用于5G基站射频前端的半导体方案
消费和企业需求推动物联网(IoT)和机器对机器(M2M)通信的激增。预计到2021年，月数据流量将超过50EB，加之新威廉希尔官方网站 如自动驾驶车辆的需求，及虚拟实境要求下一代蜂窝网络不仅增速20倍，还减少等待时间。把所有的一切联接到因特网将需要5G基站以匹配射频和物理层协议，使用更宽的频率范围、多个功率等级、空间复用和波束形成。
安森美半导体提供各种器件用于这些网络基站的射频（RF）前端，如用于氮化镓(GaN)系统的NLHV4157N，通过GaN晶体管与接地点之间的负电压和信号交换放电。在需要在两种不同电路之间开关的应用中，NLHV1T0434 MiniGate™高压RF天线开关驱动器，提供电平位移，最大输出电压VoutMAX 60V，同时具有反相输出和非反相输出。我们的工业级EEPROM+阵容中，N34TS108数字输出温度传感器提供优化的温度控制，而不需要由控制器或应用处理器频繁的读取温度读数。NCS21xR系列精密运放用于电流检测应用，可在共模电压−0.3V到26V测量分流器电压，在宽温度范围下具有低偏移量和零漂移。
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原文标题：用于5G基站射频前端的半导体方案
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发表于 01-02 11:58
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