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发布了文章 2023-12-22 08:14

门极驱动正压对功率半导体性能的影响

/引言/对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。1对导通损耗的影响无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为门极电压越高意味着沟道反型

半导体器件驱动

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发布了文章 2023-12-21 08:14

英飞凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块荣获2023年度最具影响力碳化硅产品奖

11月14日，英飞凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半桥模块凭借其卓越的性能，荣获2023年度行家极光奖最具影响力产品奖，再次展现了英飞凌在碳化硅领域的威廉希尔官方网站创新能力和行业领先地位，得到了业内专家和客户的认可。2023年上市的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半桥模块采用沟槽栅，大大提升器件参数、可靠性及寿命

模块碳化硅英飞凌

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发布了文章 2023-12-16 08:14

SiC MOSFET用于电机驱动的优势在哪里

在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiCMOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的电机应用中，SiC仍然具有不可比拟的优势，他们是：1低电感电机低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关

IGBT MOSFET SiC 电机驱动

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发布了文章 2023-12-11 17:31

扩展 IGBT7 产品组合，实现bast-in-Class功率密度

我们已经介绍过关于采用标准TO-247封装的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二极管续流产品的优点。秉承"越多越好"的宗旨，英飞凌最近拓展了IGBT7和EC7威廉希尔官方网站的产品系列，其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合，重点如下：1.采用TO-247PLUS封装可实现高功率密度，可用于商用车和农用车(CAV)

IGBT 二极管英飞凌

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发布了文章 2023-12-09 08:14

感应加热原理与IGBT应用拓扑分析（上）

经常遇到很多同事和朋友问：为什么电磁炉和电饭煲要用到IGBT，这种应用的IGBT需要有什么特点？今天我们就给大家详细解释感应加热的原理和感应加热的拓扑分析。在理解电磁感应加热的原理之前，先问自己一个问题，假如这个世界上没有电磁炉，你要烧开一锅水，会怎么做？最常见的方式，就是点燃炉灶，把锅架在火上。图1.传统燃气加热然而这种方法是间接的加热方式，先由热源加热锅

IGBT 感应加热电磁

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上传了资料 2023-12-06 11:56

IGBT单管数据手册参数解析（下）

IGBT

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上传了资料 2023-12-06 11:54

IGBT单管数据手册参数解析(上)

IGBT

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发布了文章 2023-12-02 08:14

英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封装的半桥模块。该封装使SiCMOSFET能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅威廉希尔官方网站在这一功率等级应

SiC 封装英飞凌

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发布了文章 2023-12-01 08:14

英飞凌EiceDRIVER™威廉希尔官方网站以及应对SiC MOSFET驱动的挑战

碳化硅MOSFET导通损耗低，开关速度快，dv/dt高，短路时间小，对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士，在2023IPAC英飞凌工业功率威廉希尔官方网站大会上，发表了《英飞凌EiceDRIVER威廉希尔官方网站以及应对SiCMOSFET驱动的挑战》的演讲，详细剖析了SiCMOSFET对驱动芯片的需求，以及我们

MOSFET SiC 英飞凌驱动

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发布了文章 2023-11-28 08:13

增强型M1H CoolSiC MOSFET的威廉希尔官方网站解析及可靠性考量

碳化硅MOSFET在材料与器件特性上不同于传统硅，如何保证性能和可靠性的平衡是所有厂家需要面对的首要问题，英飞凌作为业界为数不多的采用沟槽栅做SiCMOSFET的企业，如何使用创新的非对称沟槽栅既解决栅极氧化层的可靠性问题、又提高了SiCMOSFET的性能?增强型M1HCoolSiC芯片又“强“在哪里？英飞凌零碳工业功率事业部高级工程师赵佳女士，在2023英

MOSFET SiC 碳化硅

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