英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2023-05-04 17:06

  如何利用快速开关的TRENCHSTOP™ 5 IGBT和SiC二极管搭建更小更轻的PFC

  

  本文作者作者：akbarsyeda翻译：赵佳紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在，由于家用电器消耗的能量不断增加，从事此类应用的工程师还有一个目标：保持高功率因数（PF）。特别是空调，其额定功率为1.8kW或更大，是最耗电的设备之一。在这里，功率因数校正（PFC）是强制性的，对于PFC，设计者认为IGBT（绝缘栅双极型晶体

  IGBT 二极管

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• 发布了文章 2023-04-20 21:48

  集成电源管理的160V三相MOTIX™门级驱动器

  

  我们身边有很多电池供电的应用比如打扫卫生时使用的手持吸尘器、装家具时使用电动工具、大街上穿梭的电动自行车、随处可见的服务机器人和公园里看到的无人机等，这些应用有一些共有的特点，就是设计紧凑并因地制宜的充分利用空间！MOTIX3相栅极驱动器6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX品牌的新成员。之前的文章《新品|-1A/2A，160VMOTIX三相SOI栅极驱动

  电源 驱动器

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• 发布了文章 2023-04-20 02:33

  隔离型驱动芯片下面到底能不能走线

  

  首先给出结论：一般我们把隔离驱动芯片的垂直面下方的PCB设为禁止布线层，既不走任何的信号也不放置各类元器件，如图1所示。然后再讨论为什么不能布线，最后介绍例外的应用情况。左右滑动可进行查看图1为什么芯片下面不建议布线？因为会影响正常的信号传输啊！既然是使用电气隔离型的驱动芯片，你肯定是希望原边和副边之间不要有任何牵绊，而且两者的供电是独立且符合应用隔离要求的

  芯片 驱动

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• 发布了文章 2023-04-11 14:21

  SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性

  

  作者简介作者：FriedrichsPeter翻译：赵佳碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。先进的器件设计都会非常关注导通电阻，将其作为特定威廉希尔官方网站 的主要基准参数。然而，工程师们必须在主要性能指标（如电阻和开关损耗），与实际应用需考虑的其他因素（如足够的可靠性）之间找到适当的平衡。优

  MOSFET SiC

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• 发布了文章 2023-04-07 06:38

  英飞凌强化低碳化形象：工业应用部门将以零碳工业功率（GIP）事业部为名开展经营

  

  德国慕尼黑-2023年4月3日-英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）已将其工业功率控制（IPC,IndustrialPowerControl）事业部更名为零碳工业功率（GIP,GreenIndustrialPower）事业部。自此，英飞凌强调其将持续紧跟低碳化和数字化趋势。对于重新命名为零碳工业功率（GIP）的事业部，绿色能源

  数字化 英飞凌

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• 发布了文章 2023-04-03 16:52

  英飞凌为世界注入无限绿色能源，助力零碳转型

  

  聚焦“碳中和”，探讨运用创新威廉希尔官方网站 ,以可持续的发展方式为世界节能减排的IICShanghai2023近日在上海举办。陈立烽英飞凌科技工业功率控制事业部大中华区高级威廉希尔官方网站 总监英飞凌科技工业功率控制事业部大中华区高级威廉希尔官方网站 总监陈立烽受邀出席“2023'碳中和'暨绿色能源电子产业可持续发展高峰论坛”发表主题演讲，深入浅出地分享英飞凌如何“为世界注入无限绿色能源”。美好明

  能源 英飞凌

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• 发布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。产品特点得益于著名的英飞凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP威廉希尔官方网站 高速开关，低EMI辐射针对目标应用的优化二极管，实现了低Qrr可选择较低的栅极电阻（低至5Ω），同时保持出色的开

  1200V IGBT

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• 发布了文章 2023-03-28 16:41

  是时候从Si切换到SiC了吗？

  

  作者简介作者：UweJansen翻译：陈子颖在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiCMOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。最初是在光伏（PV）逆变器和电池电动车（BEV）驱动系统中采用，但现在，越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估SiC在系统中可能的潜力，以及利用这一潜力的最佳策略是什么

  SiC 碳化硅

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• 发布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列产品型号：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE

  IGBT 分立器件

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• 发布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms单通道隔离栅极驱动器

  

  新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)单通道隔离栅极驱动器X3Compact(1ED31xx)隔离栅极驱动器系列，容易使用，最近发布的栅极驱动器系列又增加了一个新的产品系列，DSO-8150mil窄体封装（1ED314x），带一个米勒钳位选项。相关器件：1ED3140MU12F1ED3141MU12F1ED3142

  栅极 驱动器

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