英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2023-11-21 08:14

  英飞凌推出面向高能效电源应用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品

  

  英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微沟槽栅威廉希尔官方网站 ，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器

  IGBT 电源 英飞凌

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• 发布了文章 2023-11-19 08:13

  英领绿色能源｜产学联动，探讨实现“双碳”更优解

  

  作为全球功率半导体的市场领导者英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌11月21日第一期上线现在开约！双碳，一个持续热门的话题，可谓宏大而复杂。为了理清该领域的最新发展逻辑，从产业宏观和底层科技综合视角来探讨实现“双碳”目标的更快路径，2023年尾声，英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌直播活动，结合产业热点，打造业界独家栏目！在这档栏目中，通过研究“双

  功率半导体 能源 英飞凌

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• 发布了文章 2023-11-17 08:14

  产学联动，探讨实现“双碳”更优解

  

  作为全球功率半导体的市场领导者英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌11月21日（下周二）第一期上线现在开约！双碳，一个持续热门的话题，可谓宏大而复杂。为了理清该领域的最新发展逻辑，从产业宏观和底层科技综合视角来探讨实现“双碳”目标的更快路径，2023年尾声，英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌直播活动，结合产业热点，打造业界独家栏目！在这档栏目中，通

  功率半导体 英飞凌

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• 发布了文章 2023-11-17 08:14

  碳化硅 MOSFET 给电力电子系统带来哪些创新设计

  

  我们常说，一代电力电子器件决定一代系统设计。那么，基于宽禁带半导体材料的SiCMOSFET的出现，将给电力电子系统设计带来哪些颠覆性的改变？英飞凌零碳工业功率事业部威廉希尔官方网站 总监沈嵩先生，在2023英飞凌工业功率威廉希尔官方网站 大会（IPAC）上，发表了《CoolSiCMOSFET赋能电力电子系统的创新设计》的演讲，点击视频可观看回放。点击上方视频即可进行观看对于不方便看视频

  MOSFET SiC 碳化硅

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• 发布了文章 2023-11-06 08:14

  一步步纠正关于SiC MOSFET短路认知误区

  

  本期是和ChatGPT辩论的第五回合，英飞凌赵工出场了（第四回合回顾）。赵工内心OS：往期虽然ChatGPT有时表现得可圈可点，但有时也不知所云。都说人工智能模型需要训练，它会自我学习迭代。不如今天来刻意训练一下ChatGPT，或许就能获得一只精通功率器件的AI，将来就能替我回复客户问题？Q为什么SiCMOSFET的短路时间通常比IGBT短？SiCMOSFE

  MOSFET SiC 功率半导体

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• 发布了文章 2023-11-04 08:14

  英飞凌科技TRENSTOP™ IGBT7 1200V系列荣膺2023年Aspencore电子成就奖

  

  11月2日，英飞凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列凭借其卓越的性能和广泛的应用领域，荣获2023年Aspencore电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能被动/分立器件”（HighPerformancepassive/DiscreteDevicesoftheYear!）奖项，再次展

  IGBT 电子设备 英飞凌

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• 发布了文章 2023-11-03 08:14

  OBC PFC车规功率器件结温波动与功率循环寿命分析

  

  应用背景随着新能源汽车(xEV)在乘用车渗透率的逐步提升，车载充电机(OBC)作为电网与车载电池之间的单向充电或双向补能的车载电源设备，也得到了非常广泛的应用。相比车载主驱电控逆变器，电源类OBC产品复杂度高，如何实现其高功率密度、高可靠性、高效率、高性价比等核心指标的优化与平衡，一直是OBC不断威廉希尔官方网站 迭代与产品革新的方向。在上述OBC与可靠性的背景下，针对车

  OBC PFC 功率器件

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• 发布了文章 2023-10-28 08:14

  商业、建筑和农业车辆应用中TO-247PLUS分立封装的回流焊接

  

  作者简介作者：OmarHarmon,ZhenboZhao,LukasHein翻译：ZhaoKai/摘要/今天，功率半导体为很多应用提供高功率密度的解决方案。如何将功率器件的发热充分散出去是解决高功率密度设计的关键。通过使用IGBT焊接在双面覆铜陶瓷板(DCB)上可以帮助减少散热系统的热阻，前提是需要IGBT单管封装支持SMD工艺。本文将展示一种可回流焊接的T

  半导体 封装 焊接

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• 发布了文章 2023-10-19 08:14

  人机大战之如何计算IGBT寿命——ChatGPT越战越勇

  

  本期是和ChatGPT辩论的第四回合（第三期回合回顾），本期ChatGPT大显神威，抗住了资深FAE的连环追问，答案有模有样。

  ChatGPT IGBT 芯片

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• 发布了文章 2023-10-13 08:14

  NPC2三电平拓扑横管过压保护开关逻辑

  

  NPC2三电平拓扑因为其效率高，谐波含量低，在光伏逆变器设计中应用非常广泛。由下图可以看到，NPC2由四个开关管构成，包含竖管T1/T4，横管T2/T3。在市电异常或者逆变器系统故障时，逆变器是否需要特殊的开关逻辑，对NPC2拓扑中的横管进行过压保护呢？我们以横管T2/3采用50A650VH5IGBTIKW50N65H5，竖管T1/4为40A1200VS6I

  保护开关 光伏 逆变器

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