英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2023-03-28 16:40

  SiC MOSFET的短沟道效应

  

  原文标题：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：ThomasBasler原文发表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，PracticalAspectsandBod

  MOSFET SiC

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• 发布了文章 2023-03-28 16:40

  新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块

  

  新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模块光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模块，采用M1H芯片，导通电阻8-17毫欧五个规格，PressFIT压接针和NTC。产品型号：DF17MR12W1M1HDF16MR12W1M1HDF14MR12W1M1HDF11MR12W1M1HDF8MR12W1M1H产品特点Best-

  光伏 模块

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• 发布了产品 2023-03-17 13:31

  1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

  

  产品型号：IKQ140N120CH7 电压：1200V 电流：140A 封装：TO-247-3, TO-247-4

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• 发布了文章 2023-03-15 22:10

  HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究

  

  熊康明英飞凌电源与传感系统事业部主任工程师1引言相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET寄生二极管续流，当完成了对结电容的充放电之后，再打开MOSFET以降低器件的损耗。细心的工程师可能就会发现一个有趣的问题，我们这里拿IPW60R024CFD7举例说明，假设死区时刻，流过二

  MOSFET 二极管 电流

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• 发布了文章 2023-03-15 22:10

  新品 | EVAL-IMI111T-026 iMOTION™带有微控制器、栅极驱动器的2A 600V IPM评估板

  

  新品EVAL-IMI111T-026iMOTIONiMOTION集成了电机控制器、三相栅驱动器2A600VIPM评估板，目标应用为家用空调室内风机，吊扇和小电机驱动。产品型号：EVAL-IMI111T-026，2A600VIPM的评估板EVAL-IMI111T-026是一个用于iMOTIONIMI111T-026HIPM的启动套件。IMI111T-026H器

  控制器 评估板 驱动器

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• 发布了文章 2023-03-15 22:09

  如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战

  

  作者简介作者：JanBaurichter翻译：赵佳尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时--这是我们行业中不断强调的目标之一--你不可避免地会降低功率。但情况一定是这样吗？如果将我们的思维从芯片转移到模块设计上，就不需要抛硬币了。在IGBT模块中，芯片面积减小导致了热阻抗的增加，进而影响性能。但是，由于较小的芯片在基板上释放了更多的空间，因此有可

  IGBT 芯片

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• 发布了文章 2023-03-15 22:09

  如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战

  

  在本文的第一部分——《如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战》，我们提到尺寸和功率往往看起来像硬币的两面。当你缩小尺寸时，你不可避免地会降低功率。在那篇文章中，我们介绍了芯片缩小对热性能的影响，以及如何通过优化芯片位置和模块布局来减轻这种影响。现在，让我们来看看我们如何能够改善电气性能。同样，我们将以采用TRENCHSTOPIGBT7威廉希尔官方网站

  模块 电气 芯片

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• 发布了文章 2023-03-02 22:05

  如何在最短的时间内得到英飞凌工程师的威廉希尔官方网站 支持？这份操作指南请收好

  

  在项目开发过程中，您是不是经常：不清楚如何选择合适规格的半导体芯片调试过程中总是出现bug测试过程中有一些震荡总是无法消除当您有以上困惑，却苦于无法联系到原厂工程师的时候，就请登录英飞凌官方开发者社区吧。英飞凌官方开发者社区在英飞凌开发者社区，工程师的威廉希尔官方网站 问题可以得到快速解答。源于多达200人组成的英飞凌专业工程师团队，每天都到论坛查看用户的问题，确保24小

  芯片 英飞凌

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• 发布了文章 2023-03-02 22:04

  米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策

  

  搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？我们先来看IGBT开通时的典型波形：上图中，绿色的波形是GE电压，蓝色的波形是CE电压，红色的波形是集电极电流IC。在开通过程中，GE的电压从-10V开始上升，上升至阈值电压后，IGBT导通，开始流过电流

  器件 系统

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• 发布了文章 2023-02-21 22:04

  新品 | EiceDRIVER™ 0.35A/0.65A 1200V SOI威廉希尔官方网站 的三相栅极驱动器

  

  新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI威廉希尔官方网站 的三相栅极驱动器EiceDRIVER1200V三相栅极驱动器，典型的0.35A源电流和0.65A灌电流。其采用DSO-24引脚封装，适用于IGBT（绝缘栅双极晶体管）/SiC（碳化硅）模块和分立器件驱动。产品型号：6ED2231S12TEiceDRIVER1200V三相栅极驱动器，典型的0.3

  电流 驱动器

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