什么？”“英飞凌的产品文档在哪里查找？”“IGBT桥臂模块叠层铜排结构是否合理，是否需要优化？”当你有任何威廉希尔官方网站 问题，却苦于无法快速得到专业工程师的回复时，（InfineonDeveloperCommunity）英飞凌开发者社区是你的最佳选择。在这里，大量英飞凌资深工程师常驻后台，提供多种语言的问答服务，中国本土工程师24

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• 发布了文章 2023-02-03 22:05

  新品 | IMI111T - iMOTION™带有微控制器、栅极驱动器和IGBT的IPM智能功率模块

  

  新品IMI111T-iMOTION带有微控制器、栅极驱动器和IGBT的IPM智能功率模块集成了电机控制器、三相栅驱动器600V/2A和600V/4AIPM,在没有散热器情况可以驱动50W/70W电机，目标应用为大小家电和风机水泵。产品型号：IMI111T-026H：2A600VIPMIMI111T-046H：4A600VIPMiMOTIONIPM集成了电机控

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• 发布了文章 2023-01-30 22:11

  新品 | -1A/2A，160V MOTIX™三相SOI栅极驱动器

  

  新品-1A/2A，160VMOTIX三相SOI栅极驱动器-1A/2A，160VMOTIX三相栅极驱动器，带有集成的电源管理单元（PMU）、电流感应放大器（CSA）和过流保护（ITRIP）。产品型号：6ED2742S01QMOTIX6ED2742S01Q是一款基于SOI的160V栅极驱动器，用于三相无刷直流电动机驱动应用。集成的自举二极管用于为三个外部高边充电

  驱动器 栅极

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• 发布了文章 2023-01-20 22:11

  新品 | EasyPACK™ 2B 75A 1700V IGBT三相桥模块和2200V EasyBRIDGE整流模块

  

  新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块和2200VEasyBRIDGE整流模块1700V电机驱动功率半导体解决方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相桥模块和2200VEasyBRIDGE整流模块相关器件：FS75R17W2E4P_B11Easy2B封装DDB6U50N22W1RP_B11Easy1B封装EasyPACK

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• 发布了文章 2023-01-18 22:11

  新品 | 采用950V IGBT7和1200VSiC二极管的三路45A 三电平Boost MPPT模块

  

  新品光伏组串逆变器用45A三路MPPT模块光伏组串逆变器用45A三路MPPT模块，由950VIGBT7和1200VSiC二极管构成相关器件：FS3L400R10W3S7F_B1145A3路MPPTFS3L400R10W3S7F_B11是EasyPACK3B封装的三路45AMPPT模块。它采用950V的TRENCHSTOPIGBT7和1200V的CoolSiC

  二极管 模块 MPPT

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• 发布了文章 2023-01-16 22:11

  是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案

  

  作者简介作者：sureshthangavel翻译：赵佳与硅威廉希尔官方网站 相比，SiCMOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特别是在需要双向功率转换的时候。易于安装是大功率光伏组串式逆变器的关键特征之一。如果只需要两个工人来搬运和安装该系统，将会非常利于运维。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半导体使电力转换效率大幅提高。这

  逆变器 SiC

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• 发布了文章 2023-01-12 22:11

  如何手动计算IGBT的损耗

  

  现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学的小伙伴总想知道工作机理。其实基础都是大家学过的基本高等数学知识。今天作者就帮大家打开这个黑盒子，详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。我们先来看一个IGBT的完整工作波形：IGB

  IGBT 损耗

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• 发布了文章 2023-01-11 15:09

  SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？

  

  众所周知，“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代，英飞凌的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”，就不会干别的了吗？非也。因为SiC材料独有的特性，Si

  MOSFET SiC

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• 发布了文章 2023-01-11 15:09

  探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性

  

  探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性

  二极管 MOSFET

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