0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

深入分析开关损耗的改善办法

lPCU_elecfans 来源:YXQ 2019-06-14 11:21 次阅读

关于开关电源的损耗问题一直困扰着无数工程师,结合电路来深入分析下开关损耗的改善办法。

输入部分损耗

1、脉冲电流造成的共模电感T的内阻损耗加大

适当设计共模电感,包括线径和匝数

2、放电电阻上的损耗

在符合安规的前提下加大放电电阻的组织

3、热敏电阻上的损耗

在符合其他指标的前提下减小热敏电阻的阻值

启动损耗

普通的启动方法,开关电源启动后启动电阻回路未切断,此损耗持续存在。

改善方法:恒流启动方式启动,启动完成后关闭启动电路降低损耗。

与开关电源工作相关的损耗

钳位电路损耗

有放电电阻存在,mos开关管每次开关都会产生放电损耗。

改善方法:用TVS钳位如下图,可免除电阻放电损耗(注意:此处只能降低电阻放电损耗,漏感能量引起的尖峰损耗是不能避免的)

当然最根本的改善办法是,降低变压器漏感。

供电绕组的损耗

电源芯片是需要一定的电流和电压进行工作的,如果Vcc供电电压越高损耗越大。

改善方法:由于IC内部消耗的电流是不变的,在保证芯片能在安全工作电压区间的前提下尽量降低Vcc供电电压!

变压器的损耗

由于待机时有效工作频率很低,并且一般限流点很小,磁通变化小,磁芯损耗很小,对待机影响不大,但绕组损耗是不可忽略的。

绕组的层与层之间的分布电容的充放电损耗(分布电容在开关MOS管关断时充电,在开关MOS管开通时放电引起的损耗。)

当测试mos管电流波形时,刚开启的时候有个电流尖峰主要由变压器分布电容引起。

改善方法:在绕组层与层之间加绝缘胶带,来减少层间分布电容。

开关管MOSFET上的损耗

mos损耗包括:导通损耗,开关损耗,驱动损耗。其中在待机状态下最大的损耗就是开关损耗。

改善办法:降低开关频率、使用变频芯片甚至跳频芯片(在空载或很轻负载的情况下芯片进入间歇式振荡)

整流管上的吸收损耗

输出整流管上的结电容与整流管的吸收电容在开关状态下引起的尖峰电流反射到原边回路上,引起的开关损耗。另外还有吸收电路上的电阻充放电引起的损耗。

改善方法:在其他指标允许的前提下尽量降低吸收电容的容值,降低吸收电阻的阻值。

当然还有整流管上的开关损耗、导通损耗和反向恢复损耗,这应该在允许的情况下尽量选择导通压降低和反向恢复时间短的二极管

输出反馈电路的损耗

通过上述电路的分析想必大家对开关电源“待机功耗”的改善方法也掌握的差不多了,但是要透彻了解开关电源,还要深入实践,并且还要有一套行之有效的学习研发方式。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 开关电源
    +关注

    关注

    6459

    文章

    8329

    浏览量

    481817
  • 功耗
    +关注

    关注

    1

    文章

    810

    浏览量

    31938

原文标题:还在为开关电源“待机功耗”头痛吗?有了这些技巧再也不慌了(珍藏版)

文章出处:【微信号:elecfans,微信公众号:电子发烧友网】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    PFC MOSFET的开关损耗测试方案

    MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?
    发表于 10-19 10:39 2031次阅读

    功率MOSFET的开关损耗:关断损耗

    大于B管,因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时,需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和:从上面的分析可以得到以下结论:(1)减小驱动电阻可以减小
    发表于 03-06 15:19

    全SiC功率模块的开关损耗

    全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
    发表于 11-27 16:37

    【干货】MOSFET开关损耗分析与计算

    本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子
    发表于 01-30 13:20

    如何更加深入理解MOSFET开关损耗

    如何更加深入理解MOSFET开关损耗?Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响?
    发表于 04-07 06:01

    开关损耗包括哪几种

    一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗;关断损耗
    发表于 10-29 07:10

    准确测量开关损耗的几个方式

    一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量开关器件的
    发表于 11-18 07:00

    理解功率MOSFET的开关损耗

    理解功率MOSFET的开关损耗 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
    发表于 10-25 15:30 3451次阅读

    MOSFET开关损耗分析

    为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的
    发表于 01-04 14:59 42次下载

    使用示波器测量电源开关损耗

    使用示波器测量电源开关损耗
    发表于 05-05 09:49 0次下载

    基于CMM下开关损耗和反激开关损耗分析以及公式计算

    1、CCM 模式开关损耗 CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。
    的头像 发表于 01-13 09:28 9375次阅读
    基于CMM下<b class='flag-5'>开关损耗</b>和反激<b class='flag-5'>开关损耗</b><b class='flag-5'>分析</b>以及公式计算

    如何准确的测量开关损耗

    一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量开关器件的
    发表于 06-27 10:22 2383次阅读

    功率MOSFET的开关损耗分析

    功率MOSFET的开关损耗分析
    发表于 04-16 14:17 50次下载

    开关损耗原理分析

    一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗;关断损耗
    发表于 10-22 10:51 11次下载
    <b class='flag-5'>开关损耗</b>原理<b class='flag-5'>分析</b>

    通过驱动器源极引脚改善开关损耗-传统的MOSFET驱动方法

    MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗,但不同的应用其降低
    发表于 02-09 10:19 1078次阅读
    通过驱动器源极引脚<b class='flag-5'>改善</b><b class='flag-5'>开关损耗</b>-传统的MOSFET驱动方法